画像表示システム
【課題】
画素構造内に追加の駆動薄膜トランジスタを増加し、バイアス電圧を印加することでゲート誘電体層内に入る電子を戻し、しきい値電圧のシフトを防止する画像表示システムを提供する。
【解決手段】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、画素領域を含むアレイ基板、前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、及び前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタを含み、同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが前記第１電圧と異なる第２電圧に接続される画像表示システム。
画素構造内に追加の駆動薄膜トランジスタを増加し、バイアス電圧を印加することでゲート誘電体層内に入る電子を戻し、しきい値電圧のシフトを防止する画像表示システムを提供する。
【解決手段】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、画素領域を含むアレイ基板、前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、及び前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタを含み、同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが前記第１電圧と異なる第２電圧に接続される画像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明は、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）技術に関し、特に 、しきい値電圧のシフトを制御でき、同時に開口率の降下を防止できる自己発光表示装 置を有する画像表示システムと、前記自己発光表示装置有する画像表示システムの製造 方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子製品の発展に伴い、技術の進歩と日増しに広がる応用、例えば、携帯電話 、ＰＤＡと、ノート型パソコンなどの市場は、従来のディスプレイに比べてより小さい 体積と電力消費特性を有するフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の需要がますます 増え、現在の重要な電子応用製品の１つとなった。フラットパネルディスプレイでは、 有機エレクトロルミセントデバイス／有機発光ダイオード（ＯＥＬＤ／ＯＬＥＤ）が自 己発光、高輝度、広視野角、高応答速度と、容易な製造などの特性を有することから、 ＯＬＥＤを次世代のフラットパネルディスプレイの最も好ましい選択にさせている。
【０００３】
フラットパネル技術の主な傾向の１つは、高発光効率で長寿命を有するＯＬＥＤを開 発することで、薄膜トランジスタを用いて駆動素子とする、アクティブマトリクス型有 機エレクトロルミセントデバイスを発展させることである。
【０００４】
アクティブマトリクス型有機エレクトロルミセントデバイス（ＡＭＯＬＥＤ）は、通 常、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンを用いて薄膜トランジスタの活性層とし ている。しかしながら、操作期間では、活性層内の電子がゲート誘電体層に入り易いた め、しきい値電圧（Ｖｔｈ）をシフトさせる。ＯＬＥＤの輝度が注入電流の大きさで決 まり、且つしきい値電圧の増加が注入電流を低下させることから、ＯＬＥＤが影響を受 ける。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに鑑みて、本発明の目的は、画素構造内に追加の駆動薄膜トランジスタを増加し 、バイアス電圧を印加することでゲート誘電体層内に入る電子を戻し、しきい値電圧の シフトを防止する画像表示システムを提供することである。
【０００６】
本発明のもう１つの目的は、追加の増加された駆動薄膜トランジスタを元の駆動用の 薄膜トランジスタ上に堆積させることで画素の開口率を増加することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的に基づいて、本実施例は、自己発光表示装置を含む画像表示システムを提 供する。この自己発光表示装置は、アレイ基板、発光ダイオード、第１駆動薄膜トラン ジスタと、第２駆動薄膜トランジスタを含む。アレイ基板は、画素領域を含み、発光ダ イオードがアレイ基板の画素領域に設置される。第１駆動薄膜トランジスタは、発光ダ イオードに電気的接続され、アレイ基板の画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層 を含む。第２駆動薄膜トランジスタは、発光ダイオードに電気的接続され、前記活性層 と活性層上に堆積された第２ゲートを含む。同一のフレーム周期で、第１ゲートは第１ 電圧に接続され、第２ゲートは、第１電圧と異なる第２電圧に接続される。
【０００８】
また上述の目的に基づいて、本実施例は、自己発光表示装置を含む画像表示システム を提供する。この自己発光表示装置は、アレイ基板、発光ダイオード、第１駆動薄膜ト ランジスタ、第２駆動薄膜トランジスタ、第１蓄積コンデンサと、第２蓄積コンデンサ を含む。アレイ基板は、画素領域を含み、発光ダイオードがアレイ基板の画素領域に設 置される。第１駆動薄膜トランジスタは、発光ダイオードに電気的接続され、アレイ基 板の画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む。第２駆動薄膜トランジスタは 、発光ダイオードに電気的接続され、前記活性層と活性層上に堆積された第２ゲートを 含む。第１蓄積コンデンサは、アレイ基板の画素領域上に堆積された第１電極と第２電 極を含み、第１電極は、第１ゲートに電気的接続される。第２蓄積コンデンサは、第２ 電極と第２電極上に堆積された第３電極を含み、第３電極は、第２ゲートに電気的接続 される。
【発明の効果】
【０００９】
本実施例に基づくと、発光ダイオードＤが第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１と ＤＴ２によって交互に駆動され、且つ駆動されていない薄膜トランジスタを用いて電子 ｅを活性層１０８に送り戻すことから、しきい値電圧がシフトするのを防ぐことができ る。また、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２と第２蓄積コンデンサＣ２が第１駆動薄膜 トランジスタＤＴ１と第１蓄積コンデンサＣ１上にそれぞれ堆積されることから、画素 領域Ｐの開口率は、駆動薄膜トランジスタと蓄積コンデンサの数を増加したことで、低 下するということはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を 例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００１１】
