【課題】発光素子の特性ばらつき、劣化に伴う電流値ばらつきを生じにくくする表示装置とその駆動方法を提供する。
【解決手段】トランジスタと、容量素子と、発光素子と、ソース信号線と、電流供給線とを有し、前記発光素子は、前記トランジスタによって決定される電流値に応じた輝度で発光する表示装置の駆動方法であって、前記トランジスタのソースに第１の電位を入力する動作と、前記ソース信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する動作と、前記第１の電位と、前記映像信号とに応じて決定される電位差を、前記容量素子に保持し、前記トランジスタのソースの電位を第２の電位に変化させる動作とを含む。前記容量素子は、トランジスタのゲート・ソース間電圧を保持するため、トランジスタの第１の電極の電位が変化しても、ゲート・ソース間電圧を一定とすることにより電流値を一定とする。 （もっと読む）

【課題】 画素選択トランジスタにて光リークが生じたとしても、電気光学素子の階調が劣化しない画素回路、それを用いた電気光学装置及びその駆動方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の画素回路１０は、一端にデータ線ＤＬが接続され、かつ走査線ＷＬによってオン／オフが制御される画素選択トランジスタ１２と、画素選択トランジスタ１２を経由して書き込まれる表示電圧に基づいて光透過率が変化する電気光学素子４０と、画素選択トランジスタ１２と電気光学素子４０との間に設けられたメカニカルスイッチ２０と、を有する。メカニカルスイッチ２０は、画素選択トランジスタ１２と電気光学素子４０との間の導通経路上の固定接点２６と、固定接点２６に対して接離される可動接点２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰと、半導体層１２の一部を含み画素電極ＥＰへの映像信号Ｖｓの書き込みを切替えるスイッチＷと、半導体層１２と対向して補助容量Ｃｓを形成する補助容量線ＣｓＬと、を備えた第１基板ＡＲと、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリアＤＳＰの両端部に配置された端部画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰは、他の画素電極ＥＰよりも大きくなるようにアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤ側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素構造の開口率を増やすことのできる画素アレイおよびそれを有するディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】複数の画素構造を含む画素アレイを提供する。画素構造のうち少なくとも１つは、スキャンラインと、データラインと、能動素子と、画素電極と、読み出しラインと、ＥＭＩ遮蔽層と、検出装置とを有する。スキャンラインおよびデータラインは、基板の上に配置される。能動素子は、スキャンラインおよびデータラインに電気接続される。画素電極は、能動素子に電気接続される。読み出しラインは、データラインの上方または下方に配置される。ＥＭＩ遮蔽層は、データラインを覆い、読み出しラインとデータラインの間に位置する。検出装置は、スキャンラインおよび読み出しラインに電気接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えばウェット処理工程における電蝕の発生を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の画素領域（１０ａ）に設けられた走査線（１１）及びデータ線（６）と、走査線及びデータ線よりも上層側に、走査線とデータ線との交差に対応して設けられ、透明導電材料からなる画素電極（９）と、画素電極と、前記走査線及び前記データ線との間の層に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなり、データ線と電気的に接続された第２容量電極（６２０）とを有し、画素領域の外周と基板の外周の間の領域に設けられた付加容量（６００）と、前記領域に設けられるとともに第１容量電極と電気的に接続されており、画素電極と同一層からなる端子（１０６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】タッチ機能付きの操作パネルを含む表示装置において、効率的に操作面の清浄化を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１主表面を有する第１基板１４０と、第１基板１４０と間隔をあけて配置され、第１主表面と対向する第２主表面を有する第２基板１５６と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に封入された表示媒体層１３０と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に配置された第１電極と、第１電極と対向する第２電極とを含み、第１電極および第２電極の容量を検知するタッチセンサと、イオン放出可能なイオン放出モジュールとを備える。上記第２基板１５６は、第２主表面と対向する第３主表面を含み、イオン放出モジュールは、第３主表面に向けてイオンを放出する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に配置され、屈折率の異なる複数の絶縁膜を含み、前記複数の絶縁膜のうち少なくとも一つは同一面上で異なる厚さで形成されたバッファ層と、前記バッファ層の厚い領域に形成された薄膜トランジスタの活性層と、前記バッファ層の薄い領域に形成された画素電極と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記活性層に接続された前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層を介して、前記画素電極に対向配置される対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと
、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ
５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２
のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口
