【課題】例えば、蓄積容量の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることの両方を可能にする。
【解決手段】容量電極（７１）は、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極と共に、蓄積容量における一対の容量電極を構成している。容量電極（７１）は、画像表示領域の略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線（６）の上層側に延びている。データ線（６）及び走査線（１１）は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線（６）及び走査線（１１９によって区分けされている。 （もっと読む）

【課題】補助容量の容量を減少させることなく遮光性のある補助容量線の面積を縮小し、開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。補助容量線と画素電極との間に形成される補助容量に加え、ソース領域と補助容量線との間で形成される容量分だけ総補助容量を増加させることが可能となるため、その分だけ補助容量線の面積を縮小することができ、開口率が向上する。 （もっと読む）

【課題】エッチング量の変動に伴う画素特性への影響を抑制することが可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】流れる電流量に基づいて発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流量を調整する駆動トランジスタＴ_dと、前記駆動トランジスタＴ_dに印加する電位に応じた電荷が蓄積される保持容量Ｃ_sとを備え、前記保持容量Ｃ_sを構成する一対の電極のうち、一方の電極は平面視して切り込みが形成されている。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることができる画像表示装置を提供すること。
【解決手段】発光素子１０と、発光素子１０の一端に電気的に接続されるドライバ素子１２と、ドライバ素子１２に接続される静電容量１５と、を有する画素を複数備え、１画素の面積Ｓ_１に対する１画素あたりに占めるドライバ素子１２の面積Ｓ_２の割合（Ｓ_２／Ｓ_１）、および／または１画素の面積Ｓ_１に対する１画素あたりに占める容量素子の面積Ｓ_３の割合（Ｓ_３／Ｓ_１）が０．０５以上とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置における画素の蓄積容量の容量値を容易に向上させる。
【解決手段】基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極に誘電体膜（７２）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）とを有する蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも下層側に形成された層間絶縁膜（１５）とを備え、層間絶縁膜における蓄積容量に面する側に凹凸形状部分（１５３）が形成されており、蓄積容量は凹凸形状部分に少なくとも部分的に重なる。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置における光抜けを低減する。
【解決手段】開口領域（１０ｂ）の角部（Ｃ１）は、データ線（６）及び走査線（１１）が相互に交差する交差領域において、曲線部分に規定されることがない。即ち、開口領域（１０ｂ）の角部（Ｃ１）は、光が透過可能な開口領域（１０ｂ）に入射する光の偏光方向に各々沿った方向に延びる縁（１０ｂｘ）及び（１０ｂｙ）のみによって規定されている。したがって、液晶装置１によれば、開口領域（１０ｂ）を透過する光、或いは透過した光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる偏光方向に偏光されることを低減できるため、液晶装置（１）が黒表示をする際に発生する光抜けを低減することができ、液晶装置１が画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】電源線の抵抗を抑制しながら各要素を電源線と同層から形成する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと素子導通部７１と初期化トランジスタＴintと接続部６１とが配置される。駆動トランジスタＴdrは、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。素子導通部７１は、駆動トランジスタＴdrと発光素子Ｅとを電気的に接続する。初期化トランジスタＴintは、オン状態に遷移することで駆動トランジスタＴdrをダイオード接続する。接続部６１は、駆動トランジスタＴdrと初期化トランジスタＴintとを電気的に接続する。電源線１５はＸ方向に延在する。素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する回路において、当該画素の補助容量の電極と隣接画素のアノード電極との間の寄生容量の形成を回避し、容量カップリングによる輝度低下を防止すること。