【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光メディアの記録信頼性を向上できる、スパッタリングターゲットの製造方法等を提供する。
【解決手段】石英ガラス容器及び石英ガラスボールを備えたボールミル中において石英粒子を粉砕する粉砕工程と、粉砕工程後のボールミル中にさらにＺｎＯ粒子を添加し、粉砕された石英粒子とＺｎＯ粒子とを前記ボールミル中で混合することにより混合物を得る混合工程と、混合物を焼結する工程と、を備える製造方法により得られる、ＳｉＯ_２及びＺｎＯを主成分とする干渉膜２４を有する光メディアスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】透明で環境負荷耐性のある薄膜材料であり、スパッタ膜の４００ｎｍ近辺の青色レーザーの波長領域の消衰係数を改善することができる光記録媒体用薄膜を提供し、かつこの光記録媒体用薄膜のスパッタリング成膜時に、ダスト（発塵）の少ない焼結体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】記録層の耐久性に優れた光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層と、該記録層に隣接して形成される誘電体層とを備えた光情報記録媒体であって、前記記録層は、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４〜８５原子％であることを特徴とする光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。基板１０と、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有し基板１０上に設けられた反射層２０Ａ，２０Ｂと、を備える光メディア１００である。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜３．０質量％、Ｇａ：０．０５〜２．０質量％、Ｃａ：０．００１〜０．１質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、ターゲット本体１の周囲に鍔２を有する鍔付きターゲットであって、ビッカース硬さが４０〜７０の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり９０％以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり９０％以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を得る。
【解決手段】 硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 誘電体膜形成用のスパッタリングターゲットを得るため、酸化ニオブに酸化珪素や酸化タングステンを加えた系などの酸化物を含む粉末をグラファイト型で熱間加圧焼結する際に、得られる焼結体あるいはグラファイト型の割れをなくすことができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 低熱膨張率の酸化物を含む粉末を、グラファイト型を用いて熱間加圧焼結する焼結体の製造方法において、グラファイト型の割型２と外型３の間に空隙を設け、その空隙内にフラーレン５を充填し、真空雰囲気下で加熱保持してフラーレン５を蒸発消失させた後、熱間加圧焼結する （もっと読む）

【課題】レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、さらに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】導電性酸化亜鉛粉末または酸化亜鉛粉末：１０〜３０モル％、酸化ガリウム粉末：１〜１５モル％、酸化インジウム粉末：１〜１５モル％、表面に疎水性が付与された二酸化珪素粉末：１〜５モル％を含有し、残部：硫化亜鉛粉末となるように配合し混合して得られた混合粉末をホットプレスすることを特徴とする光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低いジッター値など良好な記録特性を有する高密度記録が可能な追記型光記録媒体の実現に適したスパッタリングターゲットとその製造方法の提供、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体の提供、及び、生産性の向上のため製膜速度の向上が可能で、製膜時の強度の高い、充填密度を高めたスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】（１）ＢｉとＢ、又は、ＢｉとＢと酸素を主成分として含む追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
（２）ＢｉとＢの原子比が、０．６≦Ｂｉ／Ｂ≦７．０である（１）記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
（３）ＢｉとＢの複合酸化物（Ｂｉ_４Ｂ_２Ｏ_９など）を含む（１）又は（２）記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法において、均質で歩留まりの良いターゲットを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を示す記録層をマグネトロンスパッタリングで形成するのに適したス
パッタリングターゲット及びその製造方法、並びに、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体及びその製造方法の提供。
【解決手段】（１）光記録媒体の記録層を形成する際に用いられるターゲットであって、
Ｂｉ及びＦｅを含み、磁束をターゲットの表面側から漏洩させるための形状、構造、組成の何れかを少なくとも１つ有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング可能なターゲット。
（２）非強磁性化合物を含む（１）記載のターゲット。
（３）Ｆｅが、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物として含まれている（１）又は（２）記載のターゲット。
（４）上記ターゲットを用いて製膜したＢｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を有する光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜を可能にする。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。このようなスパッタリングターゲットを用いて成膜した金属酸窒化膜は、相変化記録媒体１の界面層４、６等に使用される。 （もっと読む）

【課題】ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】複数の異なる組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲット１０において、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周（半径位置（１）〜（３）の円周）ごとで、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれの組成及び該組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれが占める割合から決まる平均組成が異なる。 （もっと読む）

【課題】 メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）