【課題】実質的に劣化することなく、かつ層状磁気構造の化学エッチングに屈することなく、層状磁気構造の機械研磨に耐える１つ以上の停止層を含む、層状磁気構造を提供する。
【解決手段】トランスデューサヘッド用のリーダ構造を製造するための公差は小さくなり続け、対応する記憶媒体における記憶密度は増加する。リーダ構造の製造中、リーダ構造のさまざまな層を後退および／または擦り切れから保護しつつ、リーダ構造の他の保護されていない層を処理するために、リーダ停止層が利用されてもよい。たとえば、停止層は、機械研磨または化学機械研磨中、非常に低速の研磨速度を有していてもよい。研磨速度が非常に低速の停止層によって保護された構造は実質的に影響を受けず、一方、周囲の区域は著しく研磨されてもよい。停止層は次に、たとえば機械研磨または化学機械研磨の完了後、エッチングを介して除去されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造を提供する。
【解決手段】 本発明は、自由層の堅牢性向上およびバルクハウゼンノイズの低減のために磁気バイアスを改善する新たな磁気バイアス構造を有する磁気読み出しヘッドである。バイアス構造は、第１および第２の下層の上に形成されるハード磁性層を含む。第１の下層の少なくとも一部分は、別個の材料の島として形成され、第２の下層は第１の下層の上に形成される。第１の下層は、０．２５〜０．７５ｎｍの厚さを有する。新たなシード層構造により、ハード磁性層が、センサースタックに隣接する領域でも、センサースタックの自由層と実質的に平行な磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）

【課題】再生信号におけるビット間干渉ノイズを低減する。
【解決手段】一実施形態のスピントルク発振素子再生ヘッドは、スピントルク発振素子及び一対のシールド部を備える。スピントルク発振素子は、磁気記録媒体に対向する第１の対向面を有する。前記スピントルク発振素子は、１対のシールド部の間に配置される。シールド部は、前記磁気記録媒体に対向する第２の対向面をそれぞれ有する。前記第２の対向面のそれぞれと前記磁気記録媒体との距離は、前記第１の対向面と前記磁気記録媒体との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】
ハードバイアスのシード構造を有する磁気センサを提供する。
【解決手段】
データ密度増加させるため縮小したギャップ間隔を提供する新規なハードバイアス構造を有する磁気センサ。本磁気センサは、磁気シールド上で形成される第１および第２の側面を備えるセンサ積層体を含む。薄い絶縁体層は、センサ積層体の側面上および最下部シールド上に形成される。Ｃｕ−Ｏを含む下地層は、絶縁体層上に形成され、ハードバイアス層は下地層上に形成される。下地層にＣｕ−Ｏを使用することにより、下地層をより薄くすることができつつ、その上方に形成されるハードバイアス層中でも優れた磁気特性を維持することを可能にする。下地層の膜厚縮小により、ギャップ間隔（最上部および最下部磁気シールド間の間隔）が縮小され、そのことは次にデータ密度の増加を提供する。 （もっと読む）

【課題】所与の厚さの反強磁性層に対する交換バイアスが増加した磁気デバイスを提案することによって従来技術の欠点を克服すること。
【解決手段】本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第１の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 （もっと読む）

【課題】望ましくない磁束から磁気抵抗（ＭＲ）素子を保護することができる磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗（ＭＲ）リーダ１９２は、空気軸受面（ＡＢＳ）から第１の距離を延在する少なくとも１つのシールド１９４，１９６に近接する。シールドは、ＭＲリーダに接触するように近接し、ＡＢＳから第１の距離未満である第２の距離を延在する、安定化構造２００を有する。安定化構造はＭＲリーダと一致する面積範囲を有する。 （もっと読む）

【課題】不要な磁束から磁気抵抗素子を保護し、磁気読出しを高めることが可能な磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気素子１９０は、少なくとも１つの横側方シールド２０６によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体１９２を有し、少なくとも１つの横側方シールドは、第１および第２の強磁性層２１０、２１２の間に配置される遷移金属層２０８を有する。 （もっと読む）

【課題】タンタル挿入層を使用したＴＭＲセンサ薄膜及びそのシステムを提供する。
【解決手段】 一実施形態においては、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）ヘッドは、基板上部のリード層と、リード層上部のシード層と、シード層上部の反強磁性（ＡＦＭ）層と、ＡＦＭ層上部の第１強磁性層と、第１強磁性層上部の第２強磁性層と、第１及び第２強磁性層の間の結合層であって、第２強磁性層の磁化を第１強磁性層の磁化に結合させる結合層と、第２強磁性層上部の固定層と、固定層に隣接した又は固定層の内部の挿入層と、固定層上部のバリア層と、バリア層上部の自由層と、自由層上部のキャップ層と、を含む。別の実施形態において、挿入層は、厚さが約０．０５ｎｍ〜０．３ｎｍであり、且つ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、及び／又はＺｒを含み、且つ、自由層は、ＣｏＦｅＢを含む。 （もっと読む）

