【課題】 表示パネルに配設されたデータラインに寄生する容量成分に起因する表示データの書込不足を抑制して、適正な輝度階調で発光素子を発光動作させ、表示画質の改善を図ることができる表示装置及びその駆動制御方法を提供する。
【解決手段】 表示装置１００Ａは、複数の表示画素ＥＭが２次元配列された表示パネル１１０と、各走査ラインＳＬに走査信号Ｖselを印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ１２０と、各データラインＤＬへ表示データに応じた階調電流Ｉpixを供給するデータドライバ１３０と、階調電流Ｉpixの供給に先立つタイミングで、プリチャージ電圧Ｖpcgを各データラインＤＬに印加するプリチャージ回路１４０と、プリチャージ電圧Ｖpcgの印加に先立つタイミングで、リセット電圧Ｖrstを各表示画素ＥＭに印加するリセット回路１５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲートバスライン間のリーク検査を、簡易ながら、省スペースで行うことのできる表示パネルおよび表示装置ならびに表示パネルの検査方法を実現する。
【解決手段】補助容量配線（ＣＳＬｅ、ＣＳＬｏ）は同じゲートバスライン（ＧＬｅ、ＧＬｏ）に接続された複数の絵素（ＰＩＸｅ、ＰＩＸｏ）からなる絵素行ごとに対応して設けられており、上記補助容量配線（ＣＳＬｅ、ＣＳＬｏ）が、短絡配線（ＳＳｅ、ＳＳｏ）によって互いに短絡された複数の上記補助容量配線（ＣＳＬｅ、ＣＳＬｏ）からなる複数の補助容量配線群に分割されており、各短絡配線（ＳＳｅ、ＳＳｏ）どうしは互いに電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の低下を抑えつつ、補助容量電極と層間絶縁膜との間にカバレッジ不良を生じさせないことにより、表示品位の低下を抑えることのできる液晶表示装置を実現する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１００は、マトリクス状に配された複数の画素電極１１３と、各画素電極１１３に対向する位置に層間絶縁膜１１２を介して形成された補助容量電極１１４とによって、それぞれの画素領域に補助容量を作成するアクティブマトリクス基板であって、上記補助容量電極１１４は、上記層間絶縁膜１１２と接触する面に凹部が無く、且つ、該層間絶縁膜１１２に向かって突起した突起部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 画像表示システムとその製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を微結晶化するトランジスタを有する装置において、周辺金属に影響を及ぼさないようにしつつ、トランジスタの特性を十分に確保できるようにすること。
【解決手段】本発明は、複数の画素部３０を備える表示領域１０と、表示領域１０の画素部３０に対応して設けられ、複数の駆動トランジスタ３１ａが表示領域１０の表示面に沿って並列に配置されてなる駆動部３１とを有する表示装置１である。また、駆動トランジスタ３１ａのチャネル領域を形成するにあたり、複数の駆動トランジスタ３１ａの並列となる方向に沿って固体レーザ光を走査して照射する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を使用する表示装置において、電源供給線の電圧降下に起因するシェーディングやクロストークを抑制する。
【解決手段】各画素回路Ｐは、駆動トランジスタ１２１のドレインを引出し配線１２１DLを介して電源供給線１０５DSL に接続する。同一発光輝度条件下では、各駆動トランジスタ１２１のドレイン電位が同一となるように、引出し配線１２１DLの長さおよび幅の少なくとも一方を電源供給線１０５DSL の長手方向に沿って調整されたレイアウトにする。たとえば、駆動走査部１０５側では、細くかつ長くして高抵抗にし、遠ざかるほど、太くかつ短くすることで低抵抗にする。 （もっと読む）

【課題】静電容量結合により信号を送受信する通信方式を採用する画像表示装置において多チャンネル化に伴う額縁の増大を最小限に抑える。
【解決手段】第１基板は、第１電圧レベルの電圧が供給される平板状の第１電源配線と、前記第１電圧レベルとは電圧レベルが異なる第２電圧レベルの電圧が供給される平板状の第２電源配線と、前記第１電源配線および前記第２電源配線に接続される半導体素子と、静電誘導によって信号を送受信するため平板状の第１電極群とを有し、第２基板は、静電誘導によって信号を送受信するための平板状の第２電極群と、前記信号の基準電圧が供給される平板状の共通電極とを有し、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせた状態において、前記第２電極群には、前記第１電極群が重なり、前記共通電極には、前記第１電源配線あるいは前記第２電源配線が重なる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタパネルの製造工程数を少なくする。
