【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】アレイ領域と周辺領域とを有する前面基板１０００であって、アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体１０１１ａ−１０１１ｄ，１０１３ａ−１０１３ｃを有し、周辺領域内にランドをさらに有し、ランドの少なくとも一部が、アレイ領域内の支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、周辺領域内のランド上に重ねて形成された複数の導体であって、導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、前面基板の下側領域上に形成された導電層とを有する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ領域と周辺領域とを有する前面基板であって、前記アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体を有し、前記周辺領域内にランドをさらに有し、前記ランドの少なくとも一部が、前記アレイ領域内の前記支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、
前記周辺領域内の前記ランド上に重ねて形成された複数の導体であって、前記導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、
前記前面基板の前記下側領域上に形成された導電層と
を有する微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２】
前記導体が、ルーティングトレースおよび可動電極ストリップの少なくとも一方を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記複数の支持体が前記前面基板の材料とは異なる材料から形成され、前記ランドが前記前面基板の材料とは異なる材料から形成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記複数の支持体が、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成され、前記ランドが、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記前面基板が前記周辺領域内に複数のトレンチをさらに有し、前記トレンチが前記導体を互いに電気的に絶縁する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記複数の支持体が前記アレイ領域内に複数のキャビティを定め、前記導電層が前記キャビティ内に固定電極を形成する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記キャビティ内の前記導電層が前記導体の材料と同じ材料を有する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記複数の支持体上に導電層をさらに有し、前記複数の支持体上の前記導電層が、前記キャビティ内の前記導電層の材料と同じ材料を有する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記複数の支持体がレールを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
複数の導体が前記ランド上に形成され、前記前面基板が、前記複数の導体の部分上に形成された絶縁層をさらに有し、前記導体が、前記前面基板の前記下側領域上に形成された前記導電層と実質的に同じ厚さを有し、前記導体が、前記導電層の材料と同じ材料から形成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記前面基板上に重ねて形成された複数の可動電極をさらに有し、前記可動電極の各々が、前記アレイ領域上から前記周辺領域上に延び、前記可動電極の各々の部分が、前記導体の１つの部分に電気的に接触する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記可動電極の各々の前記部分と前記導体の１つの前記部分の間に置かれた導電接着材料をさらに有する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
干渉変調器の前面基板と組み合わせるための保持体であって、前記前面基板が、その上に形成された実質的に透明な電極を有し、
アレイ領域および周辺領域を含む基板と、
前記基板の前記アレイ領域上に重ねて形成された複数の可動電極ストリップであって、前記ストリップが、互いに実質的に平行に延びる、複数の可動電極ストリップと、
前記基板上に重ねて形成された複数のルーティングトレースであって、前記トレースの各々が、それぞれ１つの前記ストリップから前記周辺領域に延びる、複数のルーティングトレースと
を有する保持体。
【請求項１４】
アレイ領域と周辺領域とを含む前面基板であって、前記アレイ領域内に互いに平行に延びる複数のレールを有し、前記レールが前記アレイ領域内で複数のトラフを定め、前記周辺領域内にトレンチをさらに有し、前記トレンチの各々がそれぞれ１つの前記トラフから延びる、前面基板と、
前記トレンチ内に形成された行ルーティングトレースであって、前記アレイ領域内の前記トラフから前記周辺領域の少なくとも一部に延び、互いに電気的に絶縁される、行ルーティングトレースと
を有する微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１５】
前記トレンチが、前記周辺領域内に下側領域を定め、前記下側領域が、前記アレイ領域から前記周辺領域の前記少なくとも一部に延びながら隆起する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記周辺領域の前記少なくとも一部上に配置された行ドライバをさらに有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記行ドライバを前記行ルーティングトレースに電気的に接続する異方性導電フィルム（ＡＣＦ）をさらに有する、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
アレイ領域と前記アレイ領域を囲む周辺領域とを有する面を備えた前面基板であって、
前記前面基板の前記面上の環状のシーリング領域であって、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有する、環状のシーリング領域と、
前記基板内に形成されたリセスであって、前記方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記シーリング領域の一部を横断して延び、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定めるリセスと、
前記前面基板の前記面上に形成された第１の導電層と、
前記リセス内に形成された第２の導電層であって、前記第１の導電層と前記第２の導電層が互いに途切れている、第２の導電層と
を有する前面基板
を有する微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１９】
前記第１の導電層上に絶縁層をさらに有し、前記リセスが側壁を備え、前記絶縁層が前記リセスの前記側壁に延びる部分をさらに有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記シーリング領域上の前記絶縁層上に形成された導電シール剤をさらに有し、前記シール剤が、前記リセスの前記側壁上の前記絶縁層の前記部分によって前記第１の導電層から電気的に絶縁されながら、前記第２の導電層に接触する、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作製する方法であって、
アレイ領域およびルーティング領域を有する面を備えた前面基板を提供するステップと、
前記前面基板の前記面のルーティング領域内に絶縁トレンチを形成するステップであって、前記絶縁トレンチが底面と側壁とを含み、前記絶縁トレンチの底面が、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定める、ステップと、
前記基板の前記面上に第１の部分を備え、前記絶縁トレンチの前記底面上に第２の部分を備えた導電層を形成するステップであって、前記第１の部分が前記第２の部分から電気的に切断されている、ステップと
を有する方法。
【請求項２２】
導体が前記絶縁トレンチ上を横断するように、前記基板の前記面上に導体を形成するステップをさらに有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記導体を形成するステップが、前記導電層の第２の部分上に前記導体を形成するステップを有し、前記方法が、前記導体と前記導電層の第１の部分との間、および前記導体と前記絶縁トレンチの前記側壁との間に絶縁層を形成するステップをさらに有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記前面基板が、前記ルーティング領域と少なくとも部分的にオーバラップする環状のシーリング領域をさらに有し、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有し、前記絶縁トレンチが、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記絶縁トレンチが、前記シーリング領域の一部を横断して延びる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記導電層を形成した後、前記絶縁層を形成する前に、シャドウマスクを用いて前記面の少なくとも一部をマスキングするステップをさらに有し、前記シャドウマスクが、前記絶縁トレンチの部分上の前記シーリング領域を横断するコネクタを有し、前記絶縁層を形成するステップが、前記面上の前記シャドウマスクを用いて前記前面基板の前記面上に絶縁材料を付着するステップを有する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記導体を形成するステップが、前記シーリング領域上の前記絶縁層上に導電シール剤を形成するステップを有する、請求項２５に記載の方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５Ａ】

