【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性に優れたマグネトプランバイト型化合物から成る柱状構造体が均一に分散された磁性膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型基板１３上に形成されたマグネトプランバイト型化合物１１が柱状構造を有し、その長軸方向がマグネトプランバイト型化合物１１の磁化容易軸と一致し、かつ前記長軸方向がペロブスカイト型基板１３に対して垂直である磁性膜。 （もっと読む）

【課題】
最もスピン分極率が高いと期待されるＦｅ_２ＣｒＳｉ組成においては、その性能を実現するにはＬ２_１構造であることが必要であるが、Ｆｅに対してＲｕを一定割合で置換したときのみ、Ｌ２_１構造が得られていた。しかしＲｕは高価でしかも環境負荷の大きい重金属であることから、Ｒｕ等を用いること無く、Ｌ２_１構造の単相組織を得るための方法が求められていた。
【解決手段】
Ｆｅ_２ＣｒＳｉの組成となるように各原料を秤量、配合し、これをアーク溶解法または高周波溶解法で溶解し、インゴットを得る。 このインゴットをＬ２_１構造の単相組織を得る目的で熱処理を行う。その条件として、１３７５Ｋ以上１５２３Ｋ以下の温度で、１時間以上２４０時間以下の範囲で不活性ガス中で熱処理を行うことにより、Ｌ２_１構造（ホイスラー構造）の単相組織が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の磁化参照層１１と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化の方向が固定された第２の磁化参照層１５と、第１の磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた第１の中間層１２と、磁化自由層１３と第２の磁化参照層１５との間に設けられた第２の中間層１４とを具備し、磁化自由層１３及び第１の磁化参照層１１の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、第１の磁化参照層１１と第２の磁化参照層１５との容易磁化方向は、互いに直交する。 （もっと読む）

【課題】基板のテクスチャ効果を引き出し、円周方向に高い磁気異方性を持たせ、かつCr系下地層とCo系磁気記録層の格子定数を一致させると共に、２層以上の下地層の格子間隔の歪みに着目することにより、Co系磁気記録層の配向性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板１（非磁性基板）上に、Ｃｒを主成分とする体心立方構造下地層３と、Ｃｏを主成分とする六方最密充填構造の磁性層４（磁気記録層）とがこの順に積層された磁気ディスクであって、体心立方構造下地層３は、ガラス基板１側にＭｎを含む第１の体心立方構造下地層３ａ（下部下地層）と、磁性層４側にＭｏ又はＴｉを含む第２の体心立方構造下地層３ｂ（上部下地層）との積層として構成され、体心立方構造下地層３の（００２）面の平均格子面間隔に基いて求められる体心立方構造下地層３の平均格子定数は、第１の体心立方構造下地層３ａの格子定数に比べて大きく、かつ、第２の体心立方構造下地層３ｂの格子定数に比べて小さく構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録が可能な磁性ドットを有する磁気記録媒体及びその磁気記録媒体の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性基体１上に、少なくとも下地層３、磁気記録層４及び保護層５が順次積層されてなる磁気記録媒体において、下地層３は、Ｒｕ又はＲｕを主成分とする合金からなり、かつその表面に頭頂部が複数のライン状に所定間隔で形成されてなるライン状起伏構造を有しており、磁気記録層４は、少なくとも強磁性を有する結晶粒子と非磁性成分を含み、磁気記録層４中の粒径４ｎｍ以上の結晶粒子からなる磁性ドット４−１が頭頂部のラインに沿って下地層３の表面上に配列し、かつ磁性ドット４−１の各々は非磁性成分４−２で隔てられている。 （もっと読む）

