有機ＥＬ表示装置
【課題】コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【解決手段】 反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、外部光の像の写り込みを防止するために、再帰性反射板を備えた有機ＥＬ表示素子が開示されている。再帰性反射板の一例として、コーナーキューブアレイや微小球からなる構成が開示されている。
【０００４】
しかしながら、このような再帰性反射板は、アルミニウム電極の下地として背面側基板との間に作りこむ必要がある。また、再帰性反射板の表面は、アルミニウム電極の下地となるため、高い平滑性が要求される。このため、製造プロセスが複雑となって、コストの増大を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルの概略断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む他の構成の表示パネルの概略断面図である。
【図４】図４は、トリプレットと、ビーズ含有層に含まれるビーズとの関係を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１３】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。
【００１４】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。
【００１５】
アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１６】
アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１７】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１８】
ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１９】
パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。
【００２０】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１１４によって被覆されている。また、有機絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような有機絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２２】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射電極ＰＥＲは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、２層構造に限らず、反射電極ＰＥＲ単層であっても良い。つまり、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを含んだ構成であれば良い。
【００２３】
有機絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、半透過電極によって構成されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。
【００２６】
対向電極ＣＥの上には、保護層１１５が配置されている。この保護層１１５は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物によって形成されている。このような保護層１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２７】
保護層１１５の上には、ビーズ含有層１２０が配置されている。このビーズ含有層１２０は、反射電極ＰＥＲに入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層として機能する。このようなビーズ含有層１２０は、例えば、樹脂層１２１にビーズ１２２を分散させて形成した層である。ビーズ１２２は、樹脂層１２１の中で密集した状態で配置され、しかも、ビーズ含有層１２０の厚さ方向に複数のビーズ１２２が積み重なることなく単層を形成するように配置されている。このビーズ１２２は、微小な直径の略球状体であり、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する材料によって形成されている。
【００２８】
封止基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。この封止基板２００は、ビーズ含有層１２０の上に配置されている。なお、封止基板２００は、外面２００Ｅ、すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合う面とは反対側の面に偏光板を備えていない。
【００２９】
このような本実施形態の構成によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光のうち、封止基板２００の側から出射される光が偏光板に吸収されることがないため、封止基板２００の外面２００Ｅに偏光板を備えた構成と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度を向上することができる。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光は、ビーズ含有層１２０のビーズ１２２を透過するため、ビーズ含有層１２０を配置したことによって観察者方向に出射される光量が著しく低減することはなく、輝度の低下は問題にならない。加えて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥの反射電極ＰＥＲと半透過電極である対向電極ＣＥとの間の厚さをナノオーダに調整することによってマイクロキャビティ効果が得られ、輝度の向上に加えて、色純度を向上することも可能となる。
【００３０】
また、本実施形態の構成によれば、封止基板２００の側から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに向かって入射した外部光は、反射電極ＰＥＲによって反射された後に、ビーズ含有層１２０により略入射方向に向けて出射される。つまり、外部光の正反射を抑制することができる。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが光を発生している発光状態において、外部光のうちの観察者方向に出射される正反射の光量を低減できるため、コントラストを向上することが可能となる。
【００３１】
図２に示した構成の表示パネル１と、比較例として図２に示した構成からビーズ含有層を省略した構成の表示パネルとを用意し、１００００ｌｘの外部光の下でコントラストを測定したところ、比較例の表示パネルのコントラストを１としたとき、図２に示した本実施形態の表示パネル１のコントラストは８となった。
【００３２】
