【課題】画像品質が良く、信頼性の高い高性能なＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に画素部を有し、画素部を構成する画素は、スイッチング用ＴＦＴ、電流制御用ＴＦＴ、ＥＬ素子及び保持容量を有するＥＬ表示装置であって、電流制御用ＴＦＴは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の領域に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、を有し、電流制御用ＴＦＴは、ソース領域が電流供給線に電気的に接続され、ドレイン領域がＥＬ素子の画素電極に電気的に接続され、ゲート電極がスイッチング用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、保持容量は、第２の領域に設けられた半導体膜とゲート電極と電流供給線とが重なる領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】データドライバをトランジスタの特性に影響を受けにくい構成とする。
【解決手段】複数のカップリング容量７が、少なくとも２つの設定電位に設定されるデータイネーブルラインに接続される。複数ビットの表示データに応じてオンオフがそれぞれ制御される複数のビットトランジスタ６が、複数のカップリング容量とデータイネーブルラインの接続関係を制御して、前記複数のカップリング容量の合計容量を制御する。データイネーブルラインに設定される２つの設定電圧の差に応じて、前記カップリング容量の合計容量に蓄積される電圧に応じて、表示素子が動作する。これによって、各画素について、複数ビットの表示データによって表示が制御される。 （もっと読む）

【課題】液晶ライトバルブ等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を抑制することによって、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、データ線（６）と、第１チャネル領域（３０ａ２）、第１ドレイン領域（３０ａ３）、及びデータ線に接続された第１ソース領域（３０ａ１）を有する第１半導体層（３０ａ）、並びに第１ゲート電極（３０ｂ）を有する第１トランジスタ（３０）と、第２チャネル領域（３１ａ２）、第２ドレイン領域（３１ａ３）、及び第１ドレイン領域に接続された第２ソース領域（３１ａ１）を有する第２半導体層（３１ａ）並びに第２ゲート電極（３１ｂ）を有する第２トランジスタ（３１）と、第１ドレイン領域に接続された第１画素電極（９ｂ）と、第２ドレイン領域に接続された第２画素電極（９ａ）と、第１ドレイン領域に接続された第１蓄積容量（７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、保持特性及び信頼性を向上させることによって、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極の下層側に容量絶縁膜（７２）を介して配置され蓄積容量（７０）を形成すると共に、表面に段差を有する容量電極（７１）と、画素電極より下層側に形成され、当該段差に重なる領域（ａ、ｂ）において表面がテーパ状に形成された絶縁膜（１７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体回路と対向基板との位置合わせ及び貼り合せが容易であり、かつ工程数を削減することで歩留りが高く、かつ開口率の高い表示装置を提供することである。
【解決手段】
少なくとも、基板と、ゲート配線と、キャパシタ配線と、ゲート絶縁膜と、半導体活性層と、前記半導体活性層及び前記ゲート絶縁膜上でこれらと接触し、かつ互いに隔絶して形成されたソース配線及びドレイン電極と、前記半導体活性層上に形成された保護膜と、少なくとも前記ソース配線を覆うように前記ソース配線及び前記ドレイン電極及び保護膜上に形成されたソース配線絶縁層と、対向電極が形成された対向基板と、前記基板と前記対向基板の間に形成された表示要素と、を備えた表示装置であって、前記ソース配線絶縁層が前記対向基板と接していることを特徴とする表示装置としたものである。 （もっと読む）

【課題】タッチによる液晶静電容量の変化を認識し、その有無及び位置を感知できる液晶表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２基板、画素領域を定義する第１基板上に形成されたゲートライン及びデータライン、ゲートラインとデータラインとの交差部に形成されたピクセルトランジスタ、画素領域に形成された画素電極、画素電極に接続された第１ストレージキャパシタ、第１基板に形成されたスイッチングライン、第１基板に形成されたリードアウトライン、第１基板に形成された第２ストレージキャパシタ、第２ストレージキャパシタに接続されたゲート電極、前記リードアウトラインに接続されたドレイン電極、及び駆動電圧ラインに接続されたソース電極を含むスイッチングトランジスタ、第２基板に形成された第１コラムスペーサ、第１コラムスペーサ上に形成されセンシングキャパシタを形成する共通電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素内に光センサ素子と暗電流補償素子を備えるものにあって、当該画素の開口率を向上させ、製造工数の増大を回避させた構成とする表示装置の提供。
【解決手段】基板上に光センサ素子および暗電流補償素子が備えられた画素を備え、
前記光センサ素子および前記暗電流補償素子は、それぞれ、ボトムゲート構造のＭＩＳ型薄膜トランジスタからなり、微結晶半導体と非晶質半導体の順次積層体からなる半導体層の上面に、互いに対向する一対の電極を備えて構成され、
少なくとも、前記暗電流補償素子は、ゲート電極が、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように形成され、前記一対の電極は、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように構成され、
前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間幅は、前記光センサ素子の前記一対の電極離間幅よりも小さく形成され、
前記前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間部に入射する光を遮光する遮光膜を備える。 （もっと読む）

【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】安定な表示ができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、行方向及び列方向に配置された複数の画素３０を備える。画素３０は発光駆動トランジスタと、画素電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された対向電極とを備える。電流供給ライン（電流供給ライン）Ｌａは、画素３０を行方向に接続し、電流供給ラインＬａは同一方向に並んで配置される。隣接する電流供給ラインＬａは、電流供給ラインＬａ間に位置する画素３０の発光駆動トランジスタのドレイン電極を介して電気的に接続されており、これにより隣接する電流供給ラインＬａが同電位とされる。 （もっと読む）

