【課題】冷陰極電界放出型電子源への希土類六ホウ化物の適用を実現し、輝度や電子源の寿命が向上し、エネルギーの広がりも抑制できる電子源を提供する。
【解決手段】高電界により電子放出する冷陰極電界放出型電子源であって、希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバが電子源支持針の表面に取り付けることで、上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】 電子線密度が高い電子放出体とこの電子放出体を組み込んだＸ線放射装置を提供する。
【解決手段】 炭素結晶の成長は最初は隆起部２２が徐々に大きくなり、次いで隆起部２２の先端から針状部２３が成長する。この針状部２３はグラフェンシートが斜めに多層に巻回され且つ内部は中空になっている。このようにして形成された炭素突起２１の軸は凹面１１の接線と略直交するため、多数の炭素突起２１の軸は凹面１１の焦点Ｆにて交わることになる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線を良好に遮蔽し、良好に可視光線を外部に取り出すことが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、遮蔽部１１と第１のフェイスガラス１２と給電部１３と配線１４と電源１５と発光素子２０と、を備える。発光素子２０は、アノード電極２１と蛍光体膜２２とエミッタ電極２３と第２のフェイスガラス２４と、を備える。遮蔽部１１を円錐台形状の凹部１１ａと凸部１１ｂとから構成し、発光素子２０から発せられる光を遮蔽部１１で反射し、外部に導出させることにより、Ｘ線の漏洩を良好に防ぎ、更に良好に可視光を外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、熱可塑性樹脂フィルムへの略垂直配向カーボンナノチューブ群の転写技術を確立することを目的とする。
【解決手段】下記工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする転写体の製造方法；
工程（Ｉ）：基板１の表面に対して略垂直に形成されているＣＮＴ群２の、該基板１の表面に接していない側の先端部２ｂを、熱可塑性樹脂フィルム３により被覆し、該フィルム３を形成している熱可塑性樹脂の軟化温度以上〜溶融温度以下の温度に加熱することによって、該先端部２ｂを該フィルム３中に埋没または該フィルムに貫通させる工程、工程（ＩＩ）：該フィルム３を冷却することによって、該先端部２ｂと該フィルム３とを接着させ、該基板１と該ＣＮＴ群２と該フィルム３とが一体となった構成物１０を得る工程、および 工程（ＩＩＩ）：該構成物１０から該基板１のみを剥離することによって、該ＣＮＴ群２と該フィルム３とが一体となった転写体１１を得る工程。 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】基体２と、基体２上に設けた導電層３と、ダイヤモンド微粒子５に直接又は金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６を形成してなるナノ炭素材料複合体４と、を含み、ナノ炭素材料複合体４を、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みで、導電層３を介して基体２上に設ける。 （もっと読む）

【課題】制御電極の構造を簡単化でき、簡単な構造で電界放出電流の制御が可能な電界放出発光素子を提供する。
【解決手段】基板１上に制御電極２を形成し、制御電極２の全体を絶縁層３で被覆する。また、絶縁層３上にカーボンナノチューブを含む電子放出層４を配置し、電子放出層４に対向して電子放出層４からの放出電子により発光する発光層５を配置する。即ち、電子放出層４の下方に絶縁層３を挟んで制御電極２を配置することで制御電極２を平坦な簡単な構造とする。またカーボンナノチューブを網目状の膜とし、カーボンナノチューブ膜の下地に対する被覆率を１パーセント以下とする。 （もっと読む）

【課題】 短尺かつ高密度のカーボンナノチューブを形成したカソード電極パターンの配置設計により、カソード電極パターンへの電界集中効果を効率的に発現させ、電流集中による劣化を生じず、耐振動性等の機械的強度に優れた、高効率で信頼性が高い電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上にカソード電極と、該カソード電極上に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層を有する電子放出素子であって、カソード電極、電子放出層を貫通するように基板に垂直方向に延設した複数の貫通孔を有し、貫通孔が、カソード電極上への電界集中効果を促進させる配置で設けられていることを特徴とする電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出できる電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極にマトリックス状に塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子に良好な均一性を有する電界を加えることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、アノード電極１１と、アノード電極１１と対向するように設置され、電界の印加により電子を放出する電子放出素子１６と、電子放出素子１６の上に設けられ、開口１４ａを備えるシャドウマスク１４と、アノード電極１１と、シャドウマスク１４との間に設置され、開口１３ａを備えるゲート電極１３と、を備える。