【課題】本発明は、電界放出型電子源に関し、特にカーボンナノチューブを利用した電界放出型電子源に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、基板と、第一端及び第二端を含むカーボンナノチューブ針と、を含む。前記カーボンナノチューブ針の第一端は前記基板に電気接続されている。前記カーボンナノチューブ針の第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。前記カーボンナノチューブ針の第二端は円錐形に近似し、複数のカーボンナノチューブを含む。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノ炭素材料複合体ペーストと、これを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体ペーストは、粒子に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料が形成されてなるナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と、溶剤と、を混合してなる。さらに詳しくは、ペースト組成として、バインダー材料と溶剤の重量比は、１：４〜１：９の範囲で、かつ、ナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と溶剤の総量の重量比は、１：１．５〜１：４の範囲である。 （もっと読む）

【課題】発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、くびれ構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそのナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長したくびれ構造を有するナノ炭素材料３から成るナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、パラジウム担持基体をオクタノール中で６５０℃以上９５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体１は、酸化シリコン粒子２と酸化シリコン粒子２の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維３とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出源、それを適用した電子装置及び電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と別途に製造されたカソードを備え、カソードには、接着層によって固定された針状電子放出物質、例えば、カーボンナノチューブ層が設けられる電子放出源である。カーボンナノチューブ層は、懸濁液フィルタリング法を利用して形成され、後続する電子放出物質層の表面処理によって電子放出密度が上昇する。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
（もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる電子放出装置及び電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、基板２と、基板２上に配置された第１電極３と、第１電極３上に第１絶縁層４を介して配置され、第１電極３を選択的に覆うとともに、第１電極３を露出させるように複数の第１開口部１３が配置された第２電極６と、第２電極６上に配置された保護層７と、保護層７上に第２絶縁層８を介して配置され、第１開口部１３と連通するように第２開口部１４が配置された第３電極９と、第１電極３上の第１開口部１３領域に配置された電子放出部５とを備える。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブと、高温にさらされたときにカーボンナノチューブを損傷または分解（例えば、酸化による）から保護する保護材料とを含む組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。また、本発明は、前記電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電力消費を低く抑えることができる一方で要求される輝度レベルでの発光に必要な電子放出を機械的、電気的に安定して行うことを可能とする炭素膜を提供すること。
【解決手段】基板上に曲線状に繋がる壁４を電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜し、この網目状の壁４に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブ８を上記網目状の壁４の高さよりも高く成膜し、このカーボンナノチューブ８にその膜下部から膜中途に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜１０を成膜した構成。 （もっと読む）

【課題】電極基板上でカーボンナノチューブの起毛長さにばらつきがあっても、同等の電界電子放出特性の電界電子エミッタを提供可能とする。
【解決手段】複数本のカーボンナノチューブ５が起毛している電極基板１において、起毛長さが一定未満のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが短くなるほどカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数が多くなる比率で、また、一定の起毛長さ好ましくは１６μｍ以上のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが長くなってもカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数がほぼ一定の比率好ましくは１−６％でもって分布している電界電子エミッタ。 （もっと読む）

本明細書では、特に高周波応用のための三極管型電界放出デバイス（１１）が開示される。このデバイスは、陰極電極（１２）、陰極電極（１２）から間隔を空けられた陽極電極（１４）、陽極電極（１４）と陰極電極（１２）との間に配列された制御ゲート電極（１３）、および少なくとも電界放出先端部（１９）を有する。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、電界放出先端部（１９）の三極管区域（１１ａ）においてオーバーラップし、電界放出先端部と連携して三極管区域において電子ビームを生成するように動作可能である。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、三極管区域（１１ａ）の外側でオーバーラップせず、それぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）に沿った主となる長手方向を有する。これらのそれぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）の各々は、相互に関して非ゼロの角度で傾斜している。
（もっと読む）

本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
（もっと読む）

電子電界エミッタの放出を改善する新しい光画像形成型組成物が開示される。この組成物は、カーボンナノチューブおよび金属レジネートを含む。
（もっと読む）

【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

カソード基板を多層で構成し、各カソード基板上に配線を多層で配置することによって、カソードブロックの個数の制限なく、多数のカソードブロックによりさらに微細なローカルディミングが行われることができる電界放出装置を提供する。本発明による微細ローカルディミングが可能な電界放出装置は、カソード基板を多層で構成し、各カソード基板上に配線を多層で配置することによって、カソードブロックの個数の制限なく、多数のカソードブロックにより微細なローカルディミングが可能であることを特徴とする。また、配線設計によって各カソードブロックのＲＣ遅延時間を同一に調整することができるので、これにより、各カソードブロックに伝達される電流制御信号が同一のタイミングに到逹することができ、電界放出装置の特性が向上することができる。
（もっと読む）

【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）