以下、実施例に合わせて画像表示システムとその製造方法を説明する。図１Ｇと図２ を参照下さい。図１Ｇは、画像表示システムの実施例を表し、図２は、図１Ｇの構造の 電気的接続の関係図（または等価回路図）を表している。この画像表示システムは、例 えば有機エレクトロルミセントデバイス（ＯＬＥＤ）など、自己発光表示装置３００を 含み、下基板（以下アレイ基板と呼ぶ）１００と、それに対応して設置された上基板（ 図示されていない）を含む。アレイ基板１００と上基板は、透明基板、例えば、ガラス 、石英、または他の透明材料からなることができる。通常、アレイ基板１００は、複数 のスキャンラインとデータラインで定義されて形成された複数の画素領域を含む。ここ では、図式を簡易化するために、その中の１つの画素領域Ｐのみ表示する。
【００１２】
また、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上は、発光ダイオードＤ（図１Ｇに示していな い）と、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２と、第１と第２蓄積コンデン サＣ１とＣ２とが設置される。その中の第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１は、Ｎ型また はＰ型からなることができる。本実施例では、ＮＴＦＴを例にして説明がされる。第１ 駆動薄膜トランジスタＤＴ１は、ゲート１０４ａと、絶縁層（ゲート誘電体層となる） １０６と、ゲート／ドレイン領域１０８ａと軽ドープドレイン領域１０８ｃを有する活 性層１０８と、ゲート／ドレイン領域１０８ａに電気的接続されたソース／ドレイン１ ２０とを含む。ゲート１０４ａと活性層１０８は、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上に 順次に堆積される。第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２は、Ｎ型またはＰ型からなること ができる。本実施例では、ＮＴＦＴを例にして説明がされる。第２駆動薄膜トランジス タＤＴ２は、ゲート１１４ａと、絶縁層（ゲート誘電体層となる）１１２と、活性層１ ０８と、ソース／ドレイン領域１２０を含む。ゲート１１４ａは、活性層１０８上に堆 積され、ほぼゲート１０４ａと揃う。本実施例では、第１と第２駆動薄膜トランジスタ ＤＴ１とＤＴ２は、活性層１０８とソース／ドレイン領域１２０を共用する。
【００１３】
第１蓄積コンデンサＣ１は、２つの電極１０４ｂと１０８ｂと、その間に位置された 絶縁層（キャパシタ誘電体層となる）１０６を含む。２つの電極１０４ｂと１０８ｂは 、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上に順次に堆積される。第２蓄積コンデンサＣ２は、 ２つの電極１０８ｂと１１４ｂと、その間に位置された絶縁層（キャパシタ誘電体層と なる）１１２を含む。電極１１４ｂは、電極１０８ｂ上に堆積され、ほぼ電極１０４ｂ と揃う。本実施例では、第１と第２蓄積コンデンサＣ１とＣ２は、電極１０８ｂを共用 する。また、電極１０８ｂは、活性層１０８から延伸する。即ち、電極１０８ｂと活性 層１０８は、例えば、ポリシリコン層またはアモルファスシリコン層の同一材料層から 定義されて形成される。
【００１４】
図２に示されるように、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２の入力端子 は、第１と第２蓄積コンデンサＣ１とＣ２の電極（即ち、電極１０８ｂ）に電気的接続 され、且つ電圧源Ｖddに接続される。また、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１と ＤＴ２の出力端子は、発光ダイオードＤに電気的接続され、発光ダイオードＤは、電圧 源Ｖddの電位より低い電圧源Ｖssに接続される。第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１の制 御端子（即ち、電極１０４ａ）は、第１蓄積コンデンサＣ１のもう１つの電極（即ち、 電極１０４ｂ）に電気的接続され、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２の制御端子（即ち 、ゲート１１４ａ）は、第２蓄積コンデンサＣ２のもう１つの電極（即ち、電極１１４ ｂ）に電気的接続される。
【００１５】
本実施例では、自己発光表示装置３００が操作を始めた時、同一のフレーム周期で、 第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１のゲート１０４ａが電圧Ｖ１に接続され、第２駆動薄 膜トランジスタＤＴ２のゲート１１４ａが電圧Ｖ２に接続される。電圧Ｖ１と電圧Ｖ２ は、同じ大きさで相反する極性を有することができる。
【００１６】
図３Ａ〜３Ｂと、図３Ｂ−１を参照下さい。図１Ｇの自己発光表示装置３００の駆動 薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２の操作概略図を示している。図３Ａに示されるように 、一つのフレーム周期で、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１のゲート１０４ａは、極性 が負からなる電圧Ｖ１に接続され、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２のゲート１１４ａ は、極性が正からなる電圧Ｖ２に接続される。よって、電場Ｅの方向は、矢印に示され るように上から下であり、且つ第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２によって発光ダイオー ドＤを駆動する。よって、活性層１０８に位置された電子ｅは、第２駆動薄膜トランジ スタＤＴ２のゲート誘電体層１１２の中に入り、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２が次 に駆動した時に、しきい値電圧をシフトさせ易くする。これにより、次のフレーム周期 の時に、電圧Ｖ１の極性を正に変え、電圧Ｖ２の極性を負に変えて、電場Ｅの方向を下 から上（矢印に示されるように）にし、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１によって発光 ダイオードＤを駆動する。これにより、図３Ｂに示されるように、ゲート誘電体層１１ ２の中に入る電子ｅが活性層１０８に戻り、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２が次に駆 動した時に、しきい値電圧がシフトするのを防ぐ。