【課題】高速動作に適したＮ型層を用いたＮ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いる場合には、リーク電流特性に劣るＮ型層を蓄積容量に用いることとなり、電荷保持特性が低下するという課題がある。またＰ型層を用いたＰ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いた場合には、Ｐ型ＴＦＴがＮ型ＴＦＴと比べ移動度が低いことから高速動作が困難となり、ＴＦＴによるスイッチング特性が劣化するという課題がある。
【解決手段】Ｎ型ＴＦＴ９０をスイッチングに用い、Ｐ型電極層４１を保持容量として用い、かつＰ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとを切り離すことなく形成した。Ｐ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとの間には段差はなく、コンタクトホール９４を形成するためのエッチング工程を均一な層厚を備えた第１層間絶縁層４に対して行うことができ、エッチングむら等による電気抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部光の強さによって画面の明るさを変化させることができる電子ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】電子ディスプレイ装置は、表示領域と表示領域の周辺に形成された周辺領域とを含み、複数のゲートラインとデータラインとが形成された基板と、表示領域に複数のゲートラインと複数のデータラインとが互いに交差することにより、形成され映像を表示する複数の画素部と、周辺領域に形成され、外部光の強さを感知する少なくとも一つの光感知用薄膜トランジスタを有する光感知部と、光感知用薄膜トランジスタのドレーン電極と接続された電源供給ラインと、周辺領域に形成され、光感知部と接続された読み出しラインとを具備する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ型表示パネルの画素に含まれる発光素子の容量を正確に測定することができる検査方法を提供する。
【解決手段】表示パネル３０が、発光素子３６と駆動ＴＦＴ３５のうち、駆動ＴＦＴ３５だけが実装された状態であるときに、駆動ＴＦＴ３５をＯＮにした状態で、当該駆動ＴＦＴ３５のゲート周りの容量を測定するＯＮ状態容量測定ステップ（Ｓ１１）と、表示パネル３０が、発光素子３６と駆動ＴＦＴ３５の両方が実装された状態であるときに、駆動ＴＦＴ３５をＯＦＦにした状態で、駆動ＴＦＴ３５と発光素子３６とを含む画素３１の容量を測定する画素容量測定ステップ（Ｓ１２）と、ＯＮ状態容量測定ステップ（Ｓ１１）で得られた容量と画素容量測定ステップ（Ｓ１２）で得られた容量とから、発光素子３６の容量を算出する算出ステップ（Ｓ１３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの変位誤差により生じるゲート・ドレイン寄生キャパシタンスの変量を補償するための設計を備える画素セットを提供する。
【解決手段】互いに平行な走査線と、走査線と交差するデータ線と、走査線間に位置する２つの画素を含む画素セットが提供される。画素がそれぞれデータ線の両側にある。各画素が、データ線に近くに配置されたアクティブデバイスと、画素電極と、画素電極に部分的に重複する保存キャパシタンス電極と、ブランチを含むドレイン補償パターンとを備える。ブランチがデータ線から遠い画素電極の一側に位置するとともに、データ線に近いブランチの一側に位置する凹所を有する。ドレイン補償パターンがアクティブデバイスのドレインに接続される。ドレイン補償パターンの一部分が凹所内部に位置する。ブランチがゲートから遠い凹所の一側においてドレイン補償パターンと重複しない。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な画素回路を提供すること。
【解決手段】一態様として、第１電極が第１電位に、第２電極が画素電極に接続された第１のｐ型駆動トランジスタと、第１電極が前記画素電極に、第２電極が第２電位に接続された第１のｎ型駆動トランジスタと、第１電極が第１のデータ線に、第２電極が前記第１のｐ型駆動トランジスタのゲート電極に、ゲート電極が第１の走査線に接続された第１の制御トランジスタと、第１電極が第２のデータ線に、第２電極が前記第１のｎ型駆動トランジスタのゲート電極に、ゲート電極が第２の走査線に接続された第２の制御トランジスタと、を備え、前記第１のｐ型駆動トランジスタの第２電極と前記画素電極との間に、直列に、第１電極及び第２電極が接続された第２のｐ型駆動トランジスタをさらに備え、前記第２のｐ型駆動トランジスタのゲート電極が、前記第１電位及び前記第２電位の間の所定電位である第３電位に接続された画素回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素回路に含まれた可変容量について、該可変容量の周辺に配設される配線からの影響を低減することが可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】通電により発光する発光素子と、前記発光素子に流れる電流量を調整する駆動素子と、前記駆動素子に印加する電位を保持する可変容量部と、を有する画素回路を複数個備え、前記可変容量部は、最上層及び最下層となる端部電極層と、中間電極層と、該中間電極層に接するように該中間電極層の上又は下に配置されたチャネル層とを有する積層体であり、且つ、前記中間電極層は平面視して前記端部電極層に重なり合うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル機能を備えた液晶表示装置及び電子装置の提供。
【解決手段】画素電極１０を備えた液晶基板１と、対向電極を備えたガラス基板２との間に液晶物質が封入されており、液晶基板１及びガラス基板２の変形に伴ってその静電容量が変化するセンサが複数配置されたセンサアレイ３，４が、液晶基板１及びガラス基板２の周縁部に設けられている。ガラス基板２に物体が接触した場合、センサアレイ３，４のそれぞれにおいて静電容量の変化が最大となるセンサの位置を見出すことにより、前記物体の接触位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）