【課題】 ナノ狭窄スペーサを有する磁気抵抗（ＭＲ）センサのスピンバルブ内に使用する薄膜の生成方法を提供する。
【解決手段】 スピンバルブのボトムをピン層まで蒸着し、蒸着室を用意し、スペーサ層をその上にスパッタリングする。主イオンビームが磁性チップと絶縁材を含む合成面上にイオンを生成する。同時に、支援イオンビームが基板に直接イオンを供給し、かくしてスペーサ層の柔軟度と平滑度を改善する。中和器もまた配設し、イオン反発を防止し、イオンビーム合焦を改善する。その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 （もっと読む）

【課題】 グラニュラー磁気記録層において強磁性結晶粒子の粒径を一定に保ったまま柱状に成長させる。
【解決手段】 グラニュラー磁気記録層において、非磁性粒界を少なくとも２種類の酸化物から構成し、強磁性結晶粒子を構成する強磁性元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値の内で最大のものをＧ_１とし、非磁性粒界を構成する元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値が小さい順にＧ_２、Ｇ_３とした時に、Ｇ_１＜Ｇ_２＜Ｇ_３であり、かつ（Ｇ_２−Ｇ_１）＞（Ｇ_３−Ｇ_２）とすることを特徴とする。窒化物においても同様である。
Ｇ_３−Ｇ_２は２００ｋＪ／モル未満とし、非磁性粒界がＣｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、ＣｅおよびＢの内の少なくとも２種類の元素の酸化物または窒化物とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性裏打ち層に起因するスパイクノイズを抑制して優れた磁気記録特性を実現すると共に、生産性に優れた垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、反強磁性層、非磁性下地層、磁気記録層をこの順に積層した垂直磁気記録媒体において、磁気記録層をグラニュラー構造とし、非磁性下地層を膜厚５ｎｍ以上のｈｃｐ構造を有するＲｕもしくはＲｕを含む合金から構成し、反強磁性層をｆｃｃ構造を有する少なくともＭｎを含む合金から構成し、軟磁性裏打ち層と反強磁性層とを直接積層することを特徴とする。
反強磁性層はＩｒＭｎ合金、軟磁性裏打ち層はｆｃｃ構造を有し少なくともＮｉとＦｅを含む合金とすることが好ましい。また、軟磁性裏打ち層は、二層以上の軟磁性層が直接積層した構造とし、また、軟磁性裏打ち層の最表面と磁気記録層の最底面との距離が２５ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性及び耐熱性を有する記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、トンネルバリアとなる絶縁層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、記憶層１７が、酸化物層１８を介して、下地層或いは上層の保護層１９に接している記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】 記録層中への書き込み磁界の強度と勾配を高める裏打ち層を備える情報記録媒体において、信号再生時、ノイズ発生を抑制できる情報記録媒体、その製造方法および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。上記構成では、信号再生時、ノイズの原因となる各裏打ち層３、４からの漏洩磁束を抑制し、かつ、信号記録時、各裏打ち層３、４により磁気ヘッドから発生する記録磁界を記録層８中に集中させることが可能となる。よって、各裏打ち層３、４を有する情報記録媒体においても、信号再生時、各裏打ち層３、４に起因したノイズを抑制できる情報記憶装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度の磁気記録媒体を提供し、その磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる組成の異なる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さい磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を向上でき、出力特性の劣化を防止できる磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、強磁性材料からなる磁化自由層１７と、強磁性材料からなり結晶粒界を有する磁化固着層１５と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた第１の非磁性層１６と、前記磁化固着層における前記第１の非磁性層側の面に対して反対側の面に設けられた反強磁性層１４とを具備し、前記磁化固着層は、その前記結晶粒界に偏析し前記反強磁性層中の構成材料の拡散を防止するように働く元素を有する。 （もっと読む）

【目的】 耐食性に優れた反強磁性材料としてＰｔＭｎ合金膜が知られているが、前記ＰｔＭｎ合金膜を反強磁性層として使用しても、結晶粒界の状態によって交換結合磁界は小さくなることがわかった。
【構成】 本発明では、反強磁性層（ＰｔＭｎ合金膜）に形成された結晶粒界と、強磁性層に形成された結晶粒界が、界面の少なくとも一部で不連続な状態になっている。これによって前記反強磁性層は熱処理を施すことによって適切な規則変態を起しており、従来に比べて大きな交換結合磁界を得ることが可能である。 （もっと読む）

低電力磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ素子、及びそれを製造する方法を提供する。一実施形態においては、磁気抵抗ランダム・アクセス・デバイス（１００）は、メモリ素子（１０２）のアレイを有する。各メモリ素子（１０２）は、固定の磁気部分（１０６）、トンネル障壁部分（１０８）及び自由ＳＡＦ構造（１０４）を備える。アレイは、式H_win≒(<H_SAT>-Nσ_sat)-(<H_sw>+Nσ_sw)により表される有限の磁界プログラミング窓Ｈ_ｗｉｎを有する。ここで、＜Ｈ_ｓｗ＞は、アレイに関する平均切り替え磁界であり、＜Ｈ_ＳＡＴ＞は、アレイに関する平均飽和磁界であり、各メモリ素子（１０２）に関するＨ_ｓｗは、式Ｈ_ｓｗ≒√（Ｈ_ｋＨ_ＳＡＴ）により表され、ここで、Ｈ_ｋは、合計異方性を表し、Ｈ_ＳＡＴは、各メモリ素子（１０２）の自由ＳＡＦ構造に関する反強磁性結合飽和磁界を表す。Ｎは、１以上の整数である。各メモリ素子関するＨ_ｋ、Ｈ_ＳＡＴ及びＮは、アレイ（１００）が所定の電流値より下である動作電流を必要とするように選択される。
（もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面を有するトンネルバリア層２４と、トンネルバリア層２４における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、トンネルバリア層２４の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定された強磁性層である固定層２３とを備えている。自由層２５は、トンネルバリア層２４における一方の面に接して隣接するように配置された第１の軟磁性層４１と、この第１の軟磁性層４１におけるトンネルバリア層２４とは反対側に配置された高分極率層４２と、この高分極率層４２における第１の軟磁性層４１とは反対側に配置された第２の軟磁性層４３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定した垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 下部膜と上部膜との間に垂直磁気記録膜を具備する垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜の厚さｔ１、ｔ２は、