【００１７】
活性層１０８に位置された電子ｅは、このフレーム周期で第１駆動薄膜トランジスタ ＤＴ１のゲート誘電体層１０６の中（図３Ｂ−１に示される）に入り、第１駆動薄膜ト ランジスタＤＴ１が次に駆動した時に、しきい値電圧をシフトさせるが、次のフレーム 周期の時に、電圧Ｖ１の極性を負に変え、電圧Ｖ２の極性を正に変えて、電場Ｅの方向 を上から下にすることができる（即ち、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２によって発光 ダイオードＤを駆動する）。これにより、ゲート誘電体層１０６の中に入る電子ｅが活 性層１０８に戻り、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１が次に駆動した時に、しきい値電 圧がシフトするのを防ぐ。他の実施例では、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２も同一の極性で異なる 大きさを有することもでき、類似の方法によってしきい値電圧がシフトするのを防ぐ。
【００１８】
図１Ａ〜１Ｇは、本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示シス テムの製造方法の断面外略図を示している。図１Ａを参照下さい。例えば透明なガラス または石英の、画素領域Ｐを有するアレイ基板１００を提供している。アレイ基板１０ ０上は、バッファ層１０２と導電層１０４が順次に形成される。バッファ層１０２は、 例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構造からなることができる。 また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された多層構造からなることもで きる。導電層１０４は、例えば、アルミニウム、銀、モリブデン、アルミニウムネオジ ウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成された金属層からなることがで きる。導電層１０４は、従来の堆積技術、例えばスパッタリング法によって形成される ことができる。
【００１９】
図１Ｂを参照下さい。導電層１０４にフォトレジストとエッチングプロセスを行い、 画素領域Ｐに薄膜トランジスタを駆動するゲート１０４ａと電荷を蓄積する電極１０４ ｂを定義する。続いて、バッファ層１０２上に絶縁層１０６と反動体層１０７を順次に 形成して、ゲート１０４ａと電極１０４ｂを覆う。ゲート１０４ａを覆う絶縁層１０６ は、ゲート誘電体層となり、電極１０４ｂを覆う絶縁層１０６は、キャパシタ誘電体層 となる。絶縁層１０６は、例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構 造からなることができる。また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された 多層構造からなることもできる。半導体層１０７は、ポリシリコンまたはアモルファス シリコンからなることができる。
【００２０】
図１Ｃを参照下さい。ゲート１０４ａの上方の半導体層１０７上にフォトレジストパ ターン層１１０を形成することができる。続いて、レジストパターン層１１０を用いて インプラントマスクとし、半導体層１０７に重イオン注入１１１を行って、ゲート１０ ４ａの上方の絶縁層１０６上にソース／ドレイン領域１０８ａを有する活性層１０８を 形成し、電極１０４ｂの上方の絶縁層１０６上に電極１０８ｂを形成する。電極１０４ ｂ、電極１０８ｂと、絶縁層１０６は、第１蓄積コンデンサＣ１を構成する。
【００２１】
図１Ｄを参照下さい。レジストパターン層１１０を除去した後、活性層１０８と活性 層１０８から延伸された電極１０８ｂの上方に絶縁層１１２と導電層１１４を順次に形 成する。絶縁層１１２は、例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構 造からなることができる。また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された 多層構造からなることもできる。導電層１１４は、例えば、アルミニウム、銀、モリブ デン、アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成され た金属層からなることができる。導電層１１４は、従来の堆積技術、例えばスパッタリ ング法によって形成されることができる。活性層１０８を覆う絶縁層１１２は、ゲート 誘電体層となり、電極１０８ｂを覆う絶縁層１１２は、キャパシタ誘電体層となる。
【００２２】
図１Ｅを参照下さい。導電層１１４にフォトレジストとエッチングプロセスを行い、 活性層１０８の上方の絶縁層１１２上にゲート１１４ａを形成し、電極１０８ｂの上方 の絶縁層１１２上に電極１１４ｂを形成する。ゲート１１４ａは、ほぼゲート１０４ａ と揃い、電極１１４ｂは、ほぼ電極１０４ｂと揃う。電極１０８ｂ、電極１１４ｂと、 絶縁層１１２は、第２蓄積コンデンサＣ２を構成する。続いて、ゲート１１４ａを用い てインプラントマスクとして、活性層１０８に軽イオン注入１１５を行い、その中に軽 ドープドレイン（ＬＤＤ）領域１０８ｃを形成する。軽ドープドレイン（ＬＤＤ）領域 １０８ｃは、ソース／ドレイン領域１０８ａに隣接する。
【００２３】
図１Ｆを参照下さい。絶縁層１１２上に層間絶縁（ＩＬＤ）層１１６と平坦化層（ま たは保護層）１１８を順次に形成し、ゲート１１４ａと電極１１４ｂを覆う。次に、平 坦化層１１８、層間絶縁層１１６と、絶縁層１１２を順次にエッチングし、その中のビ アホール１１９にソース／ドレイン領域１０８ａを露出する。
【００２４】
図１Ｆを参照下さい。ビアホール１１９に導電層１２０を充填してソース／ドレイン 領域１０８ａに電気的接続している。導電層１２０は、例えば、アルミニウム、銀、モ リブデン、アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成 された金属層からなることができ、薄膜トランジスタのソース／ドレインとして用いら れる。本実施例では、ゲート１０４ａ、絶縁層１０６、活性層１０８と、ソース／ドレ イン１２０は、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１を構成し、ゲート１１４ａ、絶縁層１ １２、活性層１０８と、ソース／ドレイン１２０は、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２ を構成する。
