【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光装置外部へ発光を取り出す課程で生じる発光の反射を低減すると共に、基板からトランジスタへの不純物拡散も十分に阻止できるようなアクティブマトリクス型の発光装置を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを覆うと共に前記基板が露出するように設けられた第１の開口部を有する第２の絶縁層とを有し、前記第１の開口部の内側に発光素子が設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板（ＳＵＢ）上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線（ＬＮ）で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔（ＣＨ）及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜（ＯＰＡＳ）と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたＩＴＯ膜（ＩＴＯ）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、ＥＬ膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、ＥＬ膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極１００上に絶縁膜１０１を形成し、絶縁膜１０１上にＥＬ膜１０２、陰
極１０３を形成したＥＬ素子において、絶縁膜１０１の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜１０１の中央部のテーパー角を３５°以上７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置に含まれるＴＦＴのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 １枚の基板から得られる表示パネルの枚数が多くでき、放電破壊を抑制するショート配線としても機能する共通配線の構成のアレイ基板において、外部接続端子と共通配線とを接続する接続配線の、共通配線のコンタクトホールを有する接続部での腐食を抑制して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に、複数の表示パネル５０を構成する複数の表示領域４０が配置され、走査配線２、信号配線６、及び共通配線８０に接続される外部接続端子６０を有するアレイ基板１１０において、外部接続端子６０と隣接する表示パネル５０の共通配線８０とを接続する接続配線７０は、隣接する表示パネル５０の共通配線８０に設けられたコンタクトホール６４を有する接続部６５において接続され、接続部６５は対向基板１２０を貼り合わせるシール材９５が形成される領域下、又はシール材９５より表示領域４０側である内側に配置される。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が０．５以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をｄ（ｎｍ）とし、前記透明層の屈折率をｎとしたとき、積ｎ×ｄが４００より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 （もっと読む）

【課題】エレクトロクロミック層を発色または消色する動作時間を短縮し、画像認識性の高い表示を素早く行うことができる駆動方法を提供する。
【解決手段】表示基板と、表示電極と、対向基板と、対向電極と、前記表示電極の対向電極側の面に接して設けられたエレクトロクロミック層とを備え、前記エレクトロクロミック層(13a、13b、13c)が設けられた表示電極が複数(11a、11b、11c)、前記表示基板(11)と前記対向電極(12a)との間に設けられると共に、前記複数の表示電極と前記対向電極とに挟まれるように電解質層(16)が設けられたエレクトロクロミック表示装置の少なくとも発色または消色のいずれかの駆動において、複数の表示電極と対向電極との間に同時に電圧印加し、それぞれの表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層を同時に発色または消色する。 （もっと読む）

【課題】外部からの水分浸入を防ぎ、十分な発光特性や発光寿命が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としてのＥＬ表示装置１は、基体上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していない。 （もっと読む）

【課題】表示用配線の腐食による断線や短絡を確実に防止する。
【解決手段】表示パネルの基板６に表示用配線７、絶縁膜８、電極９を順に積層する。電極９は絶縁膜８に形成された開口を介して表示用配線７に電気的に接続される。この開口を埋めるようにＩＴＯなどの透明導電膜が供給され、この透明導電膜により電極９が形成される。このようにして電極９と表示用配線７が電気的に接続する。また、電極９以外の領域では、絶縁膜８上に保護導電膜１０が形成されている。これにより絶縁膜８のピンホールや傷による表示用配線７の腐食が発生しない。 （もっと読む）

【課題】隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】白色有機ＥＬ素子２１_Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造を有する有機ＥＬ表示装置において、有機層（電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７）に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線９０の電位を有機ＥＬ素子２１が非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、サンプリング用トランジスターの高速化とプッシュダウン現象の抑制を両立させ、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、データ線（６）に画像信号線（６０）から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスター（７１）を備える。サンプリング用トランジスターのゲート絶縁膜（７３）は、ゲート電極（７１Ｇ）の第１ソースドレイン領域（７４Ｓ）側の縁部（７１Ｇｅｓ）に重なる部分及びゲート電極の第２ソースドレイン領域（７４Ｄ）側の縁部（７１Ｇｅｄ）に重なる部分の各々の膜厚が、ゲート電極の中央部（７１Ｇｃ）に重なる部分の膜厚よりも厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされる容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バリア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）