【課題】記録再生中、誤差が生ずることがない信頼性の高いパターンドメディア及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】パターンドメディアは、基板、軟磁性層、非磁性層、中間層及び記録層とを有する。記録層は非磁性材料と磁性材料からなるパターン構造を有し、非磁性材料のヤング率は磁性材料のヤング率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高密度記録が可能であると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、シード層１３、下地層１４、記録層１５、保護膜１６、および潤滑層１８を順次積層した構成とし、下地層１４は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる複数の結晶粒子１４ａからなり、結晶粒子１４ａ同士を互い離隔する空隙部１４ｂを介して基板面内方向に配置され、記録層１５は下地層１４の結晶粒子１４ａ上に堆積した複数の磁性粒子１５ａからなり、磁性粒子１５ａ同士を互い離隔する空隙部１５ｂを介して基板面内方向に配置される。記録層１５の磁性粒子１５ａは、下地層１４の結晶粒子１４ａ上に成長した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。
【解決手段】 Ａｌ系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板１上に少なくともアモルファス膜２を介してＣｏ層或いはＣｏ合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Ｃｒ系下地層（４）で覆われた島状膜からなるシード層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピン層及びフリー層を有する磁気抵抗効果素子を備え、電流の密度が高くてもノイズを充分に抑制できる磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気ヘッド１０は、第１のピン層１４と、絶縁体を含む第１のスペーサ層１６と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層１８と、導電性の第２のスペーサ層２０と、第２のピン層２２と、を有してなり、これらの層がこの順で積層され、積層方向に対して垂直な一方向に第１のピン層１４の磁化方向Ｄ_ｍ１が実質的に固定され、第１のピン層１４の磁化方向と反対の方向に第２のピン層２２の磁化方向Ｄ_ｍ２が固定された磁気抵抗効果素子１２を備える。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用い、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶媒に、Ｆｅ、Ｇａ及びＡｌのうちＦｅを含む少なくとも一種の元素を９．０ｍｏｌ％以上２５．５ｍｏｌ％以下の配合率で溶解して溶液を生成し、当該溶液にＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）基板の片面を接触させ、６００℃以上、９００℃以下の育成温度で磁性ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】安価で少ない工程で実施可能な磁気パターンニングされた磁性体板を提供する。
【解決手段】磁気パターンニングされた磁性体板は、一つの表面に平坦な表面領域と凹凸のある非平坦な表面領域とを有する非磁性材料基板と、前記一つの表面に被着された磁性膜とを備え、該磁性膜は前記平坦な表面領域では該磁性膜の本来の磁気特性を保持し前記非平坦な表面領域では該本来の磁気特性を保持しないパターンニングが形成されるように構成されている。また、その製造方法では、非磁性材料基板上の平坦な表面の一部の領域に物理的あるいは化学的に凹凸を設け、該凹凸が形成された前記非磁性材料板の表面上に磁性膜を形成して、前記平坦な表面上では磁性体が本来持つ磁気特性を保持させ、前記凹凸のある領域上では磁気特性を失わせるかまたは変化させる。 （もっと読む）

【課題】高集積化が可能であるとともに、固定磁化層からの漏洩磁界のばらつきによる誤書き込みや誤読み出しを抑制しうる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層５０と、第１の強磁性層５０上に形成された非磁性層５２と、非磁性層５２上に形成された第２の強磁性層５４と、第２の強磁性層５４の側壁部分に形成された側壁絶縁膜６４とを有し、第１の強磁性層５０の端部は、側壁絶縁膜６４の端部に整合している。 （もっと読む）

【課題】 近接場光をハイブリッド記録方式に適用した情報記録媒体において、熱揺らぎにより強い超高記録密度の情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 近接場光を照射するとともに外部磁界を印加することにより記録磁区を形成して情報記録を行い、記録磁区からの漏洩磁界を検出することにより情報再生を行う情報記録媒体であって、３ｄ強磁性遷移金属元素及び非磁性元素を含む材料で形成され、３ｄ強磁性遷移金属元素を含む磁性粒子と該非磁性元素を含む偏析相とが存在する第１記録層と、非磁性層と磁性層とを交互に積層して形成された第２記録層とを備え、第１記録層と第２記録層が接して設けられていることを特徴とする情報記録媒体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 簡単なメモリ構成を有し、製造コストが安い、不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】 十字状パターンを有するホール素子３上に絶縁膜２を介して形成された磁性薄膜１からなる不揮発性メモリにおいて、磁性薄膜１を容易軸が前記十字状パターンの電圧出力方向に沿い、かつ前記十字状パターン上に形成し、磁性薄膜1は、矩形状の一軸異方性を有し、少なくともＣｏとＳｍとを含有するアモルファス合金からなる不揮発性メモリである。 （もっと読む）

【課題】 磁気光学効果が大きく、安定性に優れた磁性多層膜及びこれを用いた光磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に積層した構造を有する磁性多層膜１０を構成する。また、この磁性多層膜１０により、情報を記録する記録膜（光磁気膜）が構成されている光磁気記録媒体を構成する。 （もっと読む）

【課題】半選択セルの誤書き込み防止とスイッチング磁場の低減を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有し、第１及び第２強磁性層のうちの少なくとも１つは、第１方向に磁気異方性を有する第１部分と、第１部分に結合され、第１方向及びこれと逆向きの第２方向とは異なる第３方向に磁気異方性を有する第２部分とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。
【解決手段】 記憶層５に対して中間層４を介して磁化固定層３が設けられ、記憶層５に対して、非磁性層６を介して、磁化の向きが積層方向にほぼ固定されている駆動層７が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層５の磁化Ｍ２の向きが変化して記憶層５に対して情報の記録が行われる記憶素子１０と、この記憶素子１０に対して積層方向の電流を流す電流供給手段とを備え、電流供給手段から記憶素子１０に電流が供給される時間の長さにより、記録される情報の内容が変わるメモリを構成する。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）