ゲート電極１３の開口１３ａの半径をＲｇとし、シャドウマスク１４の開口１４ａの半径をＲｍとし、ゲート電極１３とシャドウマスク１４とが離間する距離をｈｇ、シャドウマスクの厚さをｈｍとすると、Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ及びｈｍは、１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７、１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０、ｈｍ／ｈｇ≦０．２を満たす。これにより、電子放出素子１６に良好な均一性を有する電界を加えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子を放出するエミッションサイトの数を増やすことで発光効率を向上させたエミッタの製造方法、エミッタ、電界放出発光素子の製造方法、電界放出発光素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供することである。
【解決手段】本発明は、フィールドエミッションデバイスであって、前記デバイスはカソードとアノードを備える。カソードは、懸濁液から複数のナノチューブをろ過することによって形成されるフィルタケーキから得られるカーボンナノチューブマットを備える。マットは、上面及び反対側の下面を備えることができる。下面は、マットが形成される間にフィルタに隣接して配設されるフィルタケーキ表面に対応する。上面は、カソードのエミッション面として働くことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分な先端の尖鋭度を有するＺｎＯナノロッドを、導電膜、更には導電性を有する基板上に形成することにより、高性能な冷陰極表示素子を、簡便かつ低価格で提供できる電子放出素子の製造方法及び電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０を所定温度に制御し、該基板上に酸化亜鉛を成長させ、先端が上方を向いたナノロッド５０を形成する電子放出素子６０の製造方法であって、
融点が前記所定温度以上である前記基板を用意する工程と、
前記基板上に、融点が前記所定温度以上である導電性膜２０を形成する工程と、
該導電性膜上に、前記酸化亜鉛を前記所定温度よりも低い所定低温度で成長させ、第１の直径ｄ１を有する第１のロッド３０を形成する工程と、
前記所定温度で前記酸化亜鉛を成長させ、前記第１のロッド上に、前記第１の直径よりも細い第２の直径ｄ２を有する第２のロッド４０を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】 放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出源は、基板２と、基板２上に配置されたカソード電極３と、カソード電極３上に配置され、カソード電極３を露出させるように複数のエミッタホール７が配置された絶縁層４と、絶縁層４を介して配置され、エミッタホール７と連通した開口部８が形成されたひさし部９を有するゲート電極５と、カソード電極３上のエミッタホール７領域に配置された電子放出部６とを備える。露出したカソード電極３表面は凹部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、小型化が可能な電子放出装置を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、カソード基板２と、カソード基板２上に配置されたカソード電極３と、電子を通過させる開口部８が形成されたゲート電極５と、ゲート電極５の上方に配置されたメッシュ電極９と、カソード電極３上に配置された電子放出部６と、電子放出部６の下方に配置された磁場発生手段１３とを備える。そして、磁場発生手段１３による所定の磁力とメッシュ電極９に印加する所定の電圧により電子放出部６から放出される電子の集束が制御される構成をなしている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができるフィールドエミッションランプを提供する。
【解決手段】カソード電極と、ゲート電極と、アノード電極とが真空容器中に配置されたフィールドエミッションランプにおいて、前記カソード電極は、突起部または溝部が形成された基板と、前記基板の突起部または溝部の表面に形成されたナノ炭素材料とを含むナノ炭素材料複合基板で形成されていることを特徴とするフィールドエミッションランプ。 （もっと読む）