【課題】直接的に交流電流を制御し、高周波の交流電流を出力することができ、また、安定して大電力を出力することができ、さらに、製造原価のコストダウンを図ることの可能な電気光学装置、及び、電流制御用ＴＦＴ基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】電気光学装置としての分散型無機ＥＬ表示装置１ｃは、データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、電源線制御回路１３ａ、電流測定回路１５及びＴＦＴ基板１００ｃを備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストで形成でき、高速動作がなされる画像表示装置の提供。
【解決手段】基板上の表示部の各画素に、第１薄膜トランジスタ、保持容量、一対の電極からなる第１電極と第２電極とを備える画像表示装置であって、
前記第１薄膜トランジスタは、基板側からゲート電極、ゲート絶縁膜、島状の半導体層、ソース・ドレイン電極が順次積層されて形成され、
前記ゲート電極は、それに接続されるゲート信号線とともに第１透光性導電膜および金属膜の順次積層体によって形成され、
前記ゲート絶縁膜は、実質的な画素領域において除去されて形成され、
前記第１電極は前記第１透光性導電膜によって形成され、
前記第２電極は、前記第１薄膜トランジスタをも被って形成される保護膜の上面に前記第１電極に重畳されて形成された第２透光性導電膜によって形成され、
前記容量素子は、前記第１電極と第２電極の間に介在する前記保護膜を誘電体膜として構成されている。 （もっと読む）

【課題】光リークに起因した表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された半導体層と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置されそれぞれ第１方向に延在した第１ゲート線及び第２ゲート線と、前記第１ゲート線及び前記第２ゲート線を覆う第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置され第２方向に延在し前記第１ゲート線とクロスする第１クロス部及び前記第２ゲート線とクロスするとともに前記第１クロス部より小さい第２クロス部を有するソース線と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に向かい合う対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】開口率（各画素の発光面積の割合）を上げることが可能な画像表示装置を提供すること。
【解決手段】画像表示装置であって、電流が流れることで発光する発光素子と、電圧を印加することで、前記発光素子に流れる電流量を調整するドライバ素子と、前記ドライバ素子に対して印加する前記電圧に応じた電荷が蓄積されるとともに、複数の誘電体層を電極層を介して積層してなる容量素子とを備え、前記ドライバ素子及び前記容量素子は、平面視して離間するように設けられており、前記容量素子上に前記発光素子が重なるように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カップリング容量を効率的に配置する。
【解決手段】 有機ＥＬ素子１と、この有機ＥＬ素子１に駆動電流を供給する駆動トランジスタ２と、この駆動トランジスタ２のゲートに接続され電圧を保持する保持容量６と、駆動トランジスタ２のゲートとデータ電圧が供給されるデータライン７との間に設けられたカップリング容量５と、データライン７からのデータ電圧の駆動トランジスタ２のゲートへの供給を制御する選択トランジスタ３と、駆動トランジスタ２のゲートとドレイン間を短絡するリセットトランジスタ４と、を含む。カップリング容量５を、データライン７にオーバーラップさせてその下方に形成するとともにその一端はそれに接続された選択トランジスタとリセットトランジスタの電極を構成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置にタッチセンサ機能を付加することにより、良好な画像を提供することができるとともに、装置の小型化を図ることのできるタッチセンサ機能付き表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１０は、タッチ面２１１のタッチ位置を検出するタッチセンサ６を有するとともに、ＴＦＴアレイ基板３を有している。ＴＦＴアレイ基板３には、複数の画素電極８３と、各画素電極８３との間に容量を形成する複数の容量線８５とが形成されている。タッチセンサ６は、各画素電極８３に対応する複数の画素領域Ｐから選択され他タッチ位置検出用画素領域ＰＴを充電する際の電位上昇率を検知する電位上昇率検知手段９６を有し、電位上昇率検知手段９６により検知された電位上昇率が所定範囲外であるタッチ位置検出用画素領域ＰＴの位置を前記タッチ位置として検出する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図り且つ斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることにより、クロストークやゴーストを低減しコントラスト比を向上して、高品位の画像表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。平面的に見てデータ線に重なる領域に、蓄積容量（７０）が構築される。蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイの表示画素スタックアップに一体化されたタッチ感知回路を有するディスプレイ。
【解決手段】表示画素スタックアップにおける駆動線及び感知線のようなタッチ信号線並びに接地領域などの回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタッチ感知回路を形成する。一体型タッチスクリーンは、ディスプレイシステムの回路として動作してディスプレイ上に画像を生成することができる多機能回路素子を含み、更に、ディスプレイ上又はその近傍での１つ又はそれ以上のタッチを感知するタッチ感知システムの一部を形成する。多機能回路素子は、例えば、ディスプレイシステムにおける表示回路のストレージキャパシタ／電極、共通電極、導電線／導電路、その他として動作するよう構成され、更に、タッチ感知回路の回路素子として動作するよう構成することもできる表示画素内のキャパシタとする。 （もっと読む）