さらに、本実施形態の構成によれば、ビーズ含有層１２０を配置したことにより、発光状態のみならず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが光を発生していない非発光状態において、外部光の像の写りこみを抑制することが可能となる。例えば、表示パネル１が黒を表示している際にも、外部光の像の映り込みが抑制されるため、良好な黒表示を実現できる。
【００３３】
本実施形態において、上述したビーズ含有層１２０は、保護層１１５及び封止基板２００に接着されている。例えば、樹脂層１２１にビーズ１２２を分散させたフィルム状のビーズ含有層１２０と保護層１１５との間、及び、ビーズ含有層１２０と封止基板２００との間にそれぞれ接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層１２０は、保護層１１５及び封止基板２００の双方に接着される。
【００３４】
このように、フィルム状のビーズ含有層１２０を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと封止基板２００との間に配置し、接着する手法によって、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られる。すなわち、簡素な製造プロセスによってビーズ含有層１２０を設置することができ、アレイ基板１００に再帰性反射板を作りこむ製造プロセスと比較して、プロセス負荷が小さく、コストの増大を抑制できる。
【００３５】
なお、上述した手法の他に、ビーズ１２２を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を保護層１１５の上に塗布し、この樹脂材料に封止基板２００を重ねた状態で樹脂材料を硬化させることにより、保護層１１５及び封止基板２００の双方に接着されたビーズ含有層１２０を形成することも可能である。
【００３６】
いずれの手法においても、ビーズ含有層１２０と対向電極ＣＥとの間には、保護層１１５が配置されているため、ビーズ含有層１２０あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接触しない。このため、ビーズ含有層１２０に含まれる樹脂層１２１や接着剤による有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。
【００３７】
ビーズ含有層１２０と反射電極ＰＥＲとの間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する透過電極ＰＥＴ、有機層ＯＲＧ、及び、対向電極ＣＥに加えて、保護層１１５が配置されている。厚さの一例として、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの透過電極ＰＥＴ、有機層ＯＲＧ、及び、対向電極ＣＥの総厚が０．１μｍ〜１．５μｍ程度、保護層１１５の厚さが５０ｎｍ程度、ビーズ含有層１２０を保護層１１５に接着する樹脂材料の厚さが１μｍ程度であるとすると、反射電極ＰＥＲからビーズ含有層１２０の下面までの距離は最大で２．５μｍ程度である。この反射電極−ビーズ含有層間の距離は、ビーズ１２２の直径の平均値が１５μｍ程度であるとすると、ビーズ１２２の直径に比して十分に小さい。このため、反射電極ＰＥＲとビーズ含有層１２０とが接触していなくとも、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果は得られる。
【００３８】
ビーズ含有層１２０に含まれるビーズ１２２は、単層を形成するように配置された場合に再帰性の効果がもっとも大きくなる。なお、ここで単層とは、ビーズ含有層１２０の厚さがビーズ１２２の直径の平均値の２倍未満である状態とする。
【００３９】
本実施形態においては、図２に示した例に限らず、対向電極ＣＥとビーズ含有層１２０との間の保護層１１５は省略しても良い。つまり、ビーズ含有層１２０は、対向電極ＣＥに接着されても良い。
【００４０】
ビーズ含有層１２０は、保護層１１５と完全に密着していなくてもよい。また、保護層を省略した場合には、ビーズ含有層１２０は、対向電極ＣＥと完全に密着していなくてもよい。つまり、ビーズ含有層１２０と保護層１１５との間、あるいは、ビーズ含有層１２０と対向電極ＣＥとの間の一部に空気層などの空間が介在していても、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られるが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光を効率よく封止基板２００の側から出射させるためには、空間が介在しないことが望ましい。
【００４１】
また、表示パネル１において、封止基板２００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル１に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。
【００４２】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【００４３】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む他の構成の表示パネル１の断面図である。なお、図２に示した構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４４】
図３に示した表示パネル１では、図２に示した表示パネル１と比較して、ビーズ含有層１２０が封止基板２００の外面２００Ｅに配置された点で相違する。アレイ基板１００は、絶縁基板１０１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、パッシベーション膜１１３、及び、有機絶縁膜１１４を備えている。スイッチングトランジスタＳＷは、アンダーコート層１１１とゲート絶縁膜１１２との間に配置されソース領域ＳＣＳ、チャネル領域ＳＣＣ、及び、ドレイン領域ＳＣＤを有する半導体層ＳＣ、ゲート絶縁膜１１２とパッシベーション膜１１３との間に配置されたゲート電極Ｇ、パッシベーション膜１１３と有機絶縁膜１１４との間に配置されたソース電極Ｓ及びドレイン電極をＤ備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機絶縁膜１１４の上に配置された反射電極ＰＥＲ及び反射電極ＰＥＲの上に配置された透過電極ＰＥＴを有する画素電極、画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧ、及び、有機層ＯＲＧの上に配置された半透過電極である対向電極ＣＥを備えている。対向電極ＣＥの上には、保護層１１５が配置されている。封止基板２００は、保護層１１５の上に配置されている。ビーズ含有層１２０は、封止基板２００の上に配置されている。
【００４５】
このような変形例の構成においても、図２に示した構成と同様の効果が得られる。
【００４６】
また、図３に示した変形例においては、ビーズ含有層１２０は、封止基板２００に接着されている。例えば、フィルム状のビーズ含有層１２０と封止基板２００との間に接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層１２０は、封止基板２００に接着される。また、ビーズ１２２を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を封止基板２００の上に塗布し、この樹脂材料を硬化させることにより、封止基板２００に接着されたビーズ含有層１２０を形成することも可能である。
