【課題】透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂを有する画素１１が設けられるとともに、液晶５０を挟むように配置された基板２０および基板４０と、基板２０の透過領域１１ａに設けられ、液晶５０に映像信号を印加するための透過表示用画素電極１４ａおよび液晶５０に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極１５ａと、透過表示用画素電極１４ａへの映像信号の供給を制御する透過表示用画素トランジスタ１２ａおよび１３ａとを備え、透過表示用画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、平面的に見て、反射領域１１ｂに配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い逆構造トップエミッション型発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】金属基板上に配置されて光を生成する光発生領域及び光発生領域の周辺に配置された第１及び第２パッド部、光発生領域上に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを覆って金属基板上に配置され、薄膜トランジスタの一部と第１パッド部の一部及び第２パッド部の一部を各々露出するコンタクトホールを含む保護層、保護層上に形成され、コンタクトホールを通じて露出された薄膜トランジスタの一部と接触される第１及び第２導電パターン、光発生領域上に形成されて第２導電パターンと電気的に接続されるカソード電極、カソード電極上に配置された有機発光層、有機発光層上に配置され、透明な導電金属で形成されたアノード電極及び、第１及び第２パッド部を露出するコンタクトホールの各々に、第２導電パターンと同一の物質で形成された電極パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を気密に封止することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、アレイ基板の有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、アクティブエリアを囲む枠状に形成され、アレイ基板と封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、封止基板の有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、検出電極に接続されるとともにシール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、シール部材と交差する交差部の線幅がシール部材の幅より小さい配線と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を主とした透明導電膜、該透明導電膜の製造方法、および該透明導電膜を含むデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜１６は、基材１２上に成膜された、添加金属元素を含む金属酸化物の非晶質の前駆体膜１４に対し、高周波電界中で希ガスを主として含むガスのプラズマに暴露し、かつ還元条件下での改質処理を施すことにより得られる。
本発明では、非晶質の前駆体膜１４をプラズマに暴露させた後、還元雰囲気下でアニール処理を施すことによって還元条件下での改質処理を行うことができる。本発明では、上記金属酸化物は、チタンを主とする金属元素とし、ニオブを前記添加金属元素とする酸化物とすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチック基板の傷対策を施した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板１０と、第１基板１０と対向する、プラスチックからなる第２基板１６と、第１基板１０と第２基板１６との間に配置された液晶２６と、第２基板１６の、第１基板１０とは反対の表面に形成された、導電性ポリマー又は導電ペーストを含有する材料からなる光透過性の導電膜３２と、を有する。導電膜３２の、第２基板１６とは反対の表面は、光を散乱させる凹凸面３６である。 （もっと読む）

発光ダイオードディスプレイデバイスは、透明基板１０と、透明電極１２と基板との間で該基板上に配置される複数のチップレット２０であって、各チップレットは、光を放射するようにピクセル５を制御するための駆動回路部２６を含み、電荷を蓄積するための蓄積キャパシタを含み、駆動回路部の少なくとも一部を光で照明すると、キャパシタが電荷を漏出する、チップレットと、各チップレットの表面上に配置される駆動回路部とは別に存在する第１の光シールド３０Ａを形成し、駆動回路部上に配置され、該駆動回路部の少なくとも一部を照明から実質的に保護する接続パッド２４であって、該接続パッドは駆動回路に電気的に接続される、接続パッドと、駆動回路と基板との間の駆動回路下に配置され、駆動回路の少なくとも一部を照明から保護する第２の光シールドとを備える。
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【課題】本発明は、構造を簡素化した有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成されてチャンネル領域とソース領域とドレイン領域に区分される半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層のチャンネル領域上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記半導体層のソース領域及びドレイン領域に各々接続されるソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極から伸びて前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成される画素電極と、を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は透明な導電性物質で構成される第１導電膜と前記第１導電膜上に形成されて金属物質で構成される第２導電膜を含み、前記画素電極は前記第１導電膜だけで形成される。