【課題】DLC保護膜の薄膜化するとともに、充分な性能を持つDLC保護膜の成膜方法、薄膜化したDLC保護膜を有する磁気記録媒体を備えることを特徴とする磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも記録層、保護膜を設けた磁気記録媒体において、該保護膜が磁気記録媒体用保護膜であり、該磁気記録媒体用保護膜と記録層の間に遷移層を有する磁気記録媒体。該遷移層を薄くするために、プラズマCVD法による磁気記録媒体用保護膜の成膜工程において、負のバイアス電圧を増加しながら成膜することを特徴とする成膜方法および磁気記録装置。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の加熱温度Ｔと、その結果得られるカーボン保護層の密度ｄとの関係を明らかにすることにより、所望の密度のカーボン保護層が得られる加熱温度の範囲を求める。
【解決手段】垂直磁気記録媒体の磁気記録層を形成する工程と、垂直磁気記録媒体を加熱する工程と、カーボン保護層を形成する工程とを含み、加熱する工程では１９５≦Ｔ≦３７０℃に加熱し、ＸＲＲ法によって測定したカーボン保護層の膜厚をｔとし、ＸＲＦ法によって測定するカーボン保護層の範囲の面積をｗとし、ＸＲＦ法によって測定したカーボン保護層に含まれるカーボン原子の数をｎとし、カーボン保護層の密度をｄとしたとき、ｄ＝ｎ×１２×１０^−６／（ｗ×ｔ×６．０２×１０^２３）（ｇ／ｃｍ^３）で表される密度が、ｄ≧１．６５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上し、媒体保護層の膜厚が３ｎｍ以下に制限されたとしてもハイフライライト等の諸問題を回避可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基体１０、磁気記録層２２、媒体保護層２６を備える、本発明の垂直磁気記録ディスク１００において、媒体保護層２６は、含有する窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）の原子量比（Ｎ／Ｃ）が０．０５０〜０．１５０であり、かつ、波長５１４．５ｎｍのアルゴンイオンレーザ光により媒体保護層２６を励起して得られる波数９００ｃｍ^−１〜波数１８００ｃｍ^−１におけるラマンスペクトルから蛍光を除いたスペクトルの１３５０ｃｍ^−１付近に現れるＤピークＤｈと１５２０ｃｍ^−１付近に現れるＧピークＧｈとをガウス関数により波形分離したときのピーク比Ｄｈ／Ｇｈが０．７０〜０．９５であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】工程時間の増大やコストの増大の問題が生じにくい方法により、ＤＴＲ媒体やパターンド媒体等を適切に形成する。
【解決手段】垂直磁気記録層２２には、磁気ヘッドの走査方向に延伸する記録領域であるトラック１０２が走査方向と交差する方向に複数並べて設定され、垂直磁気記録層２２の表面におけるガードバンド領域１０４には、トラック１０２に沿って延伸する溝部２０２が形成されており、走査方向と直交する平面による垂直磁気記録層２２の断面において、
溝部２０２を挟む複数のトラック１０２における幅方向中央近傍の平均高さ（破線３０２）を基準とした溝部２０２の最深部の深さＤが、０．５〜１０ｎｍであり、かつ、溝部２０２における、最深部の深さの１／２以上の深さの領域の幅Ｗは、トラックピッチＬの５〜３０％である。 （もっと読む）

【課題】高い結合潤滑剤比率で結合された潤滑剤トップコートを含んでいる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ペルフルオロポリエーテルホスフェートポリマーは約１０００〜約５０００の分子量をもって生成され、そして磁気記録媒体のトップコートに適用されて０．９を越す結合潤滑剤比率を達成する。 （もっと読む）

【課題】潤滑層の膜厚がディスク面内で不均一となることを防止できる磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも、磁性層、保護層、潤滑層を順次形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
保護層を成膜した後から潤滑層を形成するまでの作業を、光触媒に対して光を照射して雰囲気中の化合物を分解する処理を施した雰囲気中において行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐腐食性に優れた二重保護層を備えた磁気記録再生ヘッド、磁気ディスク、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気記録再生ヘッド１００または磁気ディスク２００の清浄化された表面に、遷移金属酸化窒化物（ＭｅＯ_xＮ_y）からなる密着性向上のための下地層１８０（２８０）と、ＤＬＣ層１９０（２９０）とからなる２層構造保護膜を形成する。Ｍｅは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる遷移金属群から選択される単一遷移金属、あるいは２種以上の遷移金属の合金である。ｘは０〜３の範囲、ｙは０〜２の範囲とすることが好ましい。下地層１８０（２８０）のｘおよびｙの値を適切に調整することにより、応力補償性、優れた耐摩耗性および耐腐食性、化学的・機械的安定性、および低い導電性が得られる。 （もっと読む）

