【課題】処理対象物の表面に凹凸が生じることを防止できる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｘ_ｍＹ_ｎ（式中、Ｘ及びＹのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が１１〜４０の原子とし、水素原子の数を１〜６、他方の原子の数を１〜２とする）で表される分子の中から選択される少なくとも１種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物Ｗ内に注入するイオン注入法であって、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも１つを制御して、処理対象物Ｗ表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、加速したイオンによる活性種のエッチング速度を遅くする。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の磁気記録層に注入するイオンの垂直方向の濃度分布を、イオンを注入する層に応じた適切なものにすることで、書き込み特性および読み出し特性を向上させる。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、ディスク基体１１０上に、磁気記録層１２２を成膜する磁気記録層成膜工程と、磁気記録層の上にレジスト層１３０を成膜するレジスト層成膜工程と、レジスト層を加工することで当該レジスト層の厚みを部分的に変化させ凹部と凸部を有する所定のパターンを形成するパターニング工程と、レジスト層を介在させた状態で磁気記録層を含む複数の層にイオンを注入するイオン注入工程と、を含み、イオン注入工程において、イオンを注入するエネルギー量を調節してイオンを注入する層を決定し、そのエネルギー量を保持する時間を調節して各層へ注入されるイオンの総量を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（１）従来の熱アシスト記録方式やディスクリート方式（ＤＴＭ等）によっても解決できないクロストークの問題、（２）従来の埋め込み型ＤＴＭ等のもつ表面平坦性の問題、（３）ＤＴＭに熱アシスト方式を適用したときの、材料の熱膨張率差の問題を解決し、（４）特別な媒体構造を必要とせず、表面の平坦性が良好な、経済的・機能的に実現性の高い磁気ディスクを提供する。
【解決手段】イオン注入によるＤＴＭは表面平坦性に優れ、且つイオン注入した部分（非記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｎ）と、イオン注入していない部分（記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｒ）の間の温度で熱アシスト記録することにより、クロストークを解消することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のアノードを含むイオンビーム蒸着用のイオン源に関する。イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。
【解決手段】イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この原料の気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄの表面に加速照射するときに、永久磁石１０９による磁場を印加することによって、基板Ｄの表面に向かって加速照射されるイオン化した気体のイオン密度を高めて、この基板Ｄの表面に硬度が高く緻密性の高い炭素膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐腐食性に優れた二重保護層を備えた磁気ディスクまたは磁気記録再生ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気ディスクまたは磁気記録再生ヘッドの清浄化された表面に、アルミニウム酸化窒化物、チタンアルミニウム合金酸化窒化物、シリコンアルミニウム合金酸化窒化物またはクロムアルミニウム合金酸化窒化物等の酸化窒化物からなる密着性向上のための下地層を形成し、その上にＤＬＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）