【図５Ｂ】

【図６Ａ】

【図６Ｂ】

【図７Ａ】

【図７Ｂ】

【図７Ｃ】

【図７Ｄ】

【図７Ｅ】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１Ａ】

【図１１Ｂ】

【図１２Ａ】

【図１２Ｂ】

【図１２Ｃ】

【図１２Ｄ】

【図１３】

【図１４Ａ】

【図１４Ｂ】

【図１４Ｃ】

【図１４Ｄ】

【図１５】

【図１６Ａ】

【図１６Ｂ】

【図１６Ｃ】

【図１６Ｄ】

【図１６Ｅ】

【図１６Ｆ】

【図１７Ａ】

【図１７Ｂ】

【図１７Ｃ】

【図１８Ａ】

【図１８Ｂ】

【図１８Ｃ】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２Ａ】

【図２２Ｂ】

【図２２Ｃ】

【図２３Ａ】

【図２３Ｂ】

【図２３Ｃ】

【図２４Ａ】

【図２４Ｂ】

【図２５】

【図２６Ａ】

【図２６Ｂ】

【図２６Ｃ】

【図２６Ｄ】

【図２６Ｅ】

【図２７Ａ】

【図２７Ｂ】

【図２７Ｃ】

【図２７Ｄ】

【図２８】

【図２９Ａ】

【図２９Ｂ】

【図２９Ｃ】

【図２９Ｄ】

【図３０Ａ】

【図３０Ｂ】

【図３０Ｃ】

【図３０Ｄ】

【図３１Ａ】

【図３１Ｂ】

【図３１Ｃ】

【図３１Ｄ】

【図３２Ａ】

【図３２Ｂ】

【図３２Ｃ】

【図３２Ｄ】

【図３２Ｅ】

【図３３Ａ】

【図３３Ｂ】

【図３３Ｃ】

【図３３Ｄ】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３４Ｃ】

【図３４Ｄ】

【図３５Ａ】

【図３５Ｂ】

【図３５Ｃ】

【図３５Ｄ】

【図３６Ａ】

【図３６Ｂ】

【図３６Ｃ】

【図３６Ｄ】

【図３６Ｅ】

【図３７Ａ】

【図３７Ｂ】

【図３７Ｃ】

【図３７Ｄ】

【図３７Ｅ】

【図３８Ａ】

【図３８Ｂ】

【図３８Ｃ】

【図３８Ｄ】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図４０】

【図４１Ａ】

【図４１Ｂ】

【図４１Ｃ】

【図４２Ａ】

【図４２Ｂ】

【図４２Ｃ】

【図４３Ａ】

【図４３Ｂ】

【図４３Ｃ】

【図４４Ａ】

【図４４Ｂ】

【図４４Ｃ】

【図４４Ｄ】

【図４４Ｅ】

【図４５Ａ】

【図４５Ｂ】

【図４５Ｃ】

【図４５Ｄ】

【図４６Ａ】

【図４６Ｂ】

【図４７】

【図４８】

【図４９Ａ】

【図４９Ｂ】

【図４９Ｃ】

【図５０】

【図５１】

【図５２Ａ】

【図５２Ｂ】

【図５３Ａ】

【図５３Ｂ】

【図５３Ｃ】

【図５３Ｄ】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【公開番号】特開２０１２−１９８５６２（Ｐ２０１２−１９８５６２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−１２４１７０（Ｐ２０１２−１２４１７０）
【出願日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【分割の表示】特願２０１０−５０７５２５（Ｐ２０１０−５０７５２５）の分割
【原出願日】平成２０年４月２８日（２００８．４．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
２．ＧＳＭ
【出願人】（５０８０９５３３７）クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Ｆターム（参考）】