【課題】低仕事関数を有し、化学的に安定な電子放出源を提供する。
【解決手段】ＳｒＴｉＯ_３バッファ層１０は、Ｓｒ^２＋Ｏ^２−層１２と、Ｔｉ^４＋Ｏ_２^４−層１４が積層されて形成される。バッファ層１０の表層は、Ｔｉ^４＋Ｏ_２^４−層１４にて終端されている。バッファ層１０の上には、ＬａＡｌＯ_３薄膜層２０が形成される。薄膜層２０は、ＳｒＴｉＯ_３バッファ層１０上に、順に交互に積層されたＬａ^３＋Ｏ^２−層２２およびＡｌ^３＋Ｏ_２^４−層２４を含む。 （もっと読む）

【課題】金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板１３上に、側鎖に液晶性分子構造を有する両親媒性ブロック共重合体を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜１１を形成する。次に、両親媒性ブロック共重合体膜１１が形成された導電性基板１３に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜１１内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜１４とする。その後、導電性基板１３に対して電解析出処理を行う。これにより、相分離構造膜１４の親水相１５の位置に、金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体１６が形成される。電解析出処理の後、さらに、相分離構造膜１４のみを除去する工程を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体１は、酸化シリコン粒子２と酸化シリコン粒子２の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維３とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】像揺れの原因であるカーボンナノチューブと金属母材の界面の幾何学的な不安定性を排除するために、炭素との化学的な変化がほとんど起こらないプラチナなどの炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性な金属をカーボンナノチューブを支持する部分に用いた電子源およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属フィラメント１に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブ３を接合したことを特徴とする電子源、またはＶ字型の導電性金属フィラメント基材に備え付けられる炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属針に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブを接合したことを特徴とする電子源である。 （もっと読む）

アンダー・ゲート電界放出トライオード装置、それに用いるカソード組立体は、電荷散逸層を含む。電荷散逸層は、カソード電極および／または電子電界エミッタの下または上に配置されていてよい。
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【課題】製造が容易で、良好な電子放出特性を示し、耐久性の点でも改善された電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧印加用の導電性基板８１と、導電性基板８１上に形成された金属膜８２と、金属膜８２上に電子放出部分として直接形成されたカーボンナノ構造体８３とを含み、加熱処理された電子源８及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や特殊な操作を必要とすることなく、電子放出能の高い薄膜型電子放出材料を形成するための組成物、前記薄膜型電子放出材料、その製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）有機高分子バインダーと、有機溶媒と、導電材と、気相成長法で作製された平均繊維径５〜１８０ｎｍのカーボンナノチューブ等を含む薄膜型電子放出材料の形成用組成物、（２）有機高分子マトリックス又は有機高分子の炭化物マトリックスと、導電材と、前記カーボンナノチューブ等の凝集体とを含む薄膜型電子放出材料、（３）前記組成物を導電性基板上に塗布したのち、加熱処理し、又はさらに焼成処理することにより、前記薄膜型電子放出材料を製造する方法、（４）前記薄膜型電子放出材料を用いて作製されてなる電界放出型素子、及び（５）前記電界放出型素子を搭載してなる電界放出型ディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】電子エミッタ作製プロセスが含むバッファ層を生成するプロセスを省略可能とすることである。
【解決手段】本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。本電子エミッタ用基材１０の製造方法は、導電性基材１６の表面に黒鉛含有ペースト２０を付着させる工程を含む。本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室３２内で上記電子エミッタ用基材１０の基材温度を７００℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜４２を成膜して電子エミッタ４４を製造する。 （もっと読む）

【課題】加熱プロセスにおける熱の分布を均一にしたＦＥＤ用カソード基板の提供。
【解決手段】基板上に、パターニングされたカソードライン、ゲート電極ライン及び収束電極ライン等のパターンを鏡像対称となるよう設ける。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料自体の劣化の少ない構造・構成を有し、コンパクトで薄型かつ低コストな電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。これにより、基板上に良質の窒化ホウ素材料を得ることができる。また、同材料に電子を放出する際の電圧印加を行うことが可能となり、かつ、電子を供給することができる。また、窒化ホウ素材料１３としてＳｐ^３結合性窒化ホウ素を用い、さらには、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素として、Ｓｐ^３結合性５Ｈ−ＢＮ材料又はＳｐ^３結合性６Ｈ−ＢＮ材料を使用することにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 太陽光等の熱エネルギーを効率よく電気的エネルギーに変換が可能なエネルギー変換装置を提供する。
【解決手段】 エネルギー変換装置1は、真空容器2、電子放出電極3、電子加速電極4、電子加速電源5および電子収集電極6を備えている。電子収集電極6は、電子通過用貫通孔7aが設けられており電子放出電極3に近い放出電極側電極板7と、電子通過用貫通孔が設けられており電子加速電極4に近い加速電極側電極板とからなる。より多くの電子が加速電極側電極板8に収集されることを利用して、加速電極側電極板8を負極、放出電極側電極板7を正極とすることにより、電気エネルギーが取り出される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出の妨げを低減することができる電子放出素子基板及び電子放出素子基板の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 絶縁性の基板３２と、基板３２上に形成されたＸ方向配線８８及びＹ方向配線８９と、両配線８８，８９に接続された一対の素子電極８１，８２と、素子電極８１，８２間に接続された導電性膜８５と、導電性膜８５の一部に形成された電子放出部８７と、Ｘ方向配線８８及びＹ方向配線８９によって区画された領域において、電子放出部８７を除く部分に形成された抵抗膜９０とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した品質の表示が可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板１１上に配線１８と、配線１７とを形成し、配線１８に接続する第１電極２４と、配線１７に接続する第２電極２５とを形成する。第１電極２４と第２電極２５との間に第１凸部１９を形成し、第１凸部１９の上に第２凸部２０を形成する。第１電極２４及び第２電極２５に接続するように第２凸部２０の上に導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に電子放出部１３を形成する。そして、電子放出部１３が、配線１８または配線１７より高い位置に配置され、対向電極７３により近くなる。 （もっと読む）

10 nm未満の外径、及び10層未満の層を有するカーボンナノチューブ物質を開示する。また、基板、任意に接着促進層、及び電子電界放出物質層を含む、電子電界放出素子を開示する。該電子電界放出物質は、１チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有する、カーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ製造方法の１つは、下記段階を含む：(a) MgO 粉末上に支持されたFe、及びMoを含む触媒を製造する段階；(b) 水素、及び前駆体としての炭素を含む混合ガスを使用する段階；及び(c) カーボンチューブを製造するように、前記触媒を950℃以上に加熱する段階である。電子電界放出陰極の他の製造方法は、下記段階を含む：(a) １チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有するカーボンナノチューブを含む、電子電界放出物質を合成する段階；(b) 適切な溶媒中で、該電子電界放出物質を分散する段階；(c) 基板上に、該電子電界放出物質を堆積する段階；及び(d) 該基板をアニールする段階である。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）