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Fターム[5C094FB19]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 特徴的な材質 (6,014) | 電気的性質 (3,747) | 容量体 (364)

Fターム[5C094FB19]に分類される特許

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【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びTFTに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に画素毎に設けられた画素電極(9a)と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ(30)と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第1容量電極(71)と、画素電極と第1容量電極との間に、容量絶縁膜(75)を介して第1容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第2容量電極(72)と、画素電極と第2容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第2容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第2容量電極に電気的に接続される遮光膜(200)とを備える。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、表示領域(10a)に配列された複数の画素電極(9a)と、画素電極に対応するように設けられたトランジスタ(30)と、トランジスタと電気的に接続されており、画像信号を供給するデータ線(6)と、画素電極と対向して設けられており、該画素電極と共に蓄積容量(70)を構成する共通電極(71)と、表示領域の周囲に位置するダミー領域(10b)において、データ線と電気的に接続された付加容量(200)とを備える。付加容量は、画素電極と同一層からなる第1容量電極(9b)と、共通電極と同一層からなる第2容量電極(76)とを有する。 (もっと読む)


【課題】効果的に不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜をキャパシタの電極として使用した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上の同一層に形成され、それぞれ不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含む半導体層及び第1キャパシタ電極と、前記半導体層及び前記第1キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記第1キャパシタ電極上に形成され、前記ゲート電極と同一層に形成された第2キャパシタ電極とを含む。前記第2キャパシタ電極は、相対的に厚い厚さを有する電極凸部と、相対的に薄い厚さを有する電極凹部とを含む。前記第2キャパシタ電極の電極凹部は前記ゲート電極より相対的に薄い厚さを有する。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置100は、素子基板30と対向基板31との間に電気泳動素子32を挟持してなり、素子基板30の電気泳動素子32側の面に、互いに交差する方向に延びる複数の走査線66及び複数のデータ線68と、走査線66及びデータ線68と接続された選択トランジスタTRsと、選択トランジスタTRsと接続された画素電極35と、選択トランジスタTRs及び画素電極35に一方の電極10bを接続されるとともに他の行の走査線66を他方の電極10aとするキャパシタCsと、を有し、画素電極35が200dpi以上のドット密度で形成されている。 (もっと読む)


【課題】表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、温度などの外部因子に対する表示の劣化(表示品質の低下)が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示装置の駆動回路部に、選択されたピクセルに逐次画像信号を書き込んで画像を画面に表示すると共に、同一画像を画面に表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ、トランジスタをオフ状態として画面に書き込まれた画像をそのまま保持させておく機能を設ける。このような機能をオフ電流を、室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85℃にて100zA/μm未満と極めて低いレベルにまで低減されたトランジスタによって実現する。 (もっと読む)


【課題】 駆動周波数が低い場合でもトランジスタのリーク電流を低減する。
【解決手段】 駆動回路は、書込期間Twにおいて、走査線102を介して第1及び第2トランジスタをオン状態にさせる走査信号Yiを供給すると共に、データ線103を介して表示すべき階調に応じたデータ信号Xjを供給し、データ信号を補助容量Cs1及び液晶Clcに書き込み、書込期間に続く保持期間Thにおいて、走査線102を介して第1及び第2トランジスタをオン状態にさせる走査信号を供給し、保持期間において容量線101に補助容量Cs1の他方の電極の電位を変化させる容量線信号Vsiを供給する。 (もっと読む)


【課題】画素領域とその周辺領域において安定した電気光学特性を有する電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置100は、一対の基板間に電気光学素子としての液晶層が挟持され、一対の基板のうちの素子基板10側に設けられた、複数の画素回路を有する画素領域Eと、画素領域Eの周辺に設けられた、画素回路の駆動に係る周辺回路を有する周辺回路領域E1,E2,E3と、画素領域Eを囲むように周辺回路領域E1,E2,E3との間に設けられた、ダミー画素を有するダミー画素領域Edとを備え、ダミー画素が画素回路を模したものであって、画素領域Eにおける画素回路のパターン密度と、ダミー画素領域Edにおけるダミー画素のパターン密度とがほぼ等しくなっている。 (もっと読む)


【課題】画素の開口率の大幅な低下を惹起せしめることなく、画素電極と対向電極との間の容量を大きくできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】横電界方式、一本のドレイン信号線から2つの画素列に対しドレイン信号を供給する構成において、隣接する画素の間にドレイン信号線が形成されていない部分を有し、薄膜トランジスタの画素電極と接続されるソース電極を、容量素子の一方の電極として、実質的に画素領域として機能しない領域となる隣接画素の領域にまで延在させて構成する。各画素には、対向電極が形成されており、容量素子の前記一方の電極は、絶縁膜を介して前記対向電極と重畳させて配置される。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた1または2種類以上の元素と、Ga、Sc、Y、及びCeを除くランタノイドの中から選ばれた1または2種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】画素回路を構成する半導体素子の耐圧を超える高電圧を画素内で生成可能とした電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、画素40毎に、画素電極35と、選択トランジスタTRsと、電圧制御トランジスタTRcと、第1の保持容量C1と、昇圧制御線91と、昇圧容量線92とが設けられ、選択トランジスタTRsは、ゲートが走査線66に接続され、ドレインが画素電極35に接続され、電圧制御トランジスタTRcは、ゲートが昇圧制御線91に接続され、ドレインが昇圧容量線92に接続され、第1の保持容量C1は、一方の電極10aが選択トランジスタTRsのドレイン及び画素電極35に接続され、他方の電極10bが電圧制御トランジスタTRcのドレインに接続されている。 (もっと読む)