このような垂直記録媒体はＫが大きく、そのエネルギー障壁がＫＶによらない場合にも熱的特性が安定した所定の厚さを有する垂直磁気記録膜を含んでいるので、書き込まれたデータを１０年以上長期間安全に保存できる。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性下地層の磁気特性や表面平坦性を改善し、さらに基板との密着性を高めることで信頼性の高い垂直磁気記録媒体及び高密度磁気記録装置の実現を容易にすることを目的とする。
【解決手段】 基板と基板上に形成され、第一の下地層上に第二の下地層が積層されている密着層と、第二の下地層上に形成された軟磁性下地層と、軟磁性下地層上に形成された 中間層と、中間層上に形成された垂直記録層とを有し、
前記第一の下地層は、Ｎｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｃｏから選ばれる少なくとも二種類の元素からなる合金で構成されており、前記第二の下地層は、Ｔａ単体、もしくはＴａに、Ｎｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒから選ばれる少なくとも一種類の元素を含む非晶質構造の合金からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

高感度な再生ヘッドを有する磁気ディスク装置及びの製造方法を提供する。再生ヘッドの磁気抵抗効果素子として、反強磁性層、強磁性層、非磁性層、自由磁性層で構成されたスピンバルブ型の多層膜を用いる。反強磁性層と強磁性層との間には反強磁性反応層を設ける。反強磁性層は酸素を含有する金属化合物にて形成する。
（もっと読む）

【課題】
グラニュラ膜を利用し、積層磁性薄膜の高抵抗率化と、高周波帯域における優れた軟磁気特性の両立を図る。
【解決手段】
積層磁性薄膜１０は、基板１２上に、絶縁層１４とグラニュラ層１６を交互に複数成膜した積層構造となっている。絶縁層１４は、ＳｉＯ_２膜によって形成される。グラニュラ層１６は、ＦｅＮｉＳｉＯ膜によって形成されており、磁性粒子２０を包み込むように、粒界に絶縁体１８が存在する構造となっている。成膜時に基板１２の加熱を行うことで、絶縁層１４及び絶縁体１８の絶縁性を向上させて抵抗率を高めることができる。また、所定の範囲内の組成の磁性粒子２０の粒径を、絶縁層１４及びグラニュラ磁性層１６の厚みや、絶縁体１８に対する磁性粒子２０の比率を変えて適正化することにより、高抵抗率化に起因する磁気特性の劣化を抑制し、高い磁気特性と高抵抗率の両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 磁気的白色雑音を可及的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 磁化の向きが膜面に実質的に平行な第１磁性層９と、磁化の向きが膜面に実質的に垂直な第２磁性層５と、第１および第２磁性層の間に設けられた非磁性層７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 フリー層の軟磁気特性をほとんど悪化させることなく磁気抵抗変化率を向上させることができ、素子破壊に対する耐久性を向上させたＣＰＰスピンバルブ素子を用いた磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本発明のＣＰＰスピンバルブ素子を用いた磁気ヘッドは、二層以上の強磁性層の間に非磁性中間層を備え、電流を強磁性層や非磁性中間層に対して面直に通電させるＣＰＰスピンバルブ素子を用いた磁気ヘッドにおいて、前記二層以上の強磁性層のうち、少なくともその一層が、Ｃｏ_XＦｅ_100-X合金（式中、Ｘ＝６０〜８０［原子％］）を含む層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子構造とＭＴＪ素子構造の製造方法とが提供される。ＭＴＪ素子構造（１０）は、結晶質ピン層（２６）、非晶質固定層（３０）、および前記結晶質ピン層と前記非晶質固定層の間に配置された結合層（２８）を含み得る。非晶質固定層（３０）は結晶質ピン層（２６）に反強磁性的に結合される。前記ＭＴＪ素子は更に、自由層（３４）と、前記非晶質固定層と前記自由層の間に配置されたトンネル障壁層（３２）を含む。別のＭＴＪ素子構造（６０）は、ピン層（２６）、固定層（３０）、およびそれらの間に配置された非磁性結合層（２８）を含み得る。固定層（３０）と自由層（３４）の間にトンネル障壁層（３２）が配置される。トンネル障壁層（３２）と非晶質材料層（３０）に隣接してインタフェース層（６２）が配置される。第１インタフェース層（６２）は、非晶質材料（３０）のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成される。
（もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化固着層と、磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層を形成するにあたり、前記電流パスを形成する第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層に希ガスのイオンビームまたはＲＦプラズマを照射して前記第２の金属層中に前記第１の金属層の一部を侵入させる前処理を行い、酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記電流パスを形成する。 （もっと読む）

補助磁性層（３７）は、基板（３１）の表面に広がる軟磁性の裏打ち層（３８）上に形成される。記録磁性層（３６）は補助磁性層（３７）上に形成される。補助磁性層（３７）は、基板（３１）の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する。記録磁性層（３６）では、基板（３１）の表面に直交する垂直方向に磁化は強められる。補助磁性層（３７）によれば、これまで以上に垂直方向の記録磁界は強められることができる。
（もっと読む）