【００２５】
上述の本実施例に基づくと、発光ダイオードＤが第１と第２駆動薄膜トランジスタＤ Ｔ１とＤＴ２によって交互に駆動され、且つ駆動されていない薄膜トランジスタを用い て電子ｅを活性層１０８に送り戻すことから、しきい値電圧がシフトするのを防ぐこと ができる。また、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２と第２蓄積コンデンサＣ２が第１駆 動薄膜トランジスタＤＴ１と第１蓄積コンデンサＣ１上にそれぞれ堆積されることから 、画素領域Ｐの開口率は、駆動薄膜トランジスタと蓄積コンデンサの数を増加したこと で、低下するということはない。
【００２６】
図４は、もう１つの実施例の画像表示システムを示している。前記システムは、例え ば、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュ ータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーなどの自己発光表示 装置または電子装置に実施されることができる。他の実施例では、上述の自己発光表示 装置は、表示パネルの中に併入されることができ、自己発光型表示パネルとなることが できる。図４に示されるように、自己発光型表示パネル４００は、図１Ｇに示された自 己発光表示装置３００を含む。他の実施例では、自己発光型表示パネルを電子装置の中 に併入することができる。図４に示されたように、電子装置６００は、自己発光表示装 置３００を有する自己発光型表示パネル４００と自己発光表示装置３００に接続された 制御器５００を含み、制御器５００は、自己発光表示装置３００を制御して、入力に基 づいて画像を提供する。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
発明は、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）技術に関し、特に 、しきい値電圧のシフトを制御でき、同時に開口率の降下を防止できる自己発光表示装 置を有する画像表示システムと、前記自己発光表示装置有する画像表示システムの製造 方法に関するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｂ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｃ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｄ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｅ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｆ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｇ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図２】図１Ｇの自己発光表示装置の等価回路図を示している。
【図３Ａ】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図３Ｂ】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図３Ｂ−１】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図４】本発明のもう１つの実施例の画像表示システムを示している。
【技術分野】
【０００１】
発明は、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）技術に関し、特に 、しきい値電圧のシフトを制御でき、同時に開口率の降下を防止できる自己発光表示装 置を有する画像表示システムと、前記自己発光表示装置有する画像表示システムの製造 方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子製品の発展に伴い、技術の進歩と日増しに広がる応用、例えば、携帯電話 、ＰＤＡと、ノート型パソコンなどの市場は、従来のディスプレイに比べてより小さい 体積と電力消費特性を有するフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の需要がますます 増え、現在の重要な電子応用製品の１つとなった。フラットパネルディスプレイでは、 有機エレクトロルミセントデバイス／有機発光ダイオード（ＯＥＬＤ／ＯＬＥＤ）が自 己発光、高輝度、広視野角、高応答速度と、容易な製造などの特性を有することから、 ＯＬＥＤを次世代のフラットパネルディスプレイの最も好ましい選択にさせている。
【０００３】
フラットパネル技術の主な傾向の１つは、高発光効率で長寿命を有するＯＬＥＤを開 発することで、薄膜トランジスタを用いて駆動素子とする、アクティブマトリクス型有 機エレクトロルミセントデバイスを発展させることである。
【０００４】
アクティブマトリクス型有機エレクトロルミセントデバイス（ＡＭＯＬＥＤ）は、通 常、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンを用いて薄膜トランジスタの活性層とし ている。しかしながら、操作期間では、活性層内の電子がゲート誘電体層に入り易いた め、しきい値電圧（Ｖｔｈ）をシフトさせる。ＯＬＥＤの輝度が注入電流の大きさで決 まり、且つしきい値電圧の増加が注入電流を低下させることから、ＯＬＥＤが影響を受 ける。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに鑑みて、本発明の目的は、画素構造内に追加の駆動薄膜トランジスタを増加し 、バイアス電圧を印加することでゲート誘電体層内に入る電子を戻し、しきい値電圧の シフトを防止する画像表示システムを提供することである。
【０００６】
