【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械（ＭＥＭＳ）デバイス（８００）が、頂部表面（８８）を有する基板（２０）と、基板（２０）の上方の可動エレメント（８１０）と、駆動電極（８２）とを備えている。可動エレメント（８１０）は、変形可能層（３４）および変形可能層（３４）に機械的に結合された反射エレメント（８１４）を備えている。反射エレメント（８１４）は反射表面（９２）を備えている。駆動電極（８２）は、反射表面（９２）から横方向に配置されている。可動エレメント（８１０）は、基板（２０）の頂部表面（８８）に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極（８２）と可動エレメント（８１０）の間に印加される電圧差に応答する。 （もっと読む）

【課題】 高コントラストなエレクトロクロミック素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエレクトロクロミック素子１０は、第１の電極１３と、第２の電極１４と、電解質層１６と、エレクトロクロミック組成物層１５とを含み、第１の電極１３の上に、エレクトロクロミック組成物層１５が積層され、エレクトロクロミック組成物層１５の上に、電解質層１６が積層され、第２の電極１４が、電解質層１６およびエレクトロクロミック組成物層１５の少なくとも一方の側面に配置され、第１の電極１３と第２の電極１４との間で、電解質層１６およびエレクトロクロミック組成物層１５に電圧を印加可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタによる画素回路への電気的影響を緩和して表示画質の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動基板１０側にカラーフィルタ１５を有する構造において、表示機能層（有機ＥＬ層１９）へ駆動電流を供給するための第１電極１７および第２電極２０に加え、第３電極１４を設けた構造となっている。画素回路において、カラーフィルタ１５に起因して誘電正接が生じた場合であっても、第１電極１７と第３電極１３との電気的遮蔽効果によって、画素回路における保持電位の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールに起因する画素電極の凹凸を緩和することができる電気光学装置、投射型表示装置、電子機器および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを導通させるにあたって、コンタクトホール４５ａの底部４５ａ1を避けて、コンタクトホール４５ａの側壁４５ａ2およびコンタクトホール４５ａの外部に第２絶縁膜４７を設ける。このため、コンタクトホール４５ａは、コンタクトホール４５ａの側壁４５ａ2に設けられている第２絶縁膜４７の厚さ分は、平面サイズが小さくなっている。かかる構造は、コンタクトホール４５ａを形成した後、第２絶縁膜４７を形成し、第２絶縁膜４７に対して異方性エッチングを行うことにより実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口率を大きくする必要がなく、印刷に適し、複数画素を用いずに面積階調できる薄膜トランジスタアレイ、表示装置、および薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】画素の有効領域の幅をＡ、画素の有効領域のネガパターンの幅をＢとしたとき、幅Ｂが幅Ａよりも大きな薄膜トランジスタとする。あるいは、対向電極と画素電極の距離をＣとしたとき、距離Ｃが幅Ｂの４分の１以上Ｂ以下である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上し、もって、高輝度化且つ低消費電力化が実現可能な有機ＥＬ素子、およびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明電極であるカソード電極２５と、光を透過する金属層である透明金属層２４３および光を反射する金属層である反射性金属層２４１で少なくとも構成され、透明金属層２４３および反射性金属層２４１が積層された第１領域と、光を透過する絶縁層である透明絶縁層２４２が透明金属層２４３および反射性金属層２４１の間に形成された第２領域とを有するアノード電極２４と、カソード電極２５およびアノード電極２４の間に形成され、カソード電極２５を介して出射される光を発光する有機ＥＬ層２３と、を備え、有機ＥＬ層２３は、前記第２領域における透明金属層２４３と接して形成され、反射性金属層２４１は、前記第２領域において、有機ＥＬ層２３からの発光を反射する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２および第１配線層２１を形成したのち、全面にゲート絶縁膜１３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第２保護膜２３を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極１７および第２配線層２４を形成する。これにより、チャネル層１４表面の損傷が防止されると共に、配線部２０のクロス容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子において、表面プラズモンによる光の損失を低減し、且つ素子内部での短絡を抑制する。
【解決手段】有機ＥＬ素子１は、一面にナノオーダーサイズの凹凸２’が設けられた金属層２と、金属層２の一面側に設けられた発光層３１を含む複数の有機層３と、を備え、有機層３の各界面における凹凸の高さが、金属層２に設けられた凹凸２’より小さくなるように構成されている。この構成によれば、金属層２の一方面の凹凸２’により、表面プラズモンを伝搬光に変えて、光の損失を低減することができ、また、各有機層３の各界面の凹凸を、金属層２面上の凹凸２’より小さくすることにより、素子内部での短絡を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】アレイ領域と周辺領域とを有する前面基板１０００であって、アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体１０１１ａ−１０１１ｄ，１０１３ａ−１０１３ｃを有し、周辺領域内にランドをさらに有し、ランドの少なくとも一部が、アレイ領域内の支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、周辺領域内のランド上に重ねて形成された複数の導体であって、導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、前面基板の下側領域上に形成された導電層とを有する。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】光装置に関して、カラーフィルタを用いる場合において、外部に取り出す光の輝度を向上させる構成を以下に開示する。
【解決手段】光素子と、当該光素子から射出される光（光素子から発光される光又は光素子を通過する光）が入射される色変換材と、を有する光装置において、色変換材はカラーフィルタ層が配置されたカラーフィルタ領域と、カラーフィルタ領域よりも単位面積当たりの透過率が高い透過領域と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）