【課題】高い飽和磁束密度を有し、かつ優れた軟磁気特性、広い膜厚範囲を有する交換結合により磁気異方性が制御された軟磁性材料を提供する。
【解決手段】Ｍｎ_aＭ_1-a／Ｍ’（ここで、０．４≦ａ≦０．９５、ＭはＦｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、ＣｕおよびＡｇからなる群より選択される少なくとも１種、Ｍ’はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒからなる群より選択される少なくとも１種）で表されるＭｎ系合金下地膜と金属下地膜からなる複合下地膜と、（Ｆｅ_xＣｏ_1-x）_y(Ａ）_1-y（ここで、０．６≦ｘ≦０．８、０＜１−ｙ≦０．０５、ＡはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎの酸化物および窒化物からなる群より選択される少なくとも１種）で表される膜とを含む、軟磁性材料。 （もっと読む）

島状磁性結晶粒（３２）は第１分離層（３３）に覆われる。島状磁性結晶粒（３６、３８）は結晶層（３５、４１）上に形成される。結晶層（３５、４１）の働きで磁性結晶粒（３６、３８）の配向は揃えられる。結晶層（３５）および磁性結晶粒（３２）の間や結晶層（４１）および磁性結晶粒（３６）の間には非晶質層（３４、３９）が介在する。非晶質層（３４、３９）によれば、製造過程で磁性結晶粒（３２、３６）および結晶層（３５、４１）の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒（３２、３６）の配向は確実に維持される。
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【課題】 フリー層およびリファレンス層が渦磁化状態を有し、高密度用途および高速用途に適用することが可能なＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】 自由な回転方向を伴う渦磁化状態を有する強磁性フリー層２７に交換結合定数を低下させるためのドーパントが含まれていると共に、固定された回転方向を伴う渦磁化状態を有する強磁性ピンド層２５（リファレンス層）に交換結合定数を低下させるためのドーパントが含まれている。磁化状態を切り換えるために形状異方性を利用していた従来の場合とは異なり、交換結合定数やＭｓｔ（飽和磁束密度×厚さ）などに代表される磁性膜に固有な膜特性を利用して磁化状態が切り換えられるため、大きな保磁力が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｒＭｎからなる反強磁性層とＣｏＦｅからなる固定磁性層（強磁性層）が積層された交換結合膜の交換結合磁界を高くして、固定磁性層の磁化反転の発生頻度を低減することのできる交換結合膜と前記交換結合膜を用いた磁気検出素子を提供する。
【解決手段】第１の磁性層１３を形成するＣｏＦｅ合金中のＦｅのａｔ％を３０（ａｔ％）以上にする。これにより、反強磁性層４と第１の磁性層１３間の交換結合磁界を上昇させることができる。また、Ｆｅの含有量が多すぎると逆に交換結合磁界が減少するのでＣｏＦｅ合金中のＦｅのａｔ％は９０（ａｔ％）以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コイル１と、少なくとも基材３の片面に第１の金属層４と第１の金属磁性体層５と銅酸化物を含む中間層６と第２の金属磁性体層７を積層した多層磁性体層２とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層５，７にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層６を第１および第２の金属磁性体層５，７より比抵抗の大きい材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】外部磁界による着磁外れの発生が抑制され、かつ媒体ノイズを低減した垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に、面内硬磁性層、中間層、面内軟磁性層、及び磁気記録層を積層した磁気記録媒体であって、中間層として、面内硬磁性層よりも小さい飽和磁化を有する磁性層、コバルトを主に含むか、ルテニウムを主に含むか、あるいは０．５ｎｍ以下の厚さを有する非磁性層、または面内硬磁性層の酸化層を用いる。 （もっと読む）

【目的】 従来では、積層フェリ構造の固定磁性層において、反強磁性層との界面と接する側の第１の磁性層には、ＣｏＦｅ合金の単層などを使用していたが、前記固定磁性層の一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）と、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の双方を同時に向上させることはできなかった。
【構成】 第１の磁性層１３には、元素Ｘ（例えばＣｒ）を含有する領域Ａが、反強磁性層４との界面４ａから非磁性中間層１２側にかけて存在するとともに、前記非磁性中間層１２との界面１２ａから前記反強磁性層４側にかけての領域の一部に、前記元素Ｘを含まない領域Ｂが存在する。これによって固定磁性層３の一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）と抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）とを同時に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 記録ヘッドが発熱した際の磁極の突き出しを抑え、かつ強い記録磁界を発生でき高密度記録が可能なハードディスクドライブの記録再生ヘッド等に利用できる磁性膜を提供する。
【解決手段】 Fe（鉄）とPt(白金)の合金、またはFeとPtを含む三元以上の合金からなる第一の合金膜と、Fe、Ni(ニッケル)、 Co(コバルト)のうちの少なくとも２種を含む合金からなる第二の合金膜とを直接接して積層した磁性膜であって、前記第一の合金膜におけるFeの含有モル量の割合が63%乃至74%の範囲にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。
【解決手段】基板上に下地層、MnPtからなる反強磁性層、CoFeからなる第１強磁性層、Ruからなる反強磁性結合層、CoFeからなる第２強磁性層、Cuからなる中間非磁性層、CoFe及びNiFeの積層膜からなる自由層及び保護層を積層したMnPt反強磁性ボトム型の積層フェリ型スピンバルブ膜において、第１強磁性層のCoFexのFe組成ｘを20 < x <= 50at%とする。
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【課題】 フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。
【解決手段】 複合ビット線３０が隣接軟磁性層３２を含み、その複合ビット線３０のうちの隣接軟磁性層３２とＭＴＪ素子１０のうちの強磁性フリー層７０とが互いに近接されることにより静磁気的に結合されている。この静磁気的結合を利用して強磁性フリー層７０の磁化状態が熱的に安定化する。しかも、複合ビット線３０中に発生した磁界が隣接軟磁性層３２により集中されることにより、スイッチング時においてスイッチング用の磁界が効果的に増強されるため、強磁性フリー層７０の磁化方向を変化させるために要する電流が低電流化する。 （もっと読む）