【課題】製造コストの上昇や工程数の増加、製造歩留まりの低下を抑制しつつ、配線層と透明電極とを良好に接続することができる接続構造を有する回路基板及びその製造方法、並びに、該回路基板を適用した発光パネルを実装した電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板11上に設けられる薄膜トランジスタTFTのソース電極Ts(又は、ソース電極Tsと一体的に形成された配線層L2)と、該薄膜トランジスタTFTを被覆する層間絶縁膜13上に設けられる透明電極ELPとが、基板11上に設けられた導電層Lmを介して、電気的に接続されている。ここで、ソース電極Ts(又は配線層L2)はアルミニウム合金により形成され、透明電極ELP及び導電層Lmは、ITO等の透明電極材料により形成される。 (もっと読む)


干渉変調器(“IMOD”)ディスプレイが、周辺光を利用し、MEMS変調器に到達する周辺光の量を低減させることおよび任意の光学的歪みまたは性能の損失を生じることなく、接触感知を組み込む。接触感知のための電極が、干渉ディスプレイの裏面ガラスに位置され、第一の機能が接触を感知するためにMEMSディスプレイのピクセルを駆動することである電極とともに使用される。接触が、IMOD層を歪め、ディスプレイの後部のさまざまなディスプレイ層を介して感知される。
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【課題】液晶装置等の電気光学装置において、寄生容量を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、第1導電層(6)と、第1導電層の上層側に絶縁膜(62)を介して配置され、基板上で平面的に見て第1導電層に少なくとも部分的に重なるように設けられた第2導電層(400)とを備え、絶縁膜には、基板上で平面的に見て、第1導電層と第2導電層とが互いに重なる領域内に空洞部(210)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁層による光透過率の低下を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第1基板110上に位置する第1絶縁層116と、第1絶縁層116上に位置する下部電極118bと、下部電極118bの上面及び側面を囲むように形成された誘電体層120aと、誘電体層120a上に位置する上部電極122aと、を備える。第1絶縁層116は、誘電体層120aに対してエッチング選択比を有してもよい。第1絶縁層116は、シリコン酸化物を含み、誘電体層120aは、シリコン窒化物を含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造を有する有機発光表示装置、及び、単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体111と、基板本体上に多結晶シリコンで形成された半導体層135と、半導体層を覆うゲート絶縁膜140と、ゲート絶縁膜上に順次に積層された透明導電層部1551及びゲート金属層部1552で形成されたゲート電極155及び画素電極710と、を含み、画素電極は、透明導電層部で形成された発光領域と、透明導電層部及びゲート金属層部で形成された非発光領域と、に区分される。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する表示パネルを供えた電子書籍を提供する。また、画像の保持特性の高い電子書籍を提供する。また、高解像度の電子書籍を提供する。また、消費電力の低い電子書籍を提供する。
【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。 (もっと読む)


【課題】電子的に駆動されるディスプレイの外見およびアドレシング特性を向上させる、蓄電キャパシタのシステムおよび使用方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタは、異なる画素をアドレシングするために用いられる電極の複数の部分の重複、またはアドレシングラインおよびコンダクタの重複によって形成されている。キャパシタ電極間に位置する絶縁層は、画素をアドレシングするために用いられるFET内に存在する絶縁層と同一であり得る。向上したディスプレイアドレシングを達成するためのキャパシタの使用方法が開示されている。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス基板において各信号線に存在する抵抗や容量の分布に起因して画素電位に生じるレベルシフトを当該基板内で略均一とすることを目的とする。
【解決手段】走査信号線に平行に共通電極線が形成されるアクティブマトリクス基板であるTFT基板において走査信号の立ち下がりの際に生じる画素電位のレベルシフトの不均一性を解消すべく、走査信号線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、また、共通電極線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、走査信号線−画素電極間容量Cgdが大きくなるように、各画素回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 複数の画素を有する発光装置において、画素ごとの輝度バラツキを抑制することを目的とする。
【解決手段】 有機EL素子10と、有機EL素子10を駆動する駆動トランジスタ30と、駆動トランジスタ30を制御する制御信号を保持する保持容量20と、を有する画素を複数有し、有機EL素子10はトランジスタ30のソース電極33とドレイン電極34の一方と接続される発光装置であって、保持容量30は、金属層と絶縁層と半導体層とをこの順で有しており、半導体層は有機EL素子が発光する光を受光し、保持容量20の金属層及び半導体層の一方が駆動トランジスタ30のゲート電極31と電気的に接続され、保持容量20の金属層及び半導体層の他方が一定の電位に規定されている。 (もっと読む)


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