【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑えた電界放射型照明装置を提供する。
【解決手段】カソードマスクの開口部の中心とゲート電極の開口部の中心の平行方向の位置をずらすことにより、ゲート電極の開口部を通過する電子を偏向させ、電子軌道を傾けることができる。このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部以外に対応する部位であっても電子を衝突させることができ、発光ムラを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極１の表面に対向して距離Ｌ１を隔てて、電子引出し電極２が配置されている。カソード電極１及び電子引出し電極２には夫々、カソード貫通孔６、貫通孔７が穿設されている。ＣＮＴ含有炭素系粉材料からなる電子放出材料４がアノード電極３から見たときのカソード電極１の裏側の面にカソード貫通孔６に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極２とカソード電極１により生じた電界によって電子放出材料４から電子をアノード電極３に向けて放出させる。 （もっと読む）

【課題】電界放出された電子からゲート電極を保護するのに適した照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、ゲート電極開口部の開口径Ｄ１が絶縁体開口部の開口径Ｄ２より大きい。このため、電子の通過する開口部において絶縁体が張り出した構成となり、電界放出された電子がゲート電極に衝突することを抑制することが出来る。よって、ゲート電極に電界放出された電子が衝突することに起因する問題を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノ炭素材料複合体ペーストと、これを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体ペーストは、粒子に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料が形成されてなるナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と、溶剤と、を混合してなる。さらに詳しくは、ペースト組成として、バインダー材料と溶剤の重量比は、１：４〜１：９の範囲で、かつ、ナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と溶剤の総量の重量比は、１：１．５〜１：４の範囲である。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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電界放出陰極アセンブリと陽極との間の真空の間隙に保護蒸気が存在している電界放出デバイス。保護蒸気は、Ｍ−Ｈ結合（式中、ＭはＣ、Ｓｉ、Ｂ、ＡｌまたはＰであり得る）を含有するガスなどの１種または複数種の水素含有ガスであり得る。保護蒸気は、真空の間隙中において、２０℃で約１０^−８Ｔｏｒｒ（１，３３×１０^−６Ｐｅ）超の分圧を有する。
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【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極及びこれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】電界放出型電極１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたバリア層１２と、電界放出膜１３を備える。電界放出膜１３は、グラフェンシートからなるカーボンナノウォールＣＮＷ３１と、微結晶ダイヤモンド膜３２と、カーボンナノウォールＣＮＷ３１から成長し微結晶ダイヤモンド膜３２から突出するように形成されたスティック３３とから構成されるを含む。電界放出型電極１０は、バリア層１２が形成されるため、優れた電子放出特性を有する電子放出膜１３を備える。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型電界放出素子に関し、特に、不活性気体で作動するナノレベルの電界放出素子に関する。
【解決手段】本発明に係る電界放出素子は、基板と、該基板に設置される陰極電極と、該陰極電極に電気接続されるエミッタと、陽極電極と、を含む。前記陰極電極と前記陽極電極との間には少なくとも一種の不活性ガスが注入される。前記エミッタは前記陽極電極に対向して形成される先端を有する。前記エミッタの前記先端と前記陽極電極との距離をｈと表示し、前記不活性ガスの雰囲気で運動する電子の平均自由行程を
［数１］


と表示する場合、次の式を満足する。
［数２］
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【課題】ワイヤ状の陰極ベース表面にほぼ均一な高さで電界放射することが可能な電子放出層を備えた冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】陰極ベースが亜鉛と該亜鉛よりも融点が高い金属との合金材料からワイヤ状に作られており、このワイヤ状の陰極ベースは熱処理されて、その表面から多数の直径数ｎｍないし１００ｎｍのナノウイスカが電界放射を行うのに適した鋭利な針状に突出している。 （もっと読む）

【課題】電子放出の安定性、電子放出の制御性、等において優れた電界放射型電子源を提供すること。
【解決手段】基板１２上に、複数の炭素膜ブロック１４が配置されており、これら炭素膜ブロック１４は、先端ほど細くなる複数の針状炭素膜１６がほぼ一定の先端高さで基板面にほぼ垂直に成膜されて構成されている。炭素膜ブロック１６同士は、基板１２上において互いの間隔（ブロック間隔）が相互の電界放射を阻害しない間隔に制御されて配置されている。 （もっと読む）

【課題】均一な電界電子放出特性と高い耐久性とを有する、電子放出源。
【解決手段】酸化鉄ウィスカーからなる電界電子放出体であり、中でも鉄系基板を酸化雰囲気中で酸化させてその基板上に酸化鉄ウィスカーを直接成長させた構造であることを特徴とする。また、酸化鉄ウイスカーは、直径５ｎｍから２μｍ、長さ０．１μｍから１ｍｍ、アスペクト比５から１０万であり、ＦＥＤ用或いは照明用などの電極として幅広い応用が可能である。 （もっと読む）

【課題】針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカーなど）の微細な集合体構造を有する電子放出素子の提供、およびその安価で簡便な製造方法を提供する。また、その針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカー）の集合体を、均一で安定した形状の微細多孔に規則的に配設し、低電圧で動作可能な電子放出素子および表示素子を提供し、またその製造方法を提供する。さらには、画素間で電子源としてのばらつきが小さく、輝度階調の良好な表示素子およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】触媒金属を表面に付した基板上に微粒子を配設させ、該微粒子配設基板上に少なくとも１層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去して微細多孔を形成し、該微細多孔の底部に露出した前記触媒金属上に針状導電体を集合体として成長させる電子放出素子を製造する方法。
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【課題】 隣接している電子エミッタ尖端の間の距離を増加し、電界スクリーン・エフェクトを弱化するにより、同量の電流を取るため必要な電界強度、及び駆動コストを低減させることができる電界放出装置及びこれを用いた電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出装置は基板と、該基板の上に設けられている複数のカソードと、該カソード表面に設けられている複数の電子エミッタとを備え、前記複数の電子エミッタが位置されているカソード表面が突出した曲面であり、従って、該表面に設けられている複数の電子エミッタが発散形の分布を呈する。また、本発明は前記の電界放出装置を用いた電界放出ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来の電子放出素子よりも、電界印加時の放電や電子放出特性の変化あるいは劣化が抑えられた電子放出素子を提供することである。
【解決手段】導電性基材１と、メッシュ状導電体２と、前記導電性基材１に電気的に導通した状態で接合される電子放出源４と、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２とを非接触状態にするスペーサー５と、を有し、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２及び前記スペーサー５は電気的に絶縁されている電子放出素子であって、前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の沿面最短距離ｂが前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の空間最短距離ａを上回っていることを特徴とする。 （もっと読む）

ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。
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