【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】１．０Ｐａよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層６ａでカソード６を形成し、１．０Ｐａ以上２．８Ｐａ以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部８の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部９を形成して電子放出点を増やす。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板１上に絶縁層２と、ゲート電極層３と、加熱によりＨｖ９５〜１４０の範囲のビッカース硬度を発現する熱硬化性樹脂からなる犠牲層４とをこの順に形成し、犠牲層４を１８０〜２１０℃の温度に所定時間保持して硬化させる。（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。（ｃ）犠牲層４とゲート電極層３とをマスクとして絶縁層２をエッチングして空孔部６を形成する。（ｄ）基板１に対して垂直上方からエミッタ材料７を蒸着させ、空孔部６内の基板１上にエミッタ電極８を形成する。（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程である程度の面積を一度に加工することが可能な冷陰極電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。溶媒を蒸発させてポリマーＢ中にポリマーＡを微粒子状に析出させて固定化し、現像液でポリマーＡを除去してエッチングホール９を形成し、エッチングを行なってゲート電極にホール６を形成する。さらにホール６からエッチングして絶縁層にもホールを形成し、ホール内にエミッタを形成して冷陰極電子源１０とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】 低仕事関数材料が被覆された、良好な電子放出特性を備える電子放出素子を、素子間の電子放出特性のバラツキを抑制し、再現性よく、簡易に製造する製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の前記上面の上方に電極を設ける第１工程と、第１導電性膜を、前記電極と離間するように前記上面の上から前記側面の上に渡って設ける第２工程と、第２導電性膜を、前記上面の上から前記側面の上に渡って、前記第１導電性膜の上に設ける第３工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、リーク電流の発生を抑えた信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備える絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成し、前記導電性膜に形成された膜密度の差を利用してエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の少なくとも前記側面の上に第１導電性膜を設ける第１工程と、前記上面の上から前記側面の上に渡って、かつ前記第１導電性膜の上に、第２導電性膜を設ける第２工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出源は、基板２と、基板２上に配置されたカソード電極３と、カソード電極３上に配置され、カソード電極３を露出させるように複数のエミッタホール７が配置された絶縁層４と、絶縁層４を介して配置され、エミッタホール７と連通した開口部８が形成されたひさし部９を有するゲート電極５と、カソード電極３上のエミッタホール７領域に配置された電子放出部６とを備える。露出したカソード電極３表面は凹部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 基板上に、第１絶縁層と、第１絶縁層とは異なる材料からなる第２絶縁層と、電極とを、この順で積層する工程と、第２絶縁層の側面をエッチングして、第１絶縁層の側面に連続した第１絶縁層の上面を露出させる工程と、硼化ランタンの多結晶膜を、第１絶縁層の上面と側面とに渡って形成する工程と、を有し、多結晶膜を構成する結晶子のサイズを２．５ｎｍ以上とし、かつ、多結晶膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを有する導電性部材が高密度に配置されてなる構成を高精度に製造する。
【解決手段】基板上に導電性膜を成膜し、ネガ型感光性樹脂を塗布し、Ｙ方向に延びる微細な幅の開口部１ａを複数本有する第１のマスク１を用いて上記ネガ型感光性樹脂を露光した後、Ｙ方向に直交するＸ方向に延びる開口部２ａを複数本有する第２のマスク２を用いて上記ネガ型感光性樹脂を露光し、現像して、第１のレジストを形成し、該第１のレジストをマスクとして導電性膜をエッチングした後、再度ネガ型感光性樹脂を塗布し、第２のマスクをＹ方向にずらせて露光、現像して第２のレジストを形成し、該第２のレジストをマスクとして導電性膜をエッチングして余分な領域を除去することにより、Ｙ方向に延びる微細なラインを有する導電性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率に優れ、大きな電子放出量を得ることができ、安定な電子放出特性を得ることのできる電子放出素子を提供する。
【解決手段】間隙５を介して配置する第１の導電性膜４ａ及び第２の導電性膜４ｂと、該第１の導電性膜４ａに接続された第１のカーボン膜６ａ１，６ａ２と、第２の導電性膜４ｂに接続され、第１のカーボン膜６ａ１，６ａ２とは間隙７ａ，７ｂを介して対向する第２のカーボン膜６ｂ１，６ｂ２と、を有し、間隙７ａ，７ｂに、連続する凹部９ａ，９ｂを有する素子とする。 （もっと読む）