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの短縮化、及び歩留まり向上を図りつつ、高信頼性化を実現する反射型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法は、少なくとも層間絶縁膜４に開口部を形成する第１領域Ａ１、層間絶縁膜４が露出する第２領域Ａ２、及び有機平坦化膜５の表面に凹凸パターンを形成する第３領域Ａ３に応じて照射強度を調整することにより、有機平坦化膜５の表面に凹凸パターン、及び厚み方向に段差構造を有する第１有機膜パターン５Ｂを形成する工程と、第１領域Ａ１の層間絶縁膜４に開口部を形成する工程と、有機平坦化膜５の膜厚を減じることにより第２領域Ａ２の有機平坦化膜５を除去して第２有機膜パターン５Ｃを形成する工程と、ハーフトーン露光技術等により透明導電性薄膜３１と反射導電性薄膜３２を形成する工程を備える。第２領域として、少なくとも端子とその周辺領域５３、５４を含める。 （もっと読む）

【課題】例えば、蓄積容量の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることの両方を可能にする。
【解決手段】容量電極（７１）は、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極と共に、蓄積容量における一対の容量電極を構成している。容量電極（７１）は、画像表示領域の略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線（６）の上層側に延びている。データ線（６）及び走査線（１１）は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線（６）及び走査線（１１９によって区分けされている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置における画素の蓄積容量の容量値を容易に向上させる。
【解決手段】基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極に誘電体膜（７２）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）とを有する蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも下層側に形成された層間絶縁膜（１５）とを備え、層間絶縁膜における蓄積容量に面する側に凹凸形状部分（１５３）が形成されており、蓄積容量は凹凸形状部分に少なくとも部分的に重なる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の製造時における、蓄積容量を構成する誘電体膜の汚染を防止する。
【解決手段】基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極（９）及び容量電極（７１）に挟持される誘電体膜（７２）よりも下層側に配置された導電層（３５）と、少なくとも画素電極（９）及び誘電体膜（７２）を貫通して導電層（３５）の表面に至るように開孔されたコンタクトホール（３３ｂ）に重なるように島状に形成されており、画素電極（９）と導電層（３５）とを互いに電気的に接続する接続部材（９３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】 従来型のフォトリソグラフィーの工程を必要とせず、かつ、透明で十分な導電性を示す導電膜の厚膜を印刷法で実現する透明電極の製造方法、当該製造方法で得られる透明電極、用いる導電インキ、撥液性透明絶縁インキを提供する。
【解決手段】 樹脂、及び、シリコーン系又はフッ素系の界面活性剤を含有する撥液性透明絶縁インキを用いて、印刷法によりパターンを形成する工程、前記した撥液性透明絶縁インキの乾燥皮膜に対してはじき性を有する導電インキを全面に塗布し、該導電インキが、該撥液性透明絶縁インキの乾燥皮膜に、はじかれることにより、基板上の、該撥液性透明絶縁インキの乾燥皮膜が形成されていない部分に導電インキ層を形成する工程を有する透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高画質でかつ安価な反射型カラー表示素子であるエレクトロクロミック表示素子及び該エレクトロクロミック表示素子を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】対向基板１１上に少なくとも対向電極１２、反射層１３、エレクトロクロミック組成物を含む第１表示層１４、第１表示電極１５をこの順に積層した第１媒体１０と、表示基板２１上に少なくとも第２表示電極２２と前記第１表示層１４とは異なる色を発色するエレクトロクロミック組成物を含む第２表示層２３をこの順に積層した第２媒体２０と、を有し、第１媒体１０の第１表示電極１５側の主面と第２媒体２０の第２表示層２３側の主面を間隔をおいて向き合わせ、両媒体間に電解質３０が充填されたものとする。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機電界発光素子で、配線に形成される画素電極と共通電極の、直接的な接触による、二つの層間の界面特性が変化により、配線と共通電極との間の電流の流れが低下し、且つ素子の信頼性も低下することを防止する。
【解決手段】ガラス基板21の非発光領域に配線24dを形成し、前記基板の発光領域にトランジスタを形成する段階と、前記配線上に前記金属層31を形成する段階と、前記基板21、前記配線24d、そして前記トランジスタの上に絶縁膜27を形成して、前記配線24dが露出するように前記絶縁膜を選択的に取り除く段階と、前記発光領域での前記絶縁膜の上に画素電極30を形成する段階と、前記画素電極30の上に発光層35を形成する段階と、前記発光層及び前記配線の上に共通電極36を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）