【課題】改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクドライブ用ＣＰＰ−ＧＭＲ又はＣＰＰ−ＴＭＲ読み出しヘッドのための硬質磁性体バイアス構造が、２つのセンサシールドＳ１、Ｓ２間に位置し、センサの自由層１１０の側縁に隣接している。絶縁層１１６は、バイアス構造と下部シールドとの間、及び自由層１１０の側縁の間に位置する。バイアス構造１５０は、Ｉｒ又はＲｕのシード層１１４と、そのシード層１１４上の強磁性で化学的配列が規則付けられたＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５と、そのＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５上のＲｕ又はＲｕ／Ｉｒキャッピング層１１８とを含む。ＦｅＰｔ合金は、そのｃ軸が全般的に層の平面内にある面心正方構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、第１の電極と、第１の磁性層と、第２の磁性層と、スペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素とＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とを含む酸化物層と、酸化物層に接して設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素を０．５ａｔ%以上８０ａｔ％以下の濃度で含み、かつＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素を含む金属層とを備える。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、その間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層は、磁気抵抗効果素子４が形成される基板に対し、第２の磁性層よりも近い側に位置している。スペーサ層１６は、銅層１６ａと、金属中間層１６ｂと、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｃと、を有し、銅層及び金属中間層が主スペーサ層と第１の磁性層との間に位置し、金属中間層は銅層と主スペーサ層との間に位置している。金属中間層は、マグネシウムまたは少なくとも一部が酸化されたマグネシウム、アルミニウムまたは少なくとも一部が酸化されたアルミニウム、及び亜鉛または少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる群から選択された少なくとも一つを主成分としている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサのキャッピング層内での酸化物形成をなくすことによって、センサの面積抵抗を減少させ、ＭＲ比を減少させる磁気センサを製造する方法。本方法は、センサ積重体を覆って形成された多層キャッピング構造を有する、センサ積重体を形成することを含む。多層キャッピング構造は、第１、第２、第３、および第４の層を含みうる。第２の層は、容易に酸化されず、第１の層と異なる材料から構成される。センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子４が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置し、スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、銅とガリウムとを含む第１の非磁性層１６ａと、を有している。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】スライダーにおける接触センサー用のノイズおよび粒子のシールドを提供する。
【解決手段】スライダーは、温度変化による抵抗の変化に反応するよう構成された接触センサー素子と、シールド構造を備える。シールド構造は、接触センサー素子よりも小さい熱伝導率、及び接触センサー素子よりも高い硬度を備える。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第１強磁性層２と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第２強磁性層１０と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた非磁性層６と、第１強磁性層と非磁性層との間に設けられた第１界面磁性層４と、第２強磁性層と非磁性層との間に設けられた第２界面磁性層８と、を備え、第１界面磁性層は、第１強磁性層側に設けられた第１界面磁性膜４ａと、非磁性層側に設けられ第１界面磁性膜と組成が異なる第２界面磁性膜４ｃと、第１界面磁性膜と第２界面磁性膜との間に設けられた第１非磁性膜４ｂとを備え、第１強磁性層と第２強磁性層との間に非磁性層を通して電流を流すことにより、第１強磁性層および第２強磁性層の一方の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、ＳｎおよびＣｄから選択される少なくとも１つの元素並びにＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層とを備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記機能層の母材料から成る膜を成膜し、前記膜に、酸素の分子、イオン、プラズマおよびラジカルから成る群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いた酸化処理を施し、前記酸化処理が施された膜に対して還元性ガスを用いた還元処理を施すことを含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】現在、反強磁性膜として、不規則相Mn₈₀Ir₂₀膜、規則相Mn₇₅Ir₂₅膜が業界標準である。しかしながら、両者とも結晶構造が立方晶であるが故に結晶磁気異方性エネルギー定数が10⁵ erg/cm³程度と小であり、熱揺らぎ耐性が不足している状態にある。いわゆる、ピンデグレが顕在化している問題がある。
【解決手段】上記課題を克服するため、結晶磁気異方性エネルギー定数約2×10⁸ erg/cm³を保有しているL1₀ Mn₅₀Ir₅₀膜を固定層用、反強磁性膜300として適用する。これにより、例えば、素子サイズ5 nm□、反強磁性膜厚5 nmになっても、緩和時間1.2×10⁴⁹ 年と、天文学的数値の熱揺らぎ耐性を確保できる。L1₀ Mn₅₀Ir₅₀系反強磁性膜の低温規則化手段については、Mn₅₀Ir₅₀膜下方に動的応力駆動・静的応力駆動MnIr低温規則化層を設けることにより、解決する。 （もっと読む）