【００４７】
このように、ビーズ含有層１２０と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間には、封止基板２００が介在するため、ビーズ含有層１２０を形成する過程で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがダメージを受けることはなく、ビーズ含有層１２０を形成する手法については特に制限が無い。また、ビーズ含有層１２０あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接触しないため、ビーズ含有層１２０に含まれる樹脂層１２１や接着剤による有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。
【００４８】
なお、対向電極ＣＥと封止基板２００との間の保護層１１５は省略しても良い。また、図３に示したように、封止基板２００は、保護層１１５と完全に密着していなくてもよい。また、保護層１１５を省略した場合には、封止基板２００は、対向電極ＣＥと完全に密着していなくても良い。つまり、封止基板２００と保護層１１５との間、あるいは、封止基板２００と対向電極ＣＥとの間の一部に空気層などの空間が介在していてもよい。なお、封止基板２００と保護層１１５との間、あるいは、封止基板２００と対向電極ＣＥとの間に空間が介在しないように、樹脂層が充填されても良い。
【００４９】
また、表示パネル１において、封止基板２００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル１に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。
【００５０】
次に、ビーズ含有層１２０が含有するビーズ１２２の直径と、画素サイズとの関係について説明する。
【００５１】
図４は、トリプレットＴと、ビーズ含有層１２０に含まれるビーズ１２２との関係を模式的に示す平面図である。トリプレットＴは、Ｘ方向及びＹ方向の長さが略同等の正方形状に形成されている。トリプレットＴは、赤色を表示する画素ＰＸ１、緑色を表示する画素ＰＸ２、及び、青色を表示する画素ＰＸ３によって構成されている。ここでは、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥあるいは反射電極ＰＥＲの寸法と実質的に同一であるものとする。
【００５２】
各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、それぞれＹ方向に延びた長方形状に形成されている。また、図４に示した例では、これらの各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、実質的に同一寸法であり、Ｘ方向に沿った短辺のそれぞれの長さ及びＹ方向に沿った長辺のそれぞれの長さは略同等である。
【００５３】
トリプレットＴの一辺の長さは、例えば１００μｍである。この場合、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の長辺の長さは１００μｍであり、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さは３０μｍ程度である。このようなトリプレットＴに対して、ビーズ含有層１２０のビーズ１２２の直径は、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さよりも小さい。たとえば、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３にかかるビーズ１２２の直径の平均値は、１０〜２０μｍ程度である。
【００５４】
このように、ビーズ１２２の直径が各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さよりも小さい場合には、外部光が略入射方向に出射される再帰性の効果が高く、外部光が入射時と出射時とで同色の画素を通過するため、色ズレや混色の発生を防止できる。
【００５５】
ビーズ１２２の直径は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが望ましい。ビーズ１２２の直径が１０μｍより小さい場合には、ビーズ１２２を同一平面内で均一に並べることが難しく、再帰性の効果が減少するおそれがある。また、ビーズ１２２の直径が１００μｍを超える場合には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光の出射が妨げられ、輝度の低下を招くおそれがある。さらに、封止基板２００と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間にカラーフィルタが介在する場合には、カラーフィルタと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間にビーズ含有層１２０を配置することによって、有機層ＯＲＧからカラーフィルタまでの距離が拡大し、視角方位で色ズレが発生するおそれがある。このため、ビーズ１２２の直径は１０〜１００μｍの範囲とすることが望ましい。
【００５６】
以上説明したように、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５７】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５８】
図４に示したトリプレットＴの長さについては、一辺の長さが１００μｍ、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の長辺の長さが１００μｍ、画素の短辺の長さが３０μｍの場合いついて説明したが、上記の例に限らない。
【００５９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【符号の説明】
【００６０】
１…表示パネル
１００…アレイ基板 ２００…封止基板 ３００…シール部材
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極 ＰＥＴ…透過電極）
ＣＥ…対向電極
ＯＲＧ…有機層
１１５…保護層
１２０…ビーズ含有層（再帰性層） １２１…樹脂層 １２２…ビーズ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、外部光の像の写り込みを防止するために、再帰性反射板を備えた有機ＥＬ表示素子が開示されている。再帰性反射板の一例として、コーナーキューブアレイや微小球からなる構成が開示されている。
【０００４】
しかしながら、このような再帰性反射板は、アルミニウム電極の下地として背面側基板との間に作りこむ必要がある。また、再帰性反射板の表面は、アルミニウム電極の下地となるため、高い平滑性が要求される。このため、製造プロセスが複雑となって、コストの増大を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルの概略断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む他の構成の表示パネルの概略断面図である。