【課題】第１中間導電層や第２中間導電層に起因したデッドスペースを削減する。
【解決手段】第１スイッチング素子Ｑ1と第２スイッチング素子Ｑ2とは走査線２２をゲートとして動作する。第１スイッチング素子Ｑ1は、第１データ線２４Aと第１中間導電層５４１との間に電気的に介在し、第２スイッチング素子Ｑ2は、第２データ線２４Bと第２中間導電層５４２との間に電気的に介在する。第１中間導電層５４１は第１電極３１に導通し、第２中間導電層５４２は第２電極３２に導通する。第１中間導電層５４１の少なくとも一部と第２中間導電層５４２の少なくとも一部とは、平面視で走査線２２に重なる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光に影響する寄生容量の発生を抑制する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とが形成される。駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とを覆う第１絶縁層Ｌ1の面上には、コンタクトホールＨa3を介して駆動トランジスタＴdrに導通する素子導通部７１が形成される。素子導通部７１には発光素子Ｅの第１電極２１が接続される。基板１０に垂直な方向からみると、素子導通部７１は駆動トランジスタＴdrを挟んで容量素子Ｃ1とは反対側の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】薄型化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板と、表示領域に設けられた複数の画素と、前記基板の一辺に接続されるフレキシブル基板とを有する表示装置であって、前記表示領域以外の領域に設けられた少なくとも１個の保護ダイオード素子を有し、前記少なくとも１個の保護ダイオード素子は、一対のダイオード配線により前記フレキシブル基板の所定の端子に接続される。前記各画素は、前記基板上に形成されたアクティブ素子を有し、前記少なくとも１個の保護ダイオード素子は、前記アクティブ素子と同一工程で形成される。前記少なくとも１個の保護ダイオード素子は、ダイオード接続された薄膜トランジスタである （もっと読む）

【課題】トランジスタの長期信頼性の低下を低減することの可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ピクセル１１Ｂに隣接するピクセル１１Ｒ内のトランジスタＴ_Dr，Ｔ_WSが、ピクセル１１Ｒ内の保持容量Ｃｓの端子３３Ｂと比べて、ピクセル１１Ｂから離れて配置されている。ピクセル１１Ｂに隣接するピクセル１１Ｇ内のトランジスタＴ_Dr，Ｔ_WSが、ピクセル１１Ｇ内の保持容量Ｃｓの端子３３Ｃと比べて、ピクセル１１Ｂから離れて配置されている。これにより、ピクセル１１Ｂから漏れ出た光Ｌの、隣接するピクセル１１Ｂ，１１Ｇ内のトランジスタＴ_Dr，Ｔ_WSへの入射量が少ない。 （もっと読む）

【課題】 クロストークを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（７）上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が第１及び第２データ線と重なるように形成され、第１電極は、その両側辺がそれぞれ第１及び第２データ線それぞれの幅の内に収まるように、形成される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、輝度ムラを低減するためのコンデンサを効率的なレイアウトで形成することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素領域（１０ａ）において、画素毎に配列された画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に第１誘電体膜（７２）を介して対向配置されており、画素電極に対して保持容量を付加するための容量電極（７１）と、周辺領域（１０ｂ）において、容量電極と同一膜で形成され、画素電極に画像信号を供給するための一の信号線を構成する第１導電層（５００）と、第１導電層の上層側に第２誘電体膜（７００）を介して対向配置され、画素電極と同一膜から形成された第２導電層（６００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率が高い液晶表示素子及びそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示素子は、積層されたスイッチング素子３９と複数の画素電極３１、３２とを少なくとも含む第１の基板２１と、積層された着色層６２と共通電極３３を少なくとも含む第２の基板２２とが、液晶層１２を挟んで対向している。第１の基板２１上に複数のゲート線４８が平行かつ等間隔に配置され、ゲート線４８とは直角に複数のデータ線が平行かつ等間隔に配置され、ゲート線４８とデータ線とで囲まれた領域により１つのドットが形成されている。また、ドットは、ゲート線４８とデータ線の交差部に設けられたスイッチング素子３９と、スイッチング素子３９を介して設けられた第１の画素電極３１とを少なくとも有する第１の開口部２５と、第２の画素電極３２と制御電極３４とを少なくとも有する第２の開口部２６とを有している。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）

【課題】静止画を表示する領域と動画を表示する領域とに分割した場合などに最適な画素構造を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】それぞれ自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、各画素に画像電圧を入力する複数の信号線１０２とを有し、各画素は、信号線を介して各画素に入力された画像電圧に基づき自発光素子を駆動する電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、表示部は、第１領域と第２領域の２つの領域に分割され、第１領域内の電界効果トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）は、第２領域内の全ての電界効果トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】短絡欠陥が微小であっても、その欠陥を確実に修正する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０は、複数の第１配線１４と、第１配線１４に絶縁膜を介して交差する複数の第２配線１５と、第１配線１４及び第２配線１５が互いに交差している領域である第１領域１１の外側に形成された第２領域１２とを備えている。第２領域１２には、第１配線１４に絶縁膜を介して交差する幹線部２６が配置され、第１配線１４は、幹線部２６に交差するように配置された複線部５０と、その両端にそれぞれ接続された単線部５１とを有している。そして、絶縁膜上には、幹線部２６の幅方向外側に、複線部５０の両端側部分に交差する導電膜５２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子を駆動する駆動用トランジスタの閾値のシフトがノーマリオフの場合にもノーマリオンの場合にも補償を行う技術を提供する。
【解決手段】アクティブ型表示装置は、発光素子ＯＬＥＤを駆動する駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒと、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極とＧＮＤの間に接続された保持容量Ｃｓと、駆動用トランジスＤｒ−Ｔｒのソース・ドレイン電極および保持容量Ｃｓを通る経路に設けられたインダクタＬと、を備える。駆動用トランジスＤｒ−Ｔｒのソース・ドレイン電極、インダクタＬ、および保持容量Ｃｓを通る経路が抵抗成分を有する共振回路を構成する。この共振回路に流れる共振による電流により駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極と保持容量Ｃｓの接続部分の電位を変化させ書込容量Ｃｗに駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒの閾値電圧を記憶する。 （もっと読む）

【課題】例えば、蓄積容量の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることの両方を可能にする。
【解決手段】容量電極（７１）は、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極と共に、蓄積容量における一対の容量電極を構成している。容量電極（７１）は、画像表示領域の略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線（６）の上層側に延びている。データ線（６）及び走査線（１１）は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線（６）及び走査線（１１９によって区分けされている。 （もっと読む）