【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】１μｍ未満に薄層化した場合であっても、高温負荷特性と静電容量の温度特性とが両立可能な誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサの実現。
【解決手段】結晶構造が異なる第１の結晶粒子１と第２の結晶粒子２とが混在した混晶系構造を有している。主相粒子はチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ｌａ、Ｃｅ等の特定の希土類元素を含有している。第１の結晶粒子１は、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶していない主相粒子単独領域３と、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶した表層部の希土類元素固溶領域４とからなる。第２の結晶粒子２は、コア・シェル構造を有し、シェル部６は特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶している。そして、第１及び第２の結晶粒子１、２の全結晶粒子に対する個数割合は、第１の結晶粒子１が１２〜８４％であり、第２の結晶粒子２は１６〜８８％とする。 （もっと読む）

【課題】副成分の大部分が、ＢａＴｉＯ３粒子の表層に近い部分のみに存在し、粒子中央付近にはほとんど存在しない、表層が改質された構造を有し、容量温度特性が良好で、信頼性(絶縁抵抗(ＩＲ)の高温負荷寿命)に優れたセラミックコンデンサを実現することが可能なチタン酸バリウム系セラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃粒子をエッチングすることにより、ＢａＴｉＯ₃粒子表層のＢａを溶出させて、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子とし、このＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子に、Ｃａ，Ｓｒ，およびＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物（副成分）を添加し、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応させる。
溶解した状態の副成分をＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応（固液反応）させる。 （もっと読む）

【課題】内部電極層がセラミック層を介して積層された構造を有する積層セラミック電子部品において、内部電極に卑金属を用いた場合のように、焼成工程で内部電極が酸化されたり、内部電極層を構成する金属が玉化したりするおそれがなく、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサ、積層正特性サーミスタなどの積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極層を構成する電極材料として、Ｌａ，Ｎｉを主体とする低抵抗酸化化合物を用いる。
セラミック積層体を構成するセラミックとしてＢａＴｉＯ₃系セラミックを用いる。
セラミック積層体を構成するセラミックとして、ＢａＴｉＯ₃系誘電体セラミックを用いて積層セラミックコンデンサを構成する。
セラミック積層体を構成するセラミックとして、ＢａＴｉＯ₃系半導体セラミックを用いて積層正特性サーミスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてＡＢＯ₃（ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）を含み、副成分としてＣａＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（０≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されながら高い電界強度が付与されても、高温負荷寿命が長く、寿命ばらつきが小さく、大容量、高い電気絶縁性および良好な容量温度特性を得ることができる、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｇＯ＋ｂＶＯ_５／２＋ｃＲｅＯ_３／２＋ｄＭｎＯ＋ｅＳｉＯ_２（Ｒｅは、Ｙ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種。）で表わされ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、およびｍは、それぞれ、０．０５≦ｘ≦０．１５、０．０１≦ａ≦０．１、０．０５≦ｂ≦０．５、１．０≦ｃ≦５．０、０．１≦ｄ≦１．０、０．５≦ｅ≦２．５、および０．９９０≦ｍ≦１．０３０の各条件を満たすものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム主成分とする結晶粒子９がカルシウムを０．４〜１．０原子％含有し、マグネシウム、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記マグネシウムおよび前記希土類元素のうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、Ｘ線回折情報を基に算出した該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】 外部電極の下地電極を緻密化してメッキ液の浸入を防止し、下地電極におけるガラス浮きおよびブリスタの発生を防止すること。
【解決手段】 外部電極２が下地電極２ａおよび下地電極２ａに被着された１層以上のメッキ層２ｂからなるセラミック電子部品１において、下地電極２ａは、平均厚みが５μｍ以上25μｍ以下である、銅，銀，ニッケル，パラジウムまたはこれらの合金からなる金属成分と、硼珪酸系ガラスからなる、質量比が金属成分に対して15％を超えて30％以下であるガラス成分とを含むことを特徴とするセラミック電子部品１である。下地電極２ａ中のガラス成分の金属成分に対する質量比が高くなるので下地電極を緻密化させつつ、下地電極２ａ中のガラス成分の総量を一定の値以下に抑制することができるので、下地電極２ａ中へのメッキ液の浸入を防止でき、下地電極２ａのガラス浮きおよびブリスタの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】内部電極と焼付電極層との間の接続不良を防ぐと共に、素体に応力腐食割れが生じるのを防ぐことが可能な積層電子部品を提供すること。
【解決手段】積層電子部品は、素体２と、素体２内に配置された内部電極３と、素体２の端面１３，１４に配置されると共に内部電極３に接続された端子電極５と、を備えている。端子電極５は、端面１３，１４上に形成された焼付電極層５ａと、当該焼付電極層５ａ上に形成されためっき層５ｂと、を有している。内部電極３は、端面１３，１４の中央領域に露出して焼付電極層５ａと接続される引き出し部３ｂを有している。引き出し部３ｂの幅が、１００〜１８０μｍに設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、ＴｍおよびＬｕのうちの少なくとも１種）を含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＲｅの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＲｅ含有量の割合を５０％以上とし、Ｒｅの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＲｅ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】外部電極を薄く形成することができ、かつ、実装不良が発生することを抑制できる電極の形成方法及びこれを含む電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】積層体１２を準備する。積層体１２の第１の端面にペーストを塗布して銀電極２１４ａを形成する。銀電極２１４ａが形成された第１の端面をホットプレート１１０の表面に押さえつけて、銀電極２１４ａを平坦化する。この際、銀電極２１４ａをヒーター１０８により加熱する。 （もっと読む）

