【課題】 本発明は、主に垂直磁気記録媒体における磁気記録など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｂ：０．５〜１０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなるＣｏ−Ｂ系合金であって、該Ｃｏ−Ｂ系合金中に、１０μｍ以下のＣｏ硼化物が分散していることを特徴とするＣｏ−Ｂ系ターゲット材。また、上記、Ｃｏ−Ｂ系合金アトマイズ粉末の焼結体であるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。バリア層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第１のフリー層が配置されている。第１のフリー層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、第１のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第２のフリー層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。磁化可変層２は、磁化の方向が可変で、ＢＣＣ構造を有するＦｅ_1-x-yＣｏ_xＮｉ_y（０≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ、ｙ≦１）からなる磁性合金からなり、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎのうちの１つ以上である添加元素を０＜ａ≦２０ａｔ％（ａは含有量）の範囲で含有する。中間層４は、磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層をＡｌ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。このようにＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／Ａｌ−Ｏの積層構造とすることで、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。さらにＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のばらつきを従来に比べて抑制できる。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁気記録層を備えた磁気記録媒体の表面粗さを低くして、低浮上量化および高記録密度化を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体１の非磁性ガラス基板として表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層５を、ＣｏＣｒＰｔ合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−８００ｋＪ／ｍｏｌより大きなＴａ₂Ｏ₅を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体１の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下の磁気記録媒体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】出力ΔＲＡを高め、保磁力Ｈｃとゼロ磁場からのシフト量Ｈｉｎを低下させて感度を高め、抵抗半減点の磁場Ｈｕａを大きくしてピン安定性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 （もっと読む）

【課題】 ＧＨｚ帯域で動作可能な磁性薄膜とこれを用いた電子デバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】 磁性体層と絶縁体層が交互に積層された磁性薄膜で、磁性体層は第一の磁性体層１と第二の磁性体層２を含み、前記第一の磁性体層１は前記第二の磁性体層２よりも異方性磁界が高く、前記第二の磁性体層２は前記第一の磁性体層１よりも飽和磁化が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極めて安定なペロブスカイト構造を有し、強磁性及び強誘電性を併有する材料を、超高圧等の特殊環境を要せず安価で比較的容易に製造し、半導体メモリに適用する。
【解決手段】組成式がＡＢＯ₃の結晶格子を有する強磁性・強誘電性材料であって、ＡサイトにＢｉイオン及び少なくとも１種の希土類陽イオンを、Ｂサイトに陽イオンであって超交換相互作用を示す複数種の磁性イオンをそれぞれ含み、強磁性及び強誘電性を併有する材料をキャパシタ膜３に適用し、ＭＦＩＳ−ＦＥＴを構成する。 （もっと読む）

【課題】熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に積層された、PtまたはCr、Co、及び酸素を含む第１の垂直磁気記録層、Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Ybから選択される希土類元素とCo, Cr, Ptを含む遷移金属とを含有する結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を有する磁気記録層と、保護層、潤滑層、及び保護層／潤滑層の積層のうち１つとを具備し、垂直二層媒体として使用され得る垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系で、高い透磁率を有する磁性膜を提供する。
【解決手段】磁性膜１４は基板１０上に設けられている。基板１０は、Ｓｉからなる平板状の基体１１と、基体１１の上面に形成されたＳｉ酸化膜１２から構成されている。磁性膜１４は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の磁性体から構成されている。この磁性体のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系のアモルファス相は、最大径１０ｎｍ〜３０ｎｍの結晶相を体積比０．００６％〜６．２％で含んでいるか、あるいは１μｍ^３あたり８個〜７２００個の割合で含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力を有する磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】 ３２．５〜６５at%のPt、３２．５〜６５at%のFeおよび０．５〜２．５at%のInを含有する磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】高周波数領域で透磁率が高く、磁気ヒステリシス損失が小さい磁性膜及び該磁性膜を有する磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁性膜は、コバルト及びイリジウムを含有する合金からなる磁性粒子を含有し、コバルト及びイリジウムを含有する合金の磁気異方性定数は、負である。 （もっと読む）

【課題】磁界検出素子において、トンネルバリア層をより平坦に形成する。
【解決手段】磁界検出素子は、下部層７と、非磁性・非導電性のトンネルバリア層８と、上部層９とを有している。下部層７、トンネルバリア層８、および上部層９はこの順で互いに隣接して積層されている。センス電流２２に対する抵抗値が外部磁界に応じて変化することによって外部磁界の大きさを検知するように、下部層７と上部層９のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】１ＴＢ以上の記録容量に対応しうる高記録密度特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性支持体、非磁性支持体の一方の面上に形成された、非磁性粉末とバインダ樹脂を含む少なくとも一層の非磁性中間層と、この非磁性中間層の上に形成された、磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の磁性層を有する磁気記録媒体であって、磁性粉末は、コアー部分と外層部分とを有してなり、外層部分に希土類元素が主体的に存在し、コアー部分が、鉄または鉄の一部が遷移金属元素で置換されたＦｅ₁₆Ｎ₂相を含有し、前記磁性層の最上層磁性層の厚さが０．０９μｍ以下であるか、または前記磁性層の最上層磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）と厚さ（δ）の積（Ｂｒ・δ）が、０．００１８〜０．０５μＴｍであり、保磁力が２００〜４００ｋＡ／ｍであることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】層間剥離および磁気特性の劣化を防止すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置用材料、その材料を製造する方法、およびその材料を含むＭＥＭＳ装置マイクロエレクトロケミカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料は６層の磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ材料を含み、隣接する磁化可能な層の各組は、その間に磁化不可能で電気伝導性のＣｕの各層を有する。その材料は、Ａｕのシード層上に形成されている。シード層は、薄いＣｒで被覆されたガラス基板上に形成されている。磁化不可能な材料の層は、およそ１μｍの厚さである。Ｃｕの層は、およそ１μｍの厚さである。 （もっと読む）

【課題】シンセティックフェリ磁性構造を有するシンセティックフェリ磁性媒体の上側記録磁性層を安定化するのに用いる異なる種類の磁性層を提案する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、ベース構造と、ベース構造上に設けられ記録層を構成するシンセティックフェリ磁性構造とを備える。シンセティックフェリ磁性構造は、非磁性スペーサ層１５を介して反強磁性結合している少なくとも下側磁性層１４と上側磁性層１６とを含む。下側磁性層１４は超常磁性層からなり、上側磁性層１６は強磁性材料からなる。下側及び上側磁性層の磁気モーメントは、印加される外部磁界がゼロである残留磁化状態で反平行の向きとなっている。これは、下側磁性層１４については保磁力がゼロであるにもかかわらず、残留磁化状態での交換結合により下側磁性層１６が逆飽和状態にあるからである。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金をめっきするためのめっき液、該めっき液を用いた構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともＦｅ及びＰｔを含み、Ｐｔ成分がシクロヘキサクロロ白金酸アンモニウムであるめっき液。Ｆｅ成分が錯化剤によりＦｅ錯体としてめっき浴中で安定化し、錯化剤が酒石酸イオン又はクエン酸イオンである。めっき液のｐＨは６以上９．５以下である。上記のめっき液がはいった容器に電極とめっきされる対象物とを用意する工程と、前記電極に電圧を印加することによって、めっき液からＦｅＰｔを含む磁性体を前記対象物にめっきして構造体を形成する工程とを備える構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）