【課題】少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。フルホイスラー合金は、Ｘ_２ＹＺの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Ｃｏ_２ＭｎＳｉからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】微細構造、面内配向性を両立させて低ノイズ化を図ると共に、良好な被ライト性能を実現した高出力の磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】磁気記録媒体において、CoCrPtB合金からなる記録磁性層を上下二層に別け、下層を高Cr、低Bとし、上層を低Cr、高Bとすることで、低ノイズ化と高出力化を図り、さらに、上層を上下二層に別け、中間層(低Cr、高B層の下層)を高Ptとし、最上層(低Cr、高B層の上層)を低Ptとすることで、膜全体の異方性磁界を増大させずに、面内配向性を改善することができ、低ノイズ化と良好な被ライト性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】基材、軟磁性下地層、シード層、非磁性ＦＣＣ ＮｉＷ合金下地層、非磁性ＨＣＰ下地層、及び磁気層を含む、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明者は、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金下地層との組み合わせが、薄い下部磁気記録層の高い飽和保磁力と狭いＣ軸配向分布とを達成することによって、媒体記録性能及び熱安定性を大幅に改善することを発見した。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性の下地と、前記下地の主面上に設けられた第１の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と離間して設けられた第２の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とに接してこれらの間に設けられた接続部であって、強磁性体からなる第１の結晶粒と強磁性体からなる第２の結晶粒とを有し、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間を流れる電流の経路のうちの最も狭い部分は、前記第１の結晶粒と第２の結晶粒との結晶粒界である、接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層を用いた場合に、高温のアニール処理を行うことなく、高いＭＲ比を得ることができるＴＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ及びＴＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下側磁性層と、上側磁性層と、下側磁性層及び上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、下側磁性層が、第１の磁性層と、第１の磁性層及びトンネルバリア層間に挟設された第２の磁性層とを含んでおり、第２の磁性層が、Ｆｅ、コバルトＣｏ及びニッケルＮｉのうちの少なくとも１つを含む磁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】記録層の磁化容易軸の配向性を向上し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、第１下地層１２、第２下地層１３、第３下地層１４、第４下地層１５、熱安定化層１６、非磁性結合層１７、記録層１８等が順次形成され、基板表面にはテクスチャ１１ａが形成された構成からなる。第１下地層１２はＣｒまたはＣｒＭｎからなり、第２下地層１３はＣｒＭｎからなり、第２下地層１３が第１下地層１２よりもＭｎ含有量が多く設定され、第３下地層１４がＣｒ−Ｘ１合金（Ｘ１＝Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，およびＮｂからなる群のうち、少なくとも一つ）からなる。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された密着層２と、該密着層２上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層３と、該軟磁性裏打ち層３上に形成された非磁性下地層４と、該非磁性下地層４上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層５と、該第一の強磁性層５上に形成された第二の強磁性層９とからなり、第一の強磁性層５上の少なくとも一部に非金属膜８が形成されている垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層をＡｌ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。このようにＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／Ａｌ−Ｏの積層構造とすることで、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。さらにＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のばらつきを従来に比べて抑制できる。 （もっと読む）

【課題】確実に磁性結晶粒の微細化に貢献することができる多結晶構造膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】島状磁性結晶粒３２は第１分離層３３に覆われる。島状磁性結晶粒３６、３８は結晶層３５、４１上に形成される。結晶層３５、４１の働きで磁性結晶粒３６、３８の配向は揃えられる。結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。非晶質層３４、３９によれば、製造過程で磁性結晶粒３２、３６および結晶層３５、４１の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒３２、３６の配向は確実に維持される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の幅よりも狭い幅の磁気信号を、高い分解能で読み出すことができる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気ヘッド１においては、基板２と、基板２に実装される磁気センサー素子３と、磁気センサー素子３に光ビームを照射するレーザー光源素子４とを備えている。磁気センサー素子３は、磁気センシング部５からなる。この磁気センシング部５は、基板２上に、絶縁膜６、下部磁気シールド層７、磁気抵抗効果素子８が順に積層されている。また、磁気抵抗効果素子８の両側部のそれぞれには、絶縁層９を介して、膜面方向すなわちトラック幅方向（Ｘ軸に沿った方向）に熱勾配をつけるための熱伝導体層１０、磁気抵抗効果素子８にバイアス磁界を印加するためのバイアス層１１を順に積層してなる積層体が形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な熱揺らぎ耐性を有すると共にＳＮ比を向上した垂直磁気記録媒体、その製造方法、およびその垂直磁気記録媒体を備える磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板上に形成された軟磁性裏打層１２と、第１の記録層１９、記録補助層２１、第２の記録層２２がこの順に堆積してなる記録層１８と、を備え、第１および第２の記録層１９，２２は、膜面に垂直な磁化容易軸を有する強磁性層であり、記録補助層２１は、膜面に略垂直で、非磁性部２１ｂにより互いに離隔された複数の磁性粒子からなり、該磁性粒子は膜面に対して斜め方向の磁化容易軸を有し、第１の記録層１９、記録補助層２１、および第２の記録層２２は隣接する層が互いに交換結合している。さらに、垂直磁気記録媒体１０は、第１の記録層１９と記録補助層２１との間、あるいは記録補助層２１と第２の記録層２２との間に交換結合力制御層２０を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＧＣ媒体等において、トラックエッジノイズを低減して、トラック密度を向上させる。
【解決手段】磁気記録媒体１０の製造方法であって、垂直磁気記録層３０を形成する記録層形成工程と、垂直磁気記録層３０のトラック間の領域にイオンビームを照射することにより、トラック間を磁気的に分離する分離領域２０２を形成するイオンビーム照射工程とを備える。記録層形成工程は、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８が積層された多層膜の連続膜層２４を形成し、イオンビーム照射工程は、イオンビームによってＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８を融解させて、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８のそれぞれに含まれる金属の合金を形成することにより、分離領域２０２を形成する。 （もっと読む）