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ素子のアノード電極と駆動トランジスタ１Ｂのソース電極とが接続され、駆動トランジスタ１Ｂのゲート電極と書き込みトランジスタ１Ａのソース電極またはドレイン電極とが接続され、駆動トランジスタ１Ｂのゲート−ソース電極間に保持容量１Ｃが接続され、有機ＥＬ素子のアノード電極とカソード電極との間に補助容量１Ｊが接続される回路構成を含む画素が基板上に行列状に配置された画素アレイ部を備え、隣接する画素のうち一方の画素から他方の画素の領域へ一方の画素の補助容量１Ｊが入り込む構成で、補助容量１Ｊの有機ＥＬ素子側に配置される電極が有機ＥＬ素子のカソード電極と導通している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】例えば、複数のデータ線間に発生する結合容量、或いは複数のデータ線相互の電気抵抗のばらつきを低減するためにデータ線に電気的に接続された容量素子が静電破壊されることを低減する。
【解決手段】ＴＦＴ３１は、当該液晶パネル１００の非動作時において、ソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間が非導通状態に設定されているように動作する。より具体的には、ソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間の導通及び非導通は、ゲート３１Ｇに対する電源ＶＤＤあるいはＶＳＳの供給及び非供給に応じて相互に切り換えられる。液晶パネル１００の非動作時において、容量素子３２及びデータ線部１１４Ａ間の電気的な接続が遮断される。液晶パネル１００の動作時には、ＴＦＴ３１のソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間の非導通状態から導通状態に切り替えられているため、データ線１１４Ａ及び容量素子３２は相互に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】空間周波数の高い映像を鮮明に表示することを可能とするアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本アクティブマトリクス基板は、第１副画素電極と第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に、該画素内の第１および第２副画素電極を異なる実効電位にすることで第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板であって、１つの画素領域に、第１副画素電極とこれを取り囲む第２副画素電極とを備え、第１または第２副画素電極に接続された配線、トランジスタを介して第１または第２副画素電極に接続された走査信号線、第１または第２副画素電極と容量を形成する保持容量配線のいずれかの一部が、第１および第２の副画素電極の境界部分と重畳している。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】補助容量を２つの画素間に跨って形成するに当たり、２つの画素の各有機ＥＬ素子のアノード電極間に寄生容量が発生しないようにする。
【解決手段】同一画素行上で隣り合う２つの画素に跨って補助容量２５を形成する画素レイアウト構造において、補助容量２５を形成する第１の金属層３０２を有機ＥＬ素子２１Ｂのアノード電極３０７Ｂと電気的に接続する。また、補助容量２５を形成する第２の金属層３０４についてはその電位を固定電位とする。これにより、２つの画素のアノード電極３０７Ｂ，３０７Ｒ間に寄生容量Ｃｘが発生しないようにする。 （もっと読む）

【課題】より良好な表示性能を発揮し得る表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、基板１１１上に、駆動トランジスタおよび書込トランジスタを含む画素駆動回路形成層１１２と、基板１１１の側から第１電極層１３、発光層を含む有機層１４、および第２電極層１６が各々順に積層されてなる複数の有機発光素子１０とを備える。有機層１４および第１電極層１３は、開口規定絶縁膜２４によって有機発光素子１０ごとに分離されている。開口規定絶縁膜２４は、比較的低い屈折率を示す低屈折率層と、比較的高い屈折率を示す高屈折率層とが交互に２回繰り返して積層された４層構造を有する。これにより、有機層１４から射出されて第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射した光のうち開口規定絶縁膜２４に洩れた成分光は、開口規定絶縁膜２４において反射されて減衰し、あるいは外部へ洩れずに有機層１４へ戻ることとなる。 （もっと読む）

