【課題】 二酸化クロム単独ではキュリー点が低く、それに伴い電子素子等の材料として、室温付近での使用が不可能であった。又、所望の形、適所に成膜するには高価な装置を使う必要があり困難を伴っていたため、もっと安価で容易な製造技術が求められていた。
【解決手段】 キュリー点が低く、電子材料として使用することが不可能に近いというという課題は、二酸化クロムと酸化物状態で同一結晶構造を形成できる元素を添加することで問題を解決できた。又、成膜方法として、一般的な真空蒸着でマスクを使うことにより、安価で容易に所望の形、適所に材料提供を実現可能とした。場合によっては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法などの蒸着技術などでも対応可能である。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性及び耐熱性を有する記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、トンネルバリアとなる絶縁層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、記憶層１７が、酸化物層１８を介して、下地層或いは上層の保護層１９に接している記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 （もっと読む）

非酸化物材料又は既にドーピングされた酸化物材料である半導体材料であって、前記半導体材料は、マンガン（Ｍｎ）がドーピングされ、室温と５００Ｋとの間の範囲における少なくとも１つの温度で強磁性を示す。好適には、前記マンガンがドーピングされた材料は、５ａｔ％以下のマンガン濃度を持つ。
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加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板（１）上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜（２）を形成し、この下地微結晶膜（２）の材料とナノ粒子材料（４）の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜（２）の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体／非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、ＴＭＲ素子では、スピン分極率が１００％近いと予想されているハ−フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々１０数％程度のＭＲしか報告されていない。
【解決手段】 少なくとも１種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Ａと磁化方向が略揃った磁化領域Ｂと、前記磁化領域Ａと前記磁化領域Ｂに挟まれた磁化接合領域Ｍがあり、前記磁化領域Ａの少なくとも一部、または前記磁化領域Ｂの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ−に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Ｍまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Ｂの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型酸化物を用いて良好なトンネル接合を実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果型素子を提供する。
【解決手段】 式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1M_nO_3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)₂層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、この酸化物を挟むようにこれに接して形成された一対の強磁性体と、を含む磁気抵抗効果型素子とする。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも１種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも１種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも１種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは１、２または３であり、x、zは、それぞれ、−１≦x≦１、０≦z＜１により示される範囲内の数値である。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）