【課題】セラミック層の表面に簡単に耐酸性処理を施すことが可能な積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、セラミック焼結体１００と内部電極２１０と外部電極２２０とを備える。セラミック焼結体１００は、容量取得部１１０と、容量取得部１１０の外側に形成される上層１２１と下層１２２とを有する。容量取得部１１０は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第一の化合物を主成分として含み、上層１２１と下層１２２は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第二の化合物を主成分として含む。第一の化合物における元素Ａはカルシウムを５０ｍｏｌ％以上含み、第二の化合物における元素Ａは、カルシウムを含まない、または、１０ｍｏｌ％以下含む。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシートの耐シートアタック性を向上させる。
【解決手段】セラミックグリーンシート用樹脂組成物は、（Ａ）ポリビニルアセタール樹脂及び／またはポリビニルアルコール樹脂と、（Ｂ）ポリイソシアネートを活性メチレン化合物でブロックした活性メチレン系ブロックポリイソシアネートとを含む。また、セラミックグリーンシートは、そのようなセラミックグリーンシート用樹脂組成物を加熱架橋させてなる。 （もっと読む）

【課題】積層セラミック電子部品において使用する内部電極形成用の導電性ペーストであって、シートアタックを生じず、経時による粘度変化が少ない導電性ペースト組成物を提供する。
【解決手段】導電性金属粉末、セラミック粉末、有機ビヒクル、分散剤、有機溶剤等を含む導電性ペーストであって、有機ビヒクルを構成する樹脂が疎水性エチルヒドロキシエチルセルロース誘導体で、有機溶剤がジヒドロターピニルアセテート、イソボニルアセテート、イソボニルプロピネート、イソボニルブチレート、イソボニルイソブチレートから選ばれる少なくとも１種以上からなり、さらに疎水性エチルヒドロキシエチルセルロース誘導体におけるエトキシル基含有率が５６％〜６３％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、分極電荷が小さく、かつ優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、該結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有するとともに、前記結晶相を構成する結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであり、イットリウム、マンガン、マグネシウム、イッテルビウム、およびジルコニウムを含有する誘電体磁器からなるとともに、前記誘電体層のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対するＹｂ_２Ｔｉ_２Ｏ_７の面指数（２２２）の回折強度が５％以下である前記コンデンサ本体１中にＹｂ_２Ｚｒ_２Ｏ_７相（Ｙｂ_２（Ｔｉ、Ｚｒ）_２Ｏ_７を含む）を有する。 （もっと読む）

【課題】 低歪性を有するとともに、高温に保持したときの絶縁抵抗の変化率が小さく、高温負荷寿命に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、イットリウム、マンガン、マグネシウム、イッテルビウムと、ディスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）とを含有するとともに、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、該結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有する結晶粒子により構成されているとともに、前記希土類元素が固溶した（Ｙｂ・ＲＥ）_２ＴｉＯ_５相を含有する誘電体磁器からなる。 （もっと読む）