【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが焼成中に焼失せず好適に固定され、発光性に優れた電子放出源用被膜を形成可能な被膜形成用組成物及び電子放出源の形成方法を提供する。
【解決手段】電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は５００℃以下である。基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、４００〜４５０℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】基体２と、基体２上に設けた導電層３と、ダイヤモンド微粒子５に直接又は金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６を形成してなるナノ炭素材料複合体４と、を含み、ナノ炭素材料複合体４を、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みで、導電層３を介して基体２上に設ける。 （もっと読む）

【課題】後処理工程を必要としない、電子放出能に優れる電子放出源、その製造方法、およびこれを用いた電界放出素子、並びに当該電子放出源を形成するための組成物を提供する。
【解決手段】有機残留物と、少なくとも一部の領域に形成された亀裂部と、前記亀裂部内に露出しているナノサイズの針状物質と、を含む電子放出源が開示される。前記針状物質は、前記亀裂部の内壁間に露出していることが好ましい。また、当該電子放出源を有する電界放出素子、および電子放出源形成用組成物もまた、開示される。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、高寿命な電子放出素子を形成するための非酸素雰囲気下で熱分解性の良い感光性樹脂を用いた電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供することを課題とする。
【解決手段】針状炭素、無機粉末および感光性樹脂を含む電子放出源用ペーストであって、感光性樹脂が、（メタ）アクリル酸エステルと重合性不飽和モノマーとの共重合体にエチレン性不飽和二重結合を有する化合物を付加させた感光性樹脂であり、さらに、（１）感光性樹脂の酸価が２５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であること、および（２）（メタ）アクリル酸エステルがイソブチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレートおよびアクロレインからなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】均一な電子ビームを放出でき、製造プロセスが容易な電子放出素子、該電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第１の層１０３を成膜する工程と、第１の層１０３上に、炭素を主成分とする第２の層１０４を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エミッタの低閾値電界化、高電流密度化、大面積化、安定化、長寿命化、および、低価格化を実現可能とする素材を提供すること。
【解決手段】 ナノスケールのシリコン微細針状突起群が形成された基板であって、当該シリコン微細針状突起の先端には略球状の炭素系微粒子が形成されている電界電子放出用素材である。ここで、炭素系微粒子がダイヤモンドを主成分とする微粒子であることが好ましく、これは、メタンガスプラズマＣＶＤにより形成できる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子を放出することが可能で、動作が安定しており信頼性が高い電子源、この電子源の作製方法、および、この電子源を使用する冷陰極放電灯等の放電装置を提供する。
【解決手段】電子源１において、基板２と、基板２上に形成されたダイヤモンド結晶微粒子３の集合体と、ダイヤモンド結晶微粒子３の表面に形成された白金微粒子４と、を備え、さらに、電子源１を、冷陰極放電灯等の放電装置に使用すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出源としての条件を満たし、整列性がよく、単一ビームの電子カラムとマルチビームの電子カラムの構造においても好適な電子放出源が必要である。
【解決手段】
本発明の電子放出源は、所定の位置に貫通しないアパーチャまたは溝（ｃｏｎｃａｖｅ ｏｒ ｗｅｌｌ）が形成された基材または蒸着などにより所定の部位が突出した基材、前記溝の内面にまたは突出した表面に付着された触媒または接着剤層、及び前記触媒または接着剤に成長または付着されるナノ構造チップを含む。 （もっと読む）

【課題】熱による特性変化を起こしにくく、安定した電子放出が可能な電子放出膜を備えた電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子の電子放出膜が、第１材料からなる第１層と、第１材料よりも電気抵抗率の小さい第２材料からなり前記第１層の中に設けられる複数の粒子と、を有する膜である。第１材料が、酸素と窒素とを含む材料である。詳しくは、第１材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。粒子の粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。電子放出膜の表面が水素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたらせん状ナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】らせん状ナノ炭素材料複合体１は、ダイヤモンド粒子２と、ダイヤモンド粒子の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したらせん構造を有するナノ炭素材料３と、からなる。らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体と基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料を形成してなるらせん状ナノ炭素材料複合体とを含み、らせん状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）