【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】小さい保磁力およびＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭｇＯｘからなるトンネルバリア層１７の上に、ＣｏＢ_X からなる低磁歪（λ＝−５×１０^-6〜０）のフリー層１８を形成する。フリー層１８は、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X （Ｙは０〜１００原子％）という２層構造、あるいは、ＦｅＣｏ_Y ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z ／ＣｏＢ_X 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＦｅ_W ／ＣｏＢ_X 、またはＦｅＣｏ_Y ／ＦｅＢ_V ／ＣｏＢ_X という３層構造として形成してもよい。ここで、ＣｏＢ_X を、ＣｏＮｉＦｅＢまたはＣｏＮｉＦｅＢＭに置き換えてもよい。但し、ＭはＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，ＴａおよびＭｏのうちのいずれかである。小さい保
磁力およびＲＡ値を確保しつつ、従来のＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ構造のフリー層の場合に比べてＴＭＲ比が１５〜３０％程度向上する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第１の強磁性材料からなる第１の自由磁化層と、前記第１の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第１の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第２の強磁性材料からなる第２の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＭＴＪセル１０は、ピンド層３４５と、フリー層７と、非磁性のトンネルバリア層６とを含む。フリー層７は、形状異方性を有すると共に、周囲の材料によって生じた応力が加えられた状態にあり、かつ、材料組成および構造によって変化し得る磁歪係数λを有することから、形状由来の磁気異方性と、応力・磁歪由来の磁気異方性の総和としての総合磁気異方性を獲得する。これにより、ＭＴＪセル１０は、熱的擾乱に対して安定性を保つに足る大きさのスイッチング磁界を獲得する。垂直方向の臨界電流によってフリー層７の磁化方向が切り替えられた際、スイッチング磁界がある程度の大きさをもっていることから、フリー層７の磁化は熱的擾乱に対して安定化する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性、熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上に、第１下地膜２、第１垂直磁性膜３、第２下地膜４、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６、保護膜７が形成され、第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーよりも高く設定されている。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に適するパターンメディアとして望ましい２層垂直媒体構造において、個々のビットの磁気的性質の均一化、記録磁化膜の耐食性や機械強度の改善などの点で優れた特性を持つ磁気記録媒体を提供するとともに、1Tb/in²以上の高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、単結晶基板の上に形成された軟磁性膜と、軟磁性膜の上に形成された非磁性中間層膜と、非磁性中間層膜の上に形成された硬磁性膜とを備え、硬磁性膜が記録単位で隣接ビットと磁気的に分離された構造を持つバターンメディア型の磁気記録媒体において、軟磁性膜(Co膜102)、非磁性中間層膜（Au膜105）、硬磁性膜（Co−26at%Pt合金膜106）のいずれもが単結晶基板101に対してエピタキシャル成長した膜により形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に下地層１２、反強磁性層１３、ピンド層１４、非磁性結合層１５、リファレンス層１６、トンネルバリア層１７、フリー強磁性層１８、及びキャップ層１９が順に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）において、トンネルバリア層１７を、ＭｇＯ膜等の結晶性酸化物膜を低酸素分圧（例えば１０^-7Ｐａ程度の高真空下）下で形成し、その後結晶性酸化物膜を酸素ガス又は酸素を含むガスと接触させる。このようにして形成された結晶性酸化物膜を備えたＴＭＲ素子１０によれば、従来よりも高いＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】再生すべき磁気ビットサイズ及び隣接する磁気ビット間隔が小さくなったような場合でも、磁化自由層が、磁気ビットからの漏洩磁界を感知し、隣接する磁気ビットからの漏洩磁界を感知しない磁気再生素子を得る。
【解決手段】下磁気シールド層１と、反強磁性層２と、磁化固定層３、非磁性中間層４、磁化自由層５の順に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、磁化自由層５上及び磁化自由層５における磁気記録媒体のトラック幅方向における両側部の媒体対向面側に絶縁層６を介して形成されている上磁気シールド層７と、バイアス非磁性層８、バイアス強磁性層９、バイアス反強磁性層１０の順に積層されてなるバイアス層１３とを備えている。そして、磁化自由層５の上部において、上磁気シールド層７においては、バイアス層１３が媒体対向面側からは見えないように、絶縁層６を介してバイアス層１３の媒体対向面側の面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。
【解決手段】磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁場に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の膜面に対して略垂直にセンス電流を通電するための電極とを具備し、前記磁化固着層が実質的に、（ｉ）一般式Ｆｅ_aＣｏ_100-a（ここで、２５原子％≦ａ≦７５原子％）で表される２元合金から形成された２つ以上の層と、（ii）Ｃｕで形成された厚さ０．１ｎｍから１ｎｍの１つ以上の層とを交互に積層した構造を有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】比較的に簡単に微小ホールに均一に磁性体を充填することができる複合材およびその製造方法を提供する。または、結晶核の大きさや分散を十分に制御することができる多結晶構造膜を提供する。
【解決手段】複合材３９は非磁性の基体４１を備える。基体４１の表面には微小ホール４２が穿たれる。微小ホール４２内には磁性の微小粒子４３が配置される。こうした複合材３９では、微小粒子４３は微小ホール４２内に確実に配置されることができる。しかも、微小ホール４２の位置は規則的に制御されることができる。こうした微小ホール４２に基づき微小粒子４３は規則的に配置されることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボン保護層に対する潤滑剤の付着率を向上させ、マイクロスクラッチや磁気ヘッドへの潤滑剤の移着が生じない、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、カーボン保護層２６、潤滑層２８をこの順序で備える磁気記録媒体１００の製造方法において、カーボン保護層２６の表層に、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法によって、水酸基（ＯＨ⁻）と結合可能な窒素を添加する添加工程と、潤滑層２８を、水酸基を含むパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）で成膜する潤滑層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層にＭｇ−Ｏを用いたトンネル型磁気検出素子において、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来に比べて効果的に向上させることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｏの絶縁障壁層５上に、下からＣｏ−ＦｅあるいはＦｅで形成された第１磁性層６ａ、及びＣｏ−Ｆｅ−ＢあるいはＦｅ−Ｂで形成された第２磁性層６ｂの積層構造で形成される。これにより、従来に比べて、効果的に抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】アニール処理の温度を比較的低く抑えても高いスピン分極率が得られるホイスラー合金層を、その磁歪を小さく抑えることによってフリー層中に採用可能にし、それによって高いＭＲ比を達成することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５と、ピンド層４３とフリー層４５との間に設けられている非磁性のスペーサ層４４とを含み、フリー層４５は、ホイスラー合金層４５ｃと、４族元素、５族元素、または６族元素からなる磁歪低減層４５ｂとを含んでいる。 （もっと読む）