本発明のもう１つの目的は、追加の増加された駆動薄膜トランジスタを元の駆動用の 薄膜トランジスタ上に堆積させることで画素の開口率を増加することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的に基づいて、本実施例は、自己発光表示装置を含む画像表示システムを提 供する。この自己発光表示装置は、アレイ基板、発光ダイオード、第１駆動薄膜トラン ジスタと、第２駆動薄膜トランジスタを含む。アレイ基板は、画素領域を含み、発光ダ イオードがアレイ基板の画素領域に設置される。第１駆動薄膜トランジスタは、発光ダ イオードに電気的接続され、アレイ基板の画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層 を含む。第２駆動薄膜トランジスタは、発光ダイオードに電気的接続され、前記活性層 と活性層上に堆積された第２ゲートを含む。同一のフレーム周期で、第１ゲートは第１ 電圧に接続され、第２ゲートは、第１電圧と異なる第２電圧に接続される。
【０００８】
また上述の目的に基づいて、本実施例は、自己発光表示装置を含む画像表示システム を提供する。この自己発光表示装置は、アレイ基板、発光ダイオード、第１駆動薄膜ト ランジスタ、第２駆動薄膜トランジスタ、第１蓄積コンデンサと、第２蓄積コンデンサ を含む。アレイ基板は、画素領域を含み、発光ダイオードがアレイ基板の画素領域に設 置される。第１駆動薄膜トランジスタは、発光ダイオードに電気的接続され、アレイ基 板の画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む。第２駆動薄膜トランジスタは 、発光ダイオードに電気的接続され、前記活性層と活性層上に堆積された第２ゲートを 含む。第１蓄積コンデンサは、アレイ基板の画素領域上に堆積された第１電極と第２電 極を含み、第１電極は、第１ゲートに電気的接続される。第２蓄積コンデンサは、第２ 電極と第２電極上に堆積された第３電極を含み、第３電極は、第２ゲートに電気的接続 される。
【発明の効果】
【０００９】
本実施例に基づくと、発光ダイオードＤが第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１と ＤＴ２によって交互に駆動され、且つ駆動されていない薄膜トランジスタを用いて電子 ｅを活性層１０８に送り戻すことから、しきい値電圧がシフトするのを防ぐことができ る。また、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２と第２蓄積コンデンサＣ２が第１駆動薄膜 トランジスタＤＴ１と第１蓄積コンデンサＣ１上にそれぞれ堆積されることから、画素 領域Ｐの開口率は、駆動薄膜トランジスタと蓄積コンデンサの数を増加したことで、低 下するということはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を 例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００１１】
以下、実施例に合わせて画像表示システムとその製造方法を説明する。図１Ｇと図２ を参照下さい。図１Ｇは、画像表示システムの実施例を表し、図２は、図１Ｇの構造の 電気的接続の関係図（または等価回路図）を表している。この画像表示システムは、例 えば有機エレクトロルミセントデバイス（ＯＬＥＤ）など、自己発光表示装置３００を 含み、下基板（以下アレイ基板と呼ぶ）１００と、それに対応して設置された上基板（ 図示されていない）を含む。アレイ基板１００と上基板は、透明基板、例えば、ガラス 、石英、または他の透明材料からなることができる。通常、アレイ基板１００は、複数 のスキャンラインとデータラインで定義されて形成された複数の画素領域を含む。ここ では、図式を簡易化するために、その中の１つの画素領域Ｐのみ表示する。
【００１２】
また、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上は、発光ダイオードＤ（図１Ｇに示していな い）と、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２と、第１と第２蓄積コンデン サＣ１とＣ２とが設置される。その中の第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１は、Ｎ型また はＰ型からなることができる。本実施例では、ＮＴＦＴを例にして説明がされる。第１ 駆動薄膜トランジスタＤＴ１は、ゲート１０４ａと、絶縁層（ゲート誘電体層となる） １０６と、ゲート／ドレイン領域１０８ａと軽ドープドレイン領域１０８ｃを有する活 性層１０８と、ゲート／ドレイン領域１０８ａに電気的接続されたソース／ドレイン１ ２０とを含む。ゲート１０４ａと活性層１０８は、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上に 順次に堆積される。第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２は、Ｎ型またはＰ型からなること ができる。本実施例では、ＮＴＦＴを例にして説明がされる。第２駆動薄膜トランジス タＤＴ２は、ゲート１１４ａと、絶縁層（ゲート誘電体層となる）１１２と、活性層１ ０８と、ソース／ドレイン領域１２０を含む。ゲート１１４ａは、活性層１０８上に堆 積され、ほぼゲート１０４ａと揃う。本実施例では、第１と第２駆動薄膜トランジスタ ＤＴ１とＤＴ２は、活性層１０８とソース／ドレイン領域１２０を共用する。
【００１３】
第１蓄積コンデンサＣ１は、２つの電極１０４ｂと１０８ｂと、その間に位置された 絶縁層（キャパシタ誘電体層となる）１０６を含む。２つの電極１０４ｂと１０８ｂは 、アレイ基板１００の画素領域Ｐ上に順次に堆積される。第２蓄積コンデンサＣ２は、 ２つの電極１０８ｂと１１４ｂと、その間に位置された絶縁層（キャパシタ誘電体層と なる）１１２を含む。電極１１４ｂは、電極１０８ｂ上に堆積され、ほぼ電極１０４ｂ と揃う。本実施例では、第１と第２蓄積コンデンサＣ１とＣ２は、電極１０８ｂを共用 する。また、電極１０８ｂは、活性層１０８から延伸する。即ち、電極１０８ｂと活性 層１０８は、例えば、ポリシリコン層またはアモルファスシリコン層の同一材料層から 定義されて形成される。
【００１４】
図２に示されるように、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２の入力端子 は、第１と第２蓄積コンデンサＣ１とＣ２の電極（即ち、電極１０８ｂ）に電気的接続 され、且つ電圧源Ｖddに接続される。また、第１と第２駆動薄膜トランジスタＤＴ１と ＤＴ２の出力端子は、発光ダイオードＤに電気的接続され、発光ダイオードＤは、電圧 源Ｖddの電位より低い電圧源Ｖssに接続される。第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１の制 御端子（即ち、電極１０４ａ）は、第１蓄積コンデンサＣ１のもう１つの電極（即ち、 電極１０４ｂ）に電気的接続され、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２の制御端子（即ち 、ゲート１１４ａ）は、第２蓄積コンデンサＣ２のもう１つの電極（即ち、電極１１４ ｂ）に電気的接続される。