【図４】図４は、トリプレットと、ビーズ含有層に含まれるビーズとの関係を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１３】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。
【００１４】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。
【００１５】
アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１６】
アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１７】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１８】
ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１９】
パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。
【００２０】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１１４によって被覆されている。また、有機絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような有機絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２２】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射電極ＰＥＲは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、２層構造に限らず、反射電極ＰＥＲ単層であっても良い。つまり、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを含んだ構成であれば良い。
【００２３】
有機絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、半透過電極によって構成されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。
【００２６】
対向電極ＣＥの上には、保護層１１５が配置されている。この保護層１１５は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物によって形成されている。このような保護層１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２７】
保護層１１５の上には、ビーズ含有層１２０が配置されている。このビーズ含有層１２０は、反射電極ＰＥＲに入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層として機能する。このようなビーズ含有層１２０は、例えば、樹脂層１２１にビーズ１２２を分散させて形成した層である。ビーズ１２２は、樹脂層１２１の中で密集した状態で配置され、しかも、ビーズ含有層１２０の厚さ方向に複数のビーズ１２２が積み重なることなく単層を形成するように配置されている。このビーズ１２２は、微小な直径の略球状体であり、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する材料によって形成されている。
【００２８】
封止基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。この封止基板２００は、ビーズ含有層１２０の上に配置されている。なお、封止基板２００は、外面２００Ｅ、すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合う面とは反対側の面に偏光板を備えていない。
【００２９】
このような本実施形態の構成によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光のうち、封止基板２００の側から出射される光が偏光板に吸収されることがないため、封止基板２００の外面２００Ｅに偏光板を備えた構成と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度を向上することができる。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光は、ビーズ含有層１２０のビーズ１２２を透過するため、ビーズ含有層１２０を配置したことによって観察者方向に出射される光量が著しく低減することはなく、輝度の低下は問題にならない。加えて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥの反射電極ＰＥＲと半透過電極である対向電極ＣＥとの間の厚さをナノオーダに調整することによってマイクロキャビティ効果が得られ、輝度の向上に加えて、色純度を向上することも可能となる。
【００３０】
また、本実施形態の構成によれば、封止基板２００の側から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに向かって入射した外部光は、反射電極ＰＥＲによって反射された後に、ビーズ含有層１２０により略入射方向に向けて出射される。つまり、外部光の正反射を抑制することができる。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが光を発生している発光状態において、外部光のうちの観察者方向に出射される正反射の光量を低減できるため、コントラストを向上することが可能となる。
【００３１】
図２に示した構成の表示パネル１と、比較例として図２に示した構成からビーズ含有層を省略した構成の表示パネルとを用意し、１００００ｌｘの外部光の下でコントラストを測定したところ、比較例の表示パネルのコントラストを１としたとき、図２に示した本実施形態の表示パネル１のコントラストは８となった。
【００３２】
さらに、本実施形態の構成によれば、ビーズ含有層１２０を配置したことにより、発光状態のみならず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが光を発生していない非発光状態において、外部光の像の写りこみを抑制することが可能となる。例えば、表示パネル１が黒を表示している際にも、外部光の像の映り込みが抑制されるため、良好な黒表示を実現できる。
【００３３】
本実施形態において、上述したビーズ含有層１２０は、保護層１１５及び封止基板２００に接着されている。例えば、樹脂層１２１にビーズ１２２を分散させたフィルム状のビーズ含有層１２０と保護層１１５との間、及び、ビーズ含有層１２０と封止基板２００との間にそれぞれ接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層１２０は、保護層１１５及び封止基板２００の双方に接着される。
【００３４】
このように、フィルム状のビーズ含有層１２０を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと封止基板２００との間に配置し、接着する手法によって、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られる。すなわち、簡素な製造プロセスによってビーズ含有層１２０を設置することができ、アレイ基板１００に再帰性反射板を作りこむ製造プロセスと比較して、プロセス負荷が小さく、コストの増大を抑制できる。