【課題】ヘッドに対する耐磨耗性の低下や特性低下が少なく、保護層のカバレッジ性の低下による磁気記録層からの金属溶出、耐腐食性低下の少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体にＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法およびディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターン形状を有し、さらに該凹凸パターン形状の上に保護層を有する磁気記録媒体において、前記保護層がＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】基板上に、微粒子で高保磁力であり、かつ高価な白金を含まない磁性微粒子を単層配列させることにより高密度磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に単層配列された磁性粒子を有する磁気記録媒体において、該磁性粒子が、少なくとも鉄および窒素を構成元素とし、かつ少なくともＦｅ₁₆Ｎ₂相を含む、平均粒子サイズが５〜５０ｎｍの球状ないし楕円状の磁性粒子である磁気記録媒体。この磁気記録媒体は、Ｆｅ₁₆Ｎ₂相の高い磁気異方性を反映して、７９．６〜３９８．０ｋＡ／ｍ（１０００〜５０００Ｏｅ）の大きな保磁力を示す。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐腐食性に優れた二重保護層を備えた磁気ディスクまたは磁気記録再生ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気ディスクまたは磁気記録再生ヘッドの清浄化された表面に、アルミニウム酸化窒化物、チタンアルミニウム合金酸化窒化物、シリコンアルミニウム合金酸化窒化物またはクロムアルミニウム合金酸化窒化物等の酸化窒化物からなる密着性向上のための下地層を形成し、その上にＤＬＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスダストの発生を抑えまた記録再生ヘッドの浮上特性のより良い磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体は基板上に、凸状の磁性パターンと磁性パターン間の凹部を充填する非磁性体とを含む磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記磁性パターン間の凹部を充填するとともに凸部にも非磁性体が成膜され、保護膜で被覆された後の媒体断面形状は、トラック中央部から分離領域中央部にかけて高さが減少し、隣接トラック中央部に向かって再び高さが増加するという楕円弧状で、トラックと分離領域の高さの差は4nm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気データ記録粒状層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体２００の基板２０２上に、ニッケル（Ｎｉ）と、面心立方ニッケル（Ｎｉ）相に対する溶解度が室温以上で５０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ³/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるシード層２０４を付着し、続いて下地層２０６、磁気データ記録粒状層２０８を順次付着する。前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びトリウム（Ｔｈ）から選択される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマ３８から、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の記録層に用いるＣｏ系合金は腐食しやすい合金であるため、記録密度向上のために保護膜の薄膜化を進めていくと、耐食性、耐久性の観点から製品性能を満足する結果を得ることが難しくなってくる。
【解決手段】垂直磁気記録媒体のグラニュラー磁性層６を保護するＤＬＣ保護膜７をＣＶＤ法により形成する際に、グラニュラー磁性層界面側の第１層７ａの膜厚を保護膜全膜厚の７．５〜２５％，水素含有量を３３〜３８％とし、第２層７ｂの膜厚を保護膜全膜厚の５０〜８５％，窒素含有量を３〜７％とし、最表面側の第３層の膜厚を保護膜全膜厚の７．５％〜２５％，水素含有量を２５％以下とする。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】金属材料の保護性能を向上させた金属保護膜の形成方法及び金属保護膜の成膜システムを提供することにある。
【解決手段】制御装置１３が、各チャンバＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を駆動制御し、基板１４を磁性層形成チャンバＦ２に搬入して基板１４に磁性層１５を形成する。また、制御装置１３が、基板１４をタンタル層形成チャンバＦ３に搬送し、斜め入射スパッタ法を用いて磁性層１５の全体にわたりタンタル層１６を被覆する。また、制御装置１３が、基板１４を酸化チャンバＦ４に搬送し、タンタル層１６の表面全体を酸素ラジカルに晒してタンタル層１６を酸化する。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体において、媒体の電磁気特性、特にＳ／Ｎ比を低下させることなく、化学的および機械的に安定は保護膜を形成する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成され、粒界に非磁性粒界層を有し、垂直磁気異方性を有する主記録層と、前記主記録層に隣接して積層され、互いに隣接して形成された磁性粒子を含み、前記主記録層よりも垂直磁気異方性が小さい副記録層と、よりなる記録層と、前記記録層上に形成された炭素を主成分とする保護膜とよりなり、前記副記録層を構成する磁性膜は、Ｃｒを１３原子％〜１９原子％の範囲で含むＣｏＣｒ合金よりなる垂直磁気記録媒体において、前記保護膜を、ＣＶＤ法により、２００℃以上の温度で形成する。 （もっと読む）