【課題】容量素子の容量を確保しながらも、発光素子間の輝度ムラが防止された表示特性の良好な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒ２と容量素子Ｃｓとを設けた画素回路を、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１４ｂの線幅方向に配列した薄膜トランジスタ基板１ａを備えてた表示装置である。薄膜トランジスタＴｒ２は、ゲート電極１４ｂ上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜３２Ａを設けて構成されたものである。特にゲート電極１４ｂは、所定線幅にパターニングされている。容量素子Ｃｓは、ゲート電極１４ｂから延設された下部電極２１ｃ上にゲート絶縁膜を介して上部電極２２ｃを設けて構成されたものである。そして特に、下部電極２１ｃは、ゲート電極１４ｂの線幅方向に隣接させた状態でゲート電極１４ｂに対して離間して配置されている。また上部電極２２ｃは、ソース電極２２ｓまたはドレイン電極２２ｄと同一層を用いた連続的パターンとして設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性の高い蓄積容量を形成し、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、下側電極（７１）、誘電体膜（７２）、及び上側電極（９）が下層側から順に積層されてなる蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも第１層間絶縁膜（１５）を介して下層側に配置された導電層（７、３０ａ）とを備える。上側電極は、誘電体膜に面する第１電極層（９ａ）と、１電極層よりも上層側に形成され、第１電極層、誘電体膜及び第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホール（３３）を介して導電層に電気的に接続された第２電極層（９ｂ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】補助容量が２つの画素間に跨って形成される画素レイアウトにおいて、レーザーアニールによるＴＦＴ特性を一定にすることで、画質不良の発生を抑えるようにする。
【解決手段】Ｂ画素用の補助容量２５Ｂが水平方向において隣接する２つの画素間に跨って形成される画素レイアウト構造において、レーザーアニールによるＴＦＴ特性を一定にするために、補助容量２５Ｂが形成されないＲ，Ｇの画素間の領域、即ち補助容量２５Ｂと対応する部位に島状の金属パターン２６をダミーパターンとして形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の滅点欠陥、輝点欠陥又は配線の断線等による表示欠陥を余分な工程を追加することなくリペアするとともに、リペアによって開口率の低下及び長期的信頼性が失われることのないようなリペア方法を提供する。
【解決手段】走査線又は信号線の上に、あらかじめこれらの配線と導通するリペア電極を形成しておき、欠陥を発見した場合には、これらのリペア電極から画素電極又は他のリペア電極に導電性の接続パターンを形成することにより、表示欠陥をリペアする。リペア電極はＴＦＴの製造工程のなかで形成でき、接続パターンとともにブラックマトリックスの下に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表示部の開口率の低減を回避し、画像データに対する色再現性を向上させるとともに、充分な解像度を有するセンサ部を備えたセンサ部内蔵画像表示装置の提供。
【解決手段】画像表示エリアに、画素およびセンサ部のそれぞれがマトリクス状に配置されたセンサ部内蔵画像表示装置であって、
それぞれの前記画素は、一方向に並設されて、カラーフィルタあるいは単色発光素子によって各色を表示する第１、第２、・・・、第Ｎ（Ｎは3以上の整数値）の副画素からなるカラー用単位画素を構成し、
前記カラー用単位画素において、前記第１、第２、・・・、第Ｎの副画素のうちいずれかの副画素であって前記副画素の形成領域の一部にセンサ部が形成され、
前記センサ部の形成領域には、色表示のための前記カラーフィルタあるいは前記単色発光素子の形成が回避され、
前記一方向に隣接するカラー用単位画素にそれぞれ配置される前記センサ部は、色表示の異なる副画素内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタのゲートと有機ＥＬ素子のカソードとが画素内で電気的にショートしにくい配線構造を採用し、欠陥画素や線状の欠陥が発生しないようにすること。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ素子１Ｄ、書き込みトランジスタ１Ａ、駆動トランジスタ１Ｂ、保持容量１Ｃ、補助容量１Ｊを備える画素が行列状に配置される構成において、保持容量１Ｃと補助容量とが隣接して配置され、保持容量１Ｃの駆動トランジスタ１Ｂのゲート電極と導通する配線と、補助容量１Ｊの有機ＥＬ素子１Ｄのカソードと導通する配線とが異なる層に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】遮蔽膜とコモン線とを接続しないで良質な画像表示を行うことができるアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、遮蔽膜とが設けられた基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、遮蔽膜はフローティングになっており、画素電極と前記遮蔽膜との間に第１の誘電体を有し、遮蔽膜と前記コモン線との間に第２の誘電体を有する。 （もっと読む）