【課題】良好な磁気記録特性、再生分解能を得る。
【解決手段】基板１０ａ上に積層された積層部１１０が、３層の磁気記録層（１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ）と、３層の磁気記録層（１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ）間の間隙それぞれに設けられた２層の交換結合力制御層（１０ｅ，１０ｇ）と、を有しているので、交換結合力制御層の数を増やすことにより、ある一定以下の保磁力や記録反転磁界を得るために必要な各交換結合力制御層の層厚を薄くすることができる。また、各交換力制御層（１０ｅ，１０ｇ）の層厚を薄くすることで、交換結合力制御層を介した磁性記録層の結合力を適度に制御することができるので、記録反転磁界のバラツキ（ΔＨｓ）を抑制することができる。これにより、良好なＳ／Ｎ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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【課題】 特に、高抵抗軟磁性膜（Ａ−Ｍ−Ｏ）を用いた磁性シートにおいて、従来に比べて適切に軟磁気特性の向上を図ることが可能な磁性シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 樹脂シート５上に、Ｃｒ膜９と、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｓｉのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る磁性膜６とが順に積層されている。磁性膜６は、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の成膜時の表面粗さを低減し、上部磁極等を高精度に形成することを可能にする磁性積層膜およびその製造方法、ならびに磁性積層膜を用いた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】FeとCoを含む磁性膜１０ａ、１０ｂを成膜する工程と、該磁性膜１０ａ、１０ｂの表面に平滑化処理を施す工程と、平滑化処理が施された磁性膜の表面に、不連続膜となる膜厚に磁性材１２ａあるいは絶縁材を成膜する工程とを繰り返して、磁性膜を複数層に積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き換え回数が十分に維持され、高速で再現性良く記録・再生が可能な透明磁性膜とその再生方法、透明磁性膜の製造方法及び磁化パターンを提供する。
【解決手段】支持体上に、分散剤で覆われたチタニアナノシート(透明且つ印加磁界により支持体面に対し垂直方向に磁気異方性を発現可能なもの)と水溶性高分子を含む分散液を塗工法又は印刷法により連続膜形状又はパターン膜形状で設け磁界を印加(、磁力線方向が支持体に平行)しながら乾燥してチタニアナノシート積層膜を形成（例えば、波長依存性を有する複数のナノシートを分割配置又は厚さ方向積層して形成）して透明磁性膜とする。透明磁性膜に情報を磁化パターンとして磁気又は／及び光により記録・再生する。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来インダクタやトランス等によっていた起電力素子を小型化、低消費電力化し、携帯機器などの電源回路を飛躍的に小型化するスピンダイナミクスを利用した電磁エネルギー蓄積・放出デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板上に下部電極層を形成した後、磁化固定層１としてＣｏ５０Ｆｅ膜を５０ｎｍ成膜し、その上に非磁性中間層２としてＣｕを６ｎｍ、さらに磁化フリー層３としてＣｏ５０Ｆｅ膜を２．５ｎｍ成膜する。磁化固定層１及び磁化フリー層３は、成膜後、磁界中熱処理をして磁化異方性を付与する。この上にネガレジストを塗布して電子線リソグラフィーにより微細マスクを形成する。その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。絶縁層形成後、レジストを除去し、上部電極層を作製する。コイル４は、磁化フリー層３の磁化容易軸に平行な配置で設置する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄを含む層を設けた場合でも高いＭＲ比を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】膜面に対して垂直方向の磁化を有し、膜面に対して（００１）面に配向したｆｃｔ型の結晶構造を備えかつＰｄと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎのうち１つ以上の元素とを含む金属から形成される第１の磁性層１１ｃと、第１の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅと、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｙ、Ｂｅのうち１つ以上の元素と、を含む金属から形成される第２の磁性層１１ｂと、第２の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１つ以上の元素を含む金属から形成される第３の磁性層１１ａと、第３の磁性層上に設けられた非磁性層１３と、非磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有する第４の磁性層１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 強磁性体層１１上には絶縁体層１２が形成されている。絶縁体層１２上にはフルホイスラー合金層１３が形成され、フルホイスラー合金層１３上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４が形成されている。さらに、強磁性体層１４上には非磁性層１５が形成され、非磁性層１５上には強磁性体層１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の分野において、保存安定性を改善した磁気記録媒体用塗料組成物、および高平滑な磁気記録媒体用塗膜を提供する。
【解決手段】カーボンブラック、結合剤、溶剤および有機色素誘導体もしくは複素芳香族環誘導体を含んでなる磁気記録媒体用塗料組成物において、有機色素誘導体もしくは複素芳香族環誘導体２成分の比率をある範囲で組み合わせる事により保存安定性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子１であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層５であり、他方が磁化自由層７であり、強磁性層５，７がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層５，７が、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反転電流の非対称性を解消し、素子破壊の可能性を低減した磁気記憶素子を実現し、高信頼性で低コストの磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】第１固着層と第１中間層と記憶層と第２中間層と第２固着層が積層されてなり、第１固着層と第２固着層の磁化方向は層面に対し垂直で、第１固着層は、第２固着層から記憶層への漏洩磁界より大きな磁界を記憶層に及ぼすことを特徴とする磁気記憶素子が提供される。記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。また、第１固着層と第２固着層の間に電流を双方向に流すことが可能で、電流の方向と値により記憶層の磁化の方向が変わる。また、磁気記憶素子をアレイ状に並べた磁気記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次に形成された下部軟磁性層及び上部軟磁性層を備え、上部軟磁性層の異方性磁界が下部軟磁性層の異方性磁界より高く形成された複数の軟磁性層と、下部軟磁性層と上部軟磁性層との間に介在されて、下部及び上部軟磁性層の磁気的相互作用を防止する隔離層と、上部軟磁性層上に形成される底層と、底層上に形成されるものであって、複数の強磁性層を有し、底層側に位置した下部の強磁性層から上部の強磁性層へ行くほど、磁気異方性エネルギーが次第に低くなるように、それぞれの強磁性層が異なる磁気異方性エネルギーを有する記録層と、を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】軟磁性薄膜における透磁率をより効果的に向上させることが可能な磁性薄膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ系軟磁性膜１２２よりも透磁率の高い軟磁性膜であるＣｏ系アモルファス軟磁性膜１２１上に、Ｆｅ系軟磁性膜１２２を形成する。これにより、Ｆｅ系軟磁性膜１２２における磁化反転が容易となり、磁性薄膜（下部磁性膜１２Ａや上部磁性膜１２Ｂ）全体としての透磁率が向上する。また、Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜１２１とＦｅ系軟磁性膜１２２との間の膜厚比を、適切な範囲内（０．００５以上かつ０．０３０以下）に設定する。これにより、Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜１２１からＦｅ系軟磁性膜１２２への応力の影響が低減し、応力の影響による磁性薄膜全体としての透磁率低下が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）