【００１５】
本実施例では、自己発光表示装置３００が操作を始めた時、同一のフレーム周期で、 第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１のゲート１０４ａが電圧Ｖ１に接続され、第２駆動薄 膜トランジスタＤＴ２のゲート１１４ａが電圧Ｖ２に接続される。電圧Ｖ１と電圧Ｖ２ は、同じ大きさで相反する極性を有することができる。
【００１６】
図３Ａ〜３Ｂと、図３Ｂ−１を参照下さい。図１Ｇの自己発光表示装置３００の駆動 薄膜トランジスタＤＴ１とＤＴ２の操作概略図を示している。図３Ａに示されるように 、一つのフレーム周期で、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１のゲート１０４ａは、極性 が負からなる電圧Ｖ１に接続され、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２のゲート１１４ａ は、極性が正からなる電圧Ｖ２に接続される。よって、電場Ｅの方向は、矢印に示され るように上から下であり、且つ第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２によって発光ダイオー ドＤを駆動する。よって、活性層１０８に位置された電子ｅは、第２駆動薄膜トランジ スタＤＴ２のゲート誘電体層１１２の中に入り、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２が次 に駆動した時に、しきい値電圧をシフトさせ易くする。これにより、次のフレーム周期 の時に、電圧Ｖ１の極性を正に変え、電圧Ｖ２の極性を負に変えて、電場Ｅの方向を下 から上（矢印に示されるように）にし、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１によって発光 ダイオードＤを駆動する。これにより、図３Ｂに示されるように、ゲート誘電体層１１ ２の中に入る電子ｅが活性層１０８に戻り、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２が次に駆 動した時に、しきい値電圧がシフトするのを防ぐ。
【００１７】
活性層１０８に位置された電子ｅは、このフレーム周期で第１駆動薄膜トランジスタ ＤＴ１のゲート誘電体層１０６の中（図３Ｂ−１に示される）に入り、第１駆動薄膜ト ランジスタＤＴ１が次に駆動した時に、しきい値電圧をシフトさせるが、次のフレーム 周期の時に、電圧Ｖ１の極性を負に変え、電圧Ｖ２の極性を正に変えて、電場Ｅの方向 を上から下にすることができる（即ち、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２によって発光 ダイオードＤを駆動する）。これにより、ゲート誘電体層１０６の中に入る電子ｅが活 性層１０８に戻り、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１が次に駆動した時に、しきい値電 圧がシフトするのを防ぐ。他の実施例では、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２も同一の極性で異なる 大きさを有することもでき、類似の方法によってしきい値電圧がシフトするのを防ぐ。
【００１８】
図１Ａ〜１Ｇは、本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示シス テムの製造方法の断面外略図を示している。図１Ａを参照下さい。例えば透明なガラス または石英の、画素領域Ｐを有するアレイ基板１００を提供している。アレイ基板１０ ０上は、バッファ層１０２と導電層１０４が順次に形成される。バッファ層１０２は、 例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構造からなることができる。 また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された多層構造からなることもで きる。導電層１０４は、例えば、アルミニウム、銀、モリブデン、アルミニウムネオジ ウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成された金属層からなることがで きる。導電層１０４は、従来の堆積技術、例えばスパッタリング法によって形成される ことができる。
【００１９】
図１Ｂを参照下さい。導電層１０４にフォトレジストとエッチングプロセスを行い、 画素領域Ｐに薄膜トランジスタを駆動するゲート１０４ａと電荷を蓄積する電極１０４ ｂを定義する。続いて、バッファ層１０２上に絶縁層１０６と反動体層１０７を順次に 形成して、ゲート１０４ａと電極１０４ｂを覆う。ゲート１０４ａを覆う絶縁層１０６ は、ゲート誘電体層となり、電極１０４ｂを覆う絶縁層１０６は、キャパシタ誘電体層 となる。絶縁層１０６は、例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構 造からなることができる。また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された 多層構造からなることもできる。半導体層１０７は、ポリシリコンまたはアモルファス シリコンからなることができる。
【００２０】
図１Ｃを参照下さい。ゲート１０４ａの上方の半導体層１０７上にフォトレジストパ ターン層１１０を形成することができる。続いて、レジストパターン層１１０を用いて インプラントマスクとし、半導体層１０７に重イオン注入１１１を行って、ゲート１０ ４ａの上方の絶縁層１０６上にソース／ドレイン領域１０８ａを有する活性層１０８を 形成し、電極１０４ｂの上方の絶縁層１０６上に電極１０８ｂを形成する。電極１０４ ｂ、電極１０８ｂと、絶縁層１０６は、第１蓄積コンデンサＣ１を構成する。
【００２１】
図１Ｄを参照下さい。レジストパターン層１１０を除去した後、活性層１０８と活性 層１０８から延伸された電極１０８ｂの上方に絶縁層１１２と導電層１１４を順次に形 成する。絶縁層１１２は、例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる単一層構 造からなることができる。また、例えば、酸化ケイ素層と窒化ケイ素層から構成された 多層構造からなることもできる。導電層１１４は、例えば、アルミニウム、銀、モリブ デン、アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成され た金属層からなることができる。導電層１１４は、従来の堆積技術、例えばスパッタリ ング法によって形成されることができる。活性層１０８を覆う絶縁層１１２は、ゲート 誘電体層となり、電極１０８ｂを覆う絶縁層１１２は、キャパシタ誘電体層となる。