【課題】高飽和磁束密度でキュリー温度が常温（２５℃）で使用するのには問題ない温度の、希土類金属合金層を有する強磁性積層薄膜を提供することにある。
【解決手段】希土類金属合金層を有する強磁性積層薄膜において、該強磁性積層薄膜は、Ｎｉ元素が８０%付近からなる組成のパーマロイ層と、該パーマロイ層との界面で強磁性的に交換相互作用する、Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層と、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層との界面で反強磁性的に交換相互作用するＧｄＺｎ合金層と、該ＧｄＺｎ合金層との界面で反強磁性的に交換相互作用する、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層と、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層との界面で強磁性的に交換相互作用する前記パーマロイ層を順次積層した薄膜または前者４層からなる１周期の積層を単位積層として該単位積層を多層に積層し、最後に前記パーマロイ層を積層した薄膜である。 （もっと読む）

【課題】 より高い抵抗変化率を発現する磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】
磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。酸化吸着層５１２がフリー層５０に含まれる酸素原子を吸着することにより、ＭＴＪ素子３７の抵抗変化率が向上する。また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。したがって、高集積化した場合であっても高精度かつ高感度なスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】１０００〜４０００エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Ｃｏ、０より多く２４原子パーセント以下のＣｒ、０より多く２０原子パーセント以下のＰｔ、０より多く２０原子パーセント以下のＢ及び０より多く１０原子パーセント以下のＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、Ａｇ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｌｕ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｔｌ，Ｗ及びＹｂからなるグループから選択された１つの元素である。このスパッタターゲットは、更にＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、Ｗ，Ｙ，Ｍｎ及びＭｏからなるグループから選択された１つの元素である。スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ₃を含み、前記Ｘ₃が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＰＰ型磁気検出素子において、特に固定磁性層自体の一軸異方性によって固定磁性層の磁化をＣＩＰ型磁気検出素子では成し得なかった構造で強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＣＰＰ型磁気検出素子において、人工フェリ構造の固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２と、Ｃｕよりも格子定数の大きい非磁性材料層２４で挟む。ＣＰＰ型磁気検出素子であるため、前記固定磁性層２３とフリー磁性層２５との間に位置する非磁性材料層２４をＣｕと異なる材質で形成しても、単位面積当たりの抵抗変化（ΔＲ・Ａ）の低下は小さい。従って本発明では、単位面積当たりの抵抗変化（ΔＲ・Ａ）を低下させることなく前記固定磁性層２３の磁歪定数を上下方向から大きくすることが可能になり、前記固定磁性層２３を、より強固に磁化固定することが出来る。 （もっと読む）

磁気抵抗読取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。フリー層はＣｏ−ＸとＣｏＦｅ−ＸとＣｏＮｉ−Ｘのうちの少なくとも一つを含む薄膜としてのコバルト成分を含み、ここでＸはランタノイド族（４ｆ電子軌道元素）からの元素である。Ｃｏ成分は８０パーセントを上回り、ランタノイド元素成分は１０％未満である。薄膜はフリー層全体で構成するか、或いは１以上の従来のフリー層薄膜に隣接配置することができる。ピン層は、従来の単層か又は副層間にスペーサを有する合成多層構造である。スピンバルブ構造が高い交換スティフネスと減衰率を有するため、スピン転移効果は減り、高速動的応答がもたらされる。
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高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板（１）上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜（２）を形成し、この下地微結晶膜（２）の材料とナノ粒子材料（４）の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜（２）の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。 （もっと読む）

【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体／非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、ＴＭＲ素子では、スピン分極率が１００％近いと予想されているハ−フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々１０数％程度のＭＲしか報告されていない。
【解決手段】 少なくとも１種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Ａと磁化方向が略揃った磁化領域Ｂと、前記磁化領域Ａと前記磁化領域Ｂに挟まれた磁化接合領域Ｍがあり、前記磁化領域Ａの少なくとも一部、または前記磁化領域Ｂの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ−に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Ｍまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Ｂの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）