【００３５】
なお、上述した手法の他に、ビーズ１２２を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を保護層１１５の上に塗布し、この樹脂材料に封止基板２００を重ねた状態で樹脂材料を硬化させることにより、保護層１１５及び封止基板２００の双方に接着されたビーズ含有層１２０を形成することも可能である。
【００３６】
いずれの手法においても、ビーズ含有層１２０と対向電極ＣＥとの間には、保護層１１５が配置されているため、ビーズ含有層１２０あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接触しない。このため、ビーズ含有層１２０に含まれる樹脂層１２１や接着剤による有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。
【００３７】
ビーズ含有層１２０と反射電極ＰＥＲとの間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する透過電極ＰＥＴ、有機層ＯＲＧ、及び、対向電極ＣＥに加えて、保護層１１５が配置されている。厚さの一例として、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの透過電極ＰＥＴ、有機層ＯＲＧ、及び、対向電極ＣＥの総厚が０．１μｍ〜１．５μｍ程度、保護層１１５の厚さが５０ｎｍ程度、ビーズ含有層１２０を保護層１１５に接着する樹脂材料の厚さが１μｍ程度であるとすると、反射電極ＰＥＲからビーズ含有層１２０の下面までの距離は最大で２．５μｍ程度である。この反射電極−ビーズ含有層間の距離は、ビーズ１２２の直径の平均値が１５μｍ程度であるとすると、ビーズ１２２の直径に比して十分に小さい。このため、反射電極ＰＥＲとビーズ含有層１２０とが接触していなくとも、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果は得られる。
【００３８】
ビーズ含有層１２０に含まれるビーズ１２２は、単層を形成するように配置された場合に再帰性の効果がもっとも大きくなる。なお、ここで単層とは、ビーズ含有層１２０の厚さがビーズ１２２の直径の平均値の２倍未満である状態とする。
【００３９】
本実施形態においては、図２に示した例に限らず、対向電極ＣＥとビーズ含有層１２０との間の保護層１１５は省略しても良い。つまり、ビーズ含有層１２０は、対向電極ＣＥに接着されても良い。
【００４０】
ビーズ含有層１２０は、保護層１１５と完全に密着していなくてもよい。また、保護層を省略した場合には、ビーズ含有層１２０は、対向電極ＣＥと完全に密着していなくてもよい。つまり、ビーズ含有層１２０と保護層１１５との間、あるいは、ビーズ含有層１２０と対向電極ＣＥとの間の一部に空気層などの空間が介在していても、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られるが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光を効率よく封止基板２００の側から出射させるためには、空間が介在しないことが望ましい。
【００４１】
また、表示パネル１において、封止基板２００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル１に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。
【００４２】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【００４３】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む他の構成の表示パネル１の断面図である。なお、図２に示した構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４４】
図３に示した表示パネル１では、図２に示した表示パネル１と比較して、ビーズ含有層１２０が封止基板２００の外面２００Ｅに配置された点で相違する。アレイ基板１００は、絶縁基板１０１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、パッシベーション膜１１３、及び、有機絶縁膜１１４を備えている。スイッチングトランジスタＳＷは、アンダーコート層１１１とゲート絶縁膜１１２との間に配置されソース領域ＳＣＳ、チャネル領域ＳＣＣ、及び、ドレイン領域ＳＣＤを有する半導体層ＳＣ、ゲート絶縁膜１１２とパッシベーション膜１１３との間に配置されたゲート電極Ｇ、パッシベーション膜１１３と有機絶縁膜１１４との間に配置されたソース電極Ｓ及びドレイン電極をＤ備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機絶縁膜１１４の上に配置された反射電極ＰＥＲ及び反射電極ＰＥＲの上に配置された透過電極ＰＥＴを有する画素電極、画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧ、及び、有機層ＯＲＧの上に配置された半透過電極である対向電極ＣＥを備えている。対向電極ＣＥの上には、保護層１１５が配置されている。封止基板２００は、保護層１１５の上に配置されている。ビーズ含有層１２０は、封止基板２００の上に配置されている。
【００４５】
このような変形例の構成においても、図２に示した構成と同様の効果が得られる。
【００４６】
また、図３に示した変形例においては、ビーズ含有層１２０は、封止基板２００に接着されている。例えば、フィルム状のビーズ含有層１２０と封止基板２００との間に接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層１２０は、封止基板２００に接着される。また、ビーズ１２２を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を封止基板２００の上に塗布し、この樹脂材料を硬化させることにより、封止基板２００に接着されたビーズ含有層１２０を形成することも可能である。
【００４７】
このように、ビーズ含有層１２０と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間には、封止基板２００が介在するため、ビーズ含有層１２０を形成する過程で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがダメージを受けることはなく、ビーズ含有層１２０を形成する手法については特に制限が無い。また、ビーズ含有層１２０あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接触しないため、ビーズ含有層１２０に含まれる樹脂層１２１や接着剤による有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。
【００４８】