【００２２】
図１Ｅを参照下さい。導電層１１４にフォトレジストとエッチングプロセスを行い、 活性層１０８の上方の絶縁層１１２上にゲート１１４ａを形成し、電極１０８ｂの上方 の絶縁層１１２上に電極１１４ｂを形成する。ゲート１１４ａは、ほぼゲート１０４ａ と揃い、電極１１４ｂは、ほぼ電極１０４ｂと揃う。電極１０８ｂ、電極１１４ｂと、 絶縁層１１２は、第２蓄積コンデンサＣ２を構成する。続いて、ゲート１１４ａを用い てインプラントマスクとして、活性層１０８に軽イオン注入１１５を行い、その中に軽 ドープドレイン（ＬＤＤ）領域１０８ｃを形成する。軽ドープドレイン（ＬＤＤ）領域 １０８ｃは、ソース／ドレイン領域１０８ａに隣接する。
【００２３】
図１Ｆを参照下さい。絶縁層１１２上に層間絶縁（ＩＬＤ）層１１６と平坦化層（ま たは保護層）１１８を順次に形成し、ゲート１１４ａと電極１１４ｂを覆う。次に、平 坦化層１１８、層間絶縁層１１６と、絶縁層１１２を順次にエッチングし、その中のビ アホール１１９にソース／ドレイン領域１０８ａを露出する。
【００２４】
図１Ｆを参照下さい。ビアホール１１９に導電層１２０を充填してソース／ドレイン 領域１０８ａに電気的接続している。導電層１２０は、例えば、アルミニウム、銀、モ リブデン、アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）合金、またはその組み合わせから構成 された金属層からなることができ、薄膜トランジスタのソース／ドレインとして用いら れる。本実施例では、ゲート１０４ａ、絶縁層１０６、活性層１０８と、ソース／ドレ イン１２０は、第１駆動薄膜トランジスタＤＴ１を構成し、ゲート１１４ａ、絶縁層１ １２、活性層１０８と、ソース／ドレイン１２０は、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２ を構成する。
【００２５】
上述の本実施例に基づくと、発光ダイオードＤが第１と第２駆動薄膜トランジスタＤ Ｔ１とＤＴ２によって交互に駆動され、且つ駆動されていない薄膜トランジスタを用い て電子ｅを活性層１０８に送り戻すことから、しきい値電圧がシフトするのを防ぐこと ができる。また、第２駆動薄膜トランジスタＤＴ２と第２蓄積コンデンサＣ２が第１駆 動薄膜トランジスタＤＴ１と第１蓄積コンデンサＣ１上にそれぞれ堆積されることから 、画素領域Ｐの開口率は、駆動薄膜トランジスタと蓄積コンデンサの数を増加したこと で、低下するということはない。
【００２６】
図４は、もう１つの実施例の画像表示システムを示している。前記システムは、例え ば、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュ ータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーなどの自己発光表示 装置または電子装置に実施されることができる。他の実施例では、上述の自己発光表示 装置は、表示パネルの中に併入されることができ、自己発光型表示パネルとなることが できる。図４に示されるように、自己発光型表示パネル４００は、図１Ｇに示された自 己発光表示装置３００を含む。他の実施例では、自己発光型表示パネルを電子装置の中 に併入することができる。図４に示されたように、電子装置６００は、自己発光表示装 置３００を有する自己発光型表示パネル４００と自己発光表示装置３００に接続された 制御器５００を含み、制御器５００は、自己発光表示装置３００を制御して、入力に基 づいて画像を提供する。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
発明は、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）技術に関し、特に 、しきい値電圧のシフトを制御でき、同時に開口率の降下を防止できる自己発光表示装 置を有する画像表示システムと、前記自己発光表示装置有する画像表示システムの製造 方法に関するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｂ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｃ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｄ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｅ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｆ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図１Ｇ】本発明の実施例に基づいた自己発光表示装置を有する画像表示システムの製造方法 の断面概略図を示している。
【図２】図１Ｇの自己発光表示装置の等価回路図を示している。
【図３Ａ】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図３Ｂ】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図３Ｂ−１】図１Ｇの自己発光表示装置の駆動薄膜トランジスタの操作概略図を示している。
【図４】本発明のもう１つの実施例の画像表示システムを示している。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、
画素領域を含むアレイ基板、
前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、及び
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタを含み、
同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが前記第１電圧と異なる第２電圧に接続される画像表示システム。
【請求項２】
前記自己発光表示装置は、
前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１電極と第２電極を含み、前記第１電極が前記第１ゲートに電気的接続される第１蓄積コンデンサ、及び
前記第２電極と前記第２電極上に堆積された第３電極を含み、前記第３電極が前記第２ゲートに電気的接続された第２蓄積コンデンサを含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項３】