部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高い画素開口率と、更に広いＴＦＴ製造プロセスマージン、小さな周辺回路レイアウト面積、長い寿命、のいずれかを実現するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第１の絶縁層と、第１の電極と、を有し、第１の電極は第１の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた画素薄膜トランジスタと、基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第２の絶縁層と、第２の電極と、第３の絶縁層と、第３の電極と、を有し、第２の電極は第２の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられ、第３の電極は第３の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた薄膜トランジスタと、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置に配列された複数の第１電極パターン及び平板表示装置の外面に配列される複数のバリアパターンを、それぞれ静電容量方式のタッチスクリーンパネルの電極として用いることにより、追加の工程なくタッチスクリーンパネルが内蔵された立体映像平板表示装置を実現する。
【解決手段】本発明の実施例によるタッチスクリーンパネルが内蔵された立体映像平板表示装置１は、薄膜トランジスタＴＦＴをそれぞれ含む複数の画素が形成された第１基板１１と、画素に対応して第１方向に所定間隔離隔して配列される複数の第１電極パターン７０ａと、第１基板１１に対向して位置する第２基板６１と、第２基板６１の外面に形成され、第１方向と交差する第２方向に所定間隔離隔して配列される複数のバリアパターン８０ａとが備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものと
して、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を
有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線
上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層
と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前
記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを
特徴としている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの面積が大きい発光装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、発光素子１１と、発光素子１１に接続されるとともに、発光素子１１に重なる位置に形成されたキャパシタ１８と、発光素子１１の一辺側に配置された第１駆動トランジスタ１６と、発光素子１１の他辺側に配置された第２駆動トランジスタ１７と、を備える。そして、第１駆動トランジスタ１６のゲート電極１６ｇと第２駆動トランジスタ１７のゲート電極１７ｇとは、キャパシタ１８の電極１８ａを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型のタッチパネル電極とカラーフィルタを同一の透明基板の表裏に形成し、かつ、ＸＹ電極の重なり部をジャンパーで形成を行なう、製品の品位低下が軽減した液晶パネル用のカラーフィルタ基板を提供し、且つ、検査機による検査を可能とした製造方法を提供する。
【解決手段】タッチパネル電極が、同一レイヤーに、X軸方向及びこれと直交するY軸方向に間欠的に配列される複数の第１の透光性電極と、X軸方向及びY軸方向に配列されると共に各々が第１の透光性電極の行間及び列間に配置される複数の第２の透光性電極とを備え、X軸方向に整列する第１の透光性電極の各々は、X軸方向及びY軸方向に配列される導電性材料からなる複数のジャンパーによって相互に電気的に接続され、このジャンパーは、基板表示面を垂直方向から見たときに透明基板裏面のブラックマトリックスと重なる所定の位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像（映像）の表示が可能であり、ＥＬ駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】各画素内の正極性信号側画素回路部と負極性信号側画素回路部で互いに対になっている回路構成要素及び配線同士を、仮想の画素中心線に対して線対称で配置構成することにより、画素ピッチを増大させることなく液晶素子に正常な駆動電圧を印加する。
【解決手段】Ｖdd配線１０２、Ｃs1接続配線１０４、データ線Ｄi+用配線１０６などの正極性信号側画素回路部の配線と、Ｖdd配線１０３、Ｃs2接続配線１０５、データ線Ｄi-用配線１０７などの負極性信号側画素回路部の配線とは、画素中心線II−II’に対して対応する配線同士が線対称位置に配置されている。Ｖdd配線１０２とＶdd配線１０３とは、１画素内の左右両端に配置されているため、左右両隣の画素のＣs1接続配線、又はＣs2接続配線からのクロストークを抑制するガードパターンの役割を果たしている。データ線Ｄi+用配線１０６及びデータ線Ｄi-用配線１０７は、画素の中心部付近に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い読み取り性能を備えたセンサ回路を含む表示装置を提供する。
【解決手段】画素回路と、カップリング電極と、カップリング電極との間にカップリング容量を形成する検知電極１２Ｅと、検知電極１２Ｅの電位を読み出す手段と、を含むとともに、複数の画素回路の間の領域に配置されたセンサ回路１２と、複数の画素回路が配列した行方向に沿って延びて配置された複数の走査線ＧＬと、複数の画素回路が配列した列方向に沿って延びて配置された複数の信号線ＳＬと、センサ回路１２を駆動する期間において、複数の信号線ＳＬを、検知電極１２Ｅへプリチャージ電圧を給電するためのプリチャージ配線ＰＲＬ、および、検知電極１２Ｅの電位を読み出すための読み出し配線ＲＯＬ、として駆動するとともに、カップリング電極の電位を変化させるためのカップリングパルス配線ＣＰＬを駆動するように構成された駆動回路ＹＤ、ＸＤと、を備えた表示装置。 （もっと読む）