なお、対向電極ＣＥと封止基板２００との間の保護層１１５は省略しても良い。また、図３に示したように、封止基板２００は、保護層１１５と完全に密着していなくてもよい。また、保護層１１５を省略した場合には、封止基板２００は、対向電極ＣＥと完全に密着していなくても良い。つまり、封止基板２００と保護層１１５との間、あるいは、封止基板２００と対向電極ＣＥとの間の一部に空気層などの空間が介在していてもよい。なお、封止基板２００と保護層１１５との間、あるいは、封止基板２００と対向電極ＣＥとの間に空間が介在しないように、樹脂層が充填されても良い。
【００４９】
また、表示パネル１において、封止基板２００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル１に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。
【００５０】
次に、ビーズ含有層１２０が含有するビーズ１２２の直径と、画素サイズとの関係について説明する。
【００５１】
図４は、トリプレットＴと、ビーズ含有層１２０に含まれるビーズ１２２との関係を模式的に示す平面図である。トリプレットＴは、Ｘ方向及びＹ方向の長さが略同等の正方形状に形成されている。トリプレットＴは、赤色を表示する画素ＰＸ１、緑色を表示する画素ＰＸ２、及び、青色を表示する画素ＰＸ３によって構成されている。ここでは、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥあるいは反射電極ＰＥＲの寸法と実質的に同一であるものとする。
【００５２】
各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、それぞれＹ方向に延びた長方形状に形成されている。また、図４に示した例では、これらの各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、実質的に同一寸法であり、Ｘ方向に沿った短辺のそれぞれの長さ及びＹ方向に沿った長辺のそれぞれの長さは略同等である。
【００５３】
トリプレットＴの一辺の長さは、例えば１００μｍである。この場合、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の長辺の長さは１００μｍであり、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さは３０μｍ程度である。このようなトリプレットＴに対して、ビーズ含有層１２０のビーズ１２２の直径は、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さよりも小さい。たとえば、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３にかかるビーズ１２２の直径の平均値は、１０〜２０μｍ程度である。
【００５４】
このように、ビーズ１２２の直径が各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の短辺の長さよりも小さい場合には、外部光が略入射方向に出射される再帰性の効果が高く、外部光が入射時と出射時とで同色の画素を通過するため、色ズレや混色の発生を防止できる。
【００５５】
ビーズ１２２の直径は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが望ましい。ビーズ１２２の直径が１０μｍより小さい場合には、ビーズ１２２を同一平面内で均一に並べることが難しく、再帰性の効果が減少するおそれがある。また、ビーズ１２２の直径が１００μｍを超える場合には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発生した光の出射が妨げられ、輝度の低下を招くおそれがある。さらに、封止基板２００と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間にカラーフィルタが介在する場合には、カラーフィルタと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間にビーズ含有層１２０を配置することによって、有機層ＯＲＧからカラーフィルタまでの距離が拡大し、視角方位で色ズレが発生するおそれがある。このため、ビーズ１２２の直径は１０〜１００μｍの範囲とすることが望ましい。
【００５６】
以上説明したように、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５７】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５８】
図４に示したトリプレットＴの長さについては、一辺の長さが１００μｍ、各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の長辺の長さが１００μｍ、画素の短辺の長さが３０μｍの場合いついて説明したが、上記の例に限らない。
【００５９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【符号の説明】
【００６０】
１…表示パネル
１００…アレイ基板 ２００…封止基板 ３００…シール部材
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極 ＰＥＴ…透過電極）
ＣＥ…対向電極
ＯＲＧ…有機層
１１５…保護層
１２０…ビーズ含有層（再帰性層） １２１…樹脂層 １２２…ビーズ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された保護層と、
前記ビーズ含有層の上に配置された封止基板と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された封止基板を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ビーズ含有層のビーズの直径は、前記反射電極の短辺の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された保護層と、
前記ビーズ含有層の上に配置された封止基板と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された封止基板を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ビーズ含有層のビーズの直径は、前記反射電極の短辺の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１０−１８６６９３（Ｐ２０１０−１８６６９３Ａ）
【公開日】平成２２年８月２６日（２０１０．８．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−３１４０２（Ｐ２００９−３１４０２）
【出願日】平成２１年２月１３日（２００９．２．１３）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月２６日（２０１０．８．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１３日（２００９．２．１３）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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