前記自己発光表示装置を含む自己発光型表示パネル、及び
前記自己発光表示装置に接続され、前記自己発光表示装置を制御して、前記自己発光表示装置に入力に基づいて画像を提供させる制御器を更に含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項４】
前記システムは、前記自己発光型表示パネルを含む電子装置を含む請求項３に記載の画像表示システム。
【請求項５】
前記電子装置は、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーを含む請求項４に記載の画像表示システム。
【請求項６】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、
画素領域を有するアレイ基板、
前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタ、
前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１電極と第２電極を含み、前記第１電極が前記第１ゲートに電気的接続される第１蓄積コンデンサ、及び
前記第２電極と前記第２電極上に堆積された第３電極を含み、前記第３電極が前記第２ゲートに電気的接続された第２蓄積コンデンサを含む画像表示システム。
【請求項７】
同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが第２電圧に接続され、且つ前記第１電圧と前記第２電圧は、同じ大きさで相反する極性を有する請求項６に記載の画像表示システム。
【請求項８】
前記自己発光表示装置を含む自己発光型表示パネル、及び
前記自己発光表示装置に接続され、前記自己発光表示装置を制御して、前記自己発光表示装置に入力に基づいて画像を提供させる制御器を更に含む請求項６に記載の画像表示システム。
【請求項９】
前記システムは、前記自己発光型表示パネルを含む電子装置を含む請求項８に記載の画像表示システム。
【請求項１０】
前記電子装置は、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーを含む請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、
画素領域を含むアレイ基板、
前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、及び
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタを含み、
同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが前記第１電圧と異なる第２電圧に接続される画像表示システム。
【請求項２】
前記自己発光表示装置は、
前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１電極と第２電極を含み、前記第１電極が前記第１ゲートに電気的接続される第１蓄積コンデンサ、及び
前記第２電極と前記第２電極上に堆積された第３電極を含み、前記第３電極が前記第２ゲートに電気的接続された第２蓄積コンデンサを含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項３】
前記自己発光表示装置を含む自己発光型表示パネル、及び
前記自己発光表示装置に接続され、前記自己発光表示装置を制御して、前記自己発光表示装置に入力に基づいて画像を提供させる制御器を更に含む請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項４】
前記システムは、前記自己発光型表示パネルを含む電子装置を含む請求項３に記載の画像表示システム。
【請求項５】
前記電子装置は、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーを含む請求項４に記載の画像表示システム。
【請求項６】
自己発光表示装置を含む画像表示システムであって、
画素領域を有するアレイ基板、
前記アレイ基板の前記画素領域に設置された発光ダイオード、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１ゲートと活性層を含む第１駆動薄膜トランジスタ、
前記発光ダイオードに電気的接続され、且つ前記活性層と前記活性層上に堆積された第２ゲートを含む第２駆動薄膜トランジスタ、
前記アレイ基板の前記画素領域上に堆積された第１電極と第２電極を含み、前記第１電極が前記第１ゲートに電気的接続される第１蓄積コンデンサ、及び
前記第２電極と前記第２電極上に堆積された第３電極を含み、前記第３電極が前記第２ゲートに電気的接続された第２蓄積コンデンサを含む画像表示システム。
【請求項７】
同一のフレーム周期で、前記第１ゲートが第１電圧に接続され、前記第２ゲートが第２電圧に接続され、且つ前記第１電圧と前記第２電圧は、同じ大きさで相反する極性を有する請求項６に記載の画像表示システム。
【請求項８】
前記自己発光表示装置を含む自己発光型表示パネル、及び
前記自己発光表示装置に接続され、前記自己発光表示装置を制御して、前記自己発光表示装置に入力に基づいて画像を提供させる制御器を更に含む請求項６に記載の画像表示システム。
【請求項９】
前記システムは、前記自己発光型表示パネルを含む電子装置を含む請求項８に記載の画像表示システム。
【請求項１０】
前記電子装置は、ノート型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーを含む請求項９に記載の画像表示システム。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｂ−１】
【図４】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｂ−１】
【図４】
【公開番号】特開２００９−１９９０７８（Ｐ２００９−１９９０７８Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７７３８（Ｐ２００９−２７７３８）
【出願日】平成２１年２月９日（２００９．２．９）
【出願人】（５０３１４１０７５）統寶光電股▲ふん▼有限公司 (155)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月９日（２００９．２．９）
【出願人】（５０３１４１０７５）統寶光電股▲ふん▼有限公司 (155)
【Ｆターム（参考）】
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