【解決課題】 スピン偏極電流が非磁性層において電流に変換される機構を解明し、この機構を利用した、強磁性層／非磁性層／強磁性層の積層構造を有するバッテリー装置、ならびに、非磁性層に印加した電流がスピン偏極電流に変換される現象を利用した磁化制御方法及びマイクロ波発信装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１強磁性金属層１３と、非磁性金属層１２と、第２強磁性金属層１１とをこの順に備え、前記非磁性金属層１２の対向する端面２３から電流を取り出すための対向電極を備えたバッテリーセルであって、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の各層の厚さが、１ｎｍ〜２００ｎｍであり、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の磁化方向１４が、磁場２１を印加することによりともに変化するバッテリーセルである。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金層の形成に際して、成膜速度（成膜レート）を上げることができ、生産性の向上を図ることができ、しかも素子特性の向上を図ることができるホイスラー合金層の形成方法を提供する。
【解決手段】 フリー層（５０）は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能するとともに、第１のホイスラー合金層を含む積層体から構成され、磁化固定層（３０）は、非磁性中間層（３２）を挟むようにしてインナーピン層（３３）およびアウターピン層（３１）が積層された形態を有しており、インナーピン層（３３）は、第２のホイスラー合金層（３３３）を含む積層体から構成され、第１および第２のホイスラー合金層は、それぞれ、ホイスラー合金層組成を構成するように少なくとも２つ以上に分割された分割ターゲットを用い、同時スパッタ法により成膜されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層８の順に形成された部分を有する。前記フリー磁性層８の絶縁障壁層５側に形成されたエンハンス層６を、絶縁障壁層５側の第１エンハンス層６ａと軟磁性層７側の第２エンハンス層６ｂとし、第１エンハンス層６ａを形成するＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量を、第２エンハンス層のＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量より大きいものとする。これにより、フリー磁性層の磁歪の増大を抑え、抵抗変化率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡを低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できるトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層６の順に形成された部分を有する。前記絶縁障壁層５は、Ｔｉ−Ｍｇ−Ｏ（酸化チタン・マグネシウム）で形成され、Ｔｉの組成比とＭｇの組成比をあわせて１００ａｔ％としたときに、Ｍｇは、４ａｔ％以上で２０ａｔ％以下含まれる。このように、前記絶縁障壁層５のＭｇ濃度を高く設定しない。これにより、従来に比べて、ＲＡ（素子抵抗Ｒ×素子面積Ａ）を低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できる。また従来に比べてＶＣＲの絶対値を低減でき、耐熱性を向上できる。 （もっと読む）

本発明は、カソードスプレイングによって堆積された複合アセンブリを基板上に含み、かつ、垂直磁気異方性が大きい材料から作られる磁気層(2)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でも該層の平面の外部に配置される磁気層(2)と、先の磁気層(2)と直接接触し、スピン分極の比率が高い強磁性材料から作られる磁気層(3)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でもこの層の平面内に配置され、この層の該磁気層(2)との直接的な磁気結合が、2つの磁気層(2)および(3)を含むアセンブリの有効な消磁磁場の低減を誘起する磁気層(3)と、先の磁気層(3)と直接接触し、デバイスを通過する電子には分極性でない材料から作られる非磁気層(4)と、を含む薄層磁気デバイスに関する。本デバイスは、層の平面に対して実質的に垂直な方向でそれ自体中を電流が通過するようにさせる手段を含む。
（もっと読む）

【課題】秩序化温度が低減されたホイスラー合金を含み、より高い信号検出感度を得ることのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。第１強磁性層１５およびフリー層１８は、Ｃｏ₂ ＭｎＳｉなどのホイスラー合金からなる複数のホイスラー合金層と、それらのホイスラー合金層の間に設けられた挿入層との多層構造を有している。挿入層はアルミニウムやＦｅＣｏによって構成されている。これにより、ホイスラー合金における結晶構造を秩序化するためのアニール温度が低減される。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置のデ−タ転送速度の高速化と高記録密度化に伴い、記録周波数の高周波数化が進み、ライト後ノイズが増加する。
【解決手段】上部磁気シールド２６に、浴温30±1゜C、pH 2.0+0.5/−1.0、浴組成が、金属イオン濃度Ni²⁺5〜25(g/l)，Fe²⁺5〜15(g/l)、サッカリンナトリウム1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウム25±5(g/l)、ほう酸25±5(g/l)のめっき浴を用いて、結晶構造が面心立方相(fcc)と体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜を交互に積層した多層磁性膜を用いる。上下の磁性薄膜の結晶構造が異なるので、膜ごとにエピタキシャル成長が断ち切られ、結晶粒径を小さく制御することができる。結晶粒径が小さくなることによりライト後リードノイズを低減することができ、高記録周波数帯域でも使用可能な再生ヘッド２０を得ることができる。 （もっと読む）