【解決手段】走査ライン５と静電保護リング１２とは、電極４１、４２を有する静電保護素子１３および接続配線４３を介して接続されている。そして、静電保護素子１３を含むゲート絶縁膜２２の上面に層間絶縁膜２９を形成した後に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール４４、４５、４６を形成する。次に、特に、層間絶縁膜２９の上面に接続配線４３をコンタクトホール４４、４５を介して走査ライン５および一方の電極４１に接続させて形成する。この場合、層間絶縁膜２９およびゲート絶縁膜２２に連続してコンタクトホール４４を形成することにより、コンタクトホール形成工程を１回減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置を製造する際の歩留まりを改善する。
【解決手段】第１層間絶膜（４１）の表面、穴部（８３ａ）の壁面、及び、穴部（８３ａ）に露出したドレイン領域（１ｄ）の表面に沿って導電膜を形成することによって、下部容量電極（７１）及びドレイン領域（１ｄ）を相互に電気的に接続するコンタクトホール（８３）を部分領域（７２ｃ）に形成する。これにより、導電膜（３ａ２−１）に阻害されることなく、ドレイン領域（１ｄ）及び下部容量電極（７１）を電気的に相互に接続することが可能である。その後、下部容量電極（７１）の上層部分を順次形成してなるＴＦＴアレイ基板（１０）と、対向基板（２０）とを液晶層（５０）を介して貼り合せることによって、液晶装置（１）を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画像表示装置、欠陥検出方法及び短絡事故の修復方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、短絡事故の検出精度を従来に比して向上する。
【解決手段】本発明は、交差する部位を除いて、信号線ＤＴＬ及び走査線ＤＳＬの配線パターンを同一層に作成するようにして、交差する部位の上層側及び下層側の配線パターンＤＳＬ及びＤＴＬにそれぞれスリットＳＬ１及び開口ＳＬ２を作成する。 （もっと読む）

1つの実施形態は、反射型光変調器などの画像の一部分を表示するように構成されている光変調器と、その画像の一部分を表示するように構成されている発光体と、光変調器および発光体のうちの少なくとも1つに、その画像の一部分を示す信号を選択的に与えるように構成されている回路とを備えるディスプレイを含む。1つのこのような実施形態においては、アクティブマトリックスが、このようなデバイスに単純な、効率的な駆動をもたらす。他の実施形態は、このようなデバイスを形成し、駆動する方法を含む。
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【課題】 受光素子を表示パネル内の形成する表示パネルにおいて、受光範囲を広くし、
且つ、製造工程数の増加を回避する。
【解決手段】 輝度制御が行われる複数のサブ画素を有し、前記サブ画素は、印加された
電圧に応じて輝度を変更する第１ＴＦＴと、外光を受光する第２ＴＦＴと、該第２ＴＦＴ
の受光量に応じた電荷を蓄積する電荷蓄積部と、該電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じ
た電圧を出力する第３ＴＦＴとが形成されたＴＦＴ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】保持キャパシタの占有面積を小さくし、単位面積あたりの容量値を大きくする。
【解決手段】当該自発光型表示装置（例えば、有機ＥＬディスプレイ１）は、複数の画素のそれぞれにおいて、駆動トランジスタＭｄ、保持キャパシタＣｓおよび発光素子（例えば有機発光ダイオードＯＬＥＤ）が、それぞれ複数設けられている。複数の保持キャパシタ（例えばＣ１,Ｃ２）が、下部電極としての第１導電層１１Ｆ１,１１Ｆ２と、第１絶縁層（ゲート絶縁膜１０）と、上部電極としての第２導電層１４Ｆ１,１４Ｆ２とをこの順に積層してなる第１キャパシタＣｓ１１,Ｃｓ２１と、第２導電層１４Ｆ１,１４Ｆ２を下部電極として、第２電極層上に、第２絶縁層（ＴＦＴ保護膜１９および平坦化膜２０）と、上部電極層としての第３導電層（例えばアノード電極ＡＥａ,ＡＥｂ）とをこの順に積層してなる第２キャパシタＣｓ１２,Ｃｓ２２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
画素構造内に追加の駆動薄膜トランジスタを増加し、バイアス電圧を印加することでゲート誘電体層内に入る電子を戻し、しきい値電圧のシフトを防止する画像表示システムを提供する。
【解決手段】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、画素領域を含むアレイ基板、前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、及び前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタを含み、同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが前記第１電圧と異なる第２電圧に接続される画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 第一制御エリアと第二制御エリアを含む基板、前記第一制御エリア上に位置するポリシリコンアクティブ層、前記ポリシリコンアクティブ層内に位置する第一型ソース／ドレインエリア、前記ポリシリコンアクティブ層上に位置し、第一ゲート誘電体層とする第一誘電体層、前記ポリシリコンアクティブ層と前記第二制御エリア上にそれぞれ位置し、前記第一型ソース／ドレインエリアと第一型薄膜トランジスタを構成し、スイッチ素子とする第一ゲートと第二ゲート、前記第一ゲートと前記第二ゲート上に位置し、第二ゲート誘電体層とする第二誘電体層、前記第二ゲートの上に位置する微結晶シリコンアクティブ層、及び前記微結晶シリコンアクティブ層内に位置し、前記第二ゲートと第二型薄膜トランジスタを構成し、駆動素子とする前記第二型ソース／ドレインエリアを含む有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】高速動作と高開口率とを両立可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ｍ本の走査線と、ｎ本のデータ線と、走査線とデータ線との各交点に対応して設けられた複数のトランジスタ(100)と、各々が何れかのトランジスタと接続された複数の電気光学素子と、ｍ本の共通電位線(42)と、を備える。各トランジスタは、島状の半導体膜(16)と各トランジスタに個別に設けられたゲート電極膜(24)とを有する。各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。共通電位線(42)は、ゲート補助配線膜と重畳し、当該ゲート補助配線膜よりも上層側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】表示品位に優れたアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型表示装置は、基板と、複数の映像信号線ＶＬと、各映像信号線に接続された複数の画素ＰＸと、一定の電位に設定される複数の保護配線と、を備えている。各画素ＰＸは、第１電源端子と、第２電源端子と、表示素子と、駆動トランジスタＤＲと、駆動トランジスタのゲートに接続された保持容量Ｃと、を有している。各保護配線は、各映像信号線ＶＬ及び各保持容量Ｃ間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有するアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるアクティブマトリックス基板は、ＴＦＴ１０８を有するＴＦＴアレイ基板１００である。ＴＦＴ１０８のゲートと電気的に接続されたゲート信号線１０９と、ゲート信号線１０９上に形成された第１絶縁膜３と、第１絶縁膜３上に形成され、共通電位が供給される補助容量電極４と、補助容量電極４上に形成された第２絶縁膜５と、第２絶縁膜５上に形成され、ＴＦＴ１０８のソースと電気的に接続されたソース信号線１１０と、ソース信号線１１０上に形成された第３絶縁膜１１と、第３絶縁膜１１上に、補助容量電極４の一部と重なるように形成された画素電極１３とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、表示素子に電流を供給するトランジスタの特性が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、表示装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給するためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲートに所望の電位が印加される。ここで、ダイオード接続したトランジスタにおいて、そのソース・ドレイン間には、トランジスタのしきい値電圧に応じた電位差を取得する。その結果、駆動用トランジスタのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧に応じた電位差のオフセットをかけた電位を印加することができる。 （もっと読む）