【課題】特別な治具や形成方法を用いずに形成でき、巻線部分で発生した熱を外部に効率良く放熱できるＬＣ複合部品を提供する。
【解決手段】ＬＣ複合部品は、表面に導体パターンからなる巻線部１２がそれぞれ形成された複数の巻線構成用プレーナ基板１０と、巻線構成用プレーナ基板１０の積層体の外周に沿って配置されるコアを備え、積層された巻線構成用プレーナ基板１０の間の電気的接続に用いる層間接続用の端子部１３を各々の巻線構成用プレーナ基板１０に設けてある。複数の巻線構成用プレーナ基板１０を積層すると、巻線部１２の間に絶縁体（プレーナ基板１０）が配置されるので、複数の巻線部１２によりインダクタンス及びキャパシタンスが形成される。そして、複数の巻線構成用プレーナ基板１０の積層体において、積層方向の中心付近には、表面に放熱用の導体パターン２２が形成された放熱用プレーナ基板２０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 周囲の温度変化に影響され難い小型薄型化を実現したケース入りコンデンサを提供する。
【解決手段】 このケース入りコンデンサは、薄肉偏平状のコンデンサ素子２を電極板３、４とともに浅底のケース１内に収納して樹脂５を充填してなるもので、コンデンサ素子２の表面１１とこの表面１１に沿って配された電極板３、４の平板部１５、１５との間に、平板部１５、１５の温度変化に伴うコンデンサ素子２の変形を抑制するための例えば１ｍｍ以上の隙間２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】十分に高い誘電率を発現可能な誘電体膜を備えたコンデンサを提供すること。また、誘電体膜を、十分に高い誘電率が発現されるように、金属層の酸化を十分に抑制しながら製造することが可能な誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体膜１と、これを挟んで対向するように設けられた第１の電極２及び第２の電極３と、を備え、誘電体膜１が、格子定数に基づいて算出される理論密度の７２％を超える密度を有し、第１の電極２及び第２の電極３の少なくとも一方が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、ステンレス鋼及びインコネルからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有する、コンデンサ１００。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な小型で低コストのＬＣ複合部品を提供する。
【解決手段】ＬＣ複合部品１は、表面に導体パターンからなる巻線部１２がそれぞれ形成された複数のプレーナ基板１０と、プレーナ基板１０の積層体の外周に沿って配置されるコア２０とを備え、積層されたプレーナ基板１０の間の電気的接続に用いる層間接続用の積層用端子部１３を各プレーナ基板１０に設けてある。そして、複数のプレーナ基板１０を積層すると、巻線部１２の間に絶縁体（プレーナ基板１０）が配置されるので、複数の巻線部１２によりインダクタンス及びキャパシタンスが形成される。ここで、少なくとも１つのプレーナ基板１０には、上記積層体を実装部材に実装する際に用いる実装用導体部１４ａ，１４ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造をもつ誘電体薄膜を製造するにあたって誘電率が高くリーク電流の少ない誘電体薄膜が得られる製造方法を提供すること。
【課題を解決する手段】
基板の表面に溶剤を塗布する工程と、次いで前記基板の表面全体に溶剤が存在する状態で前記薄膜の誘電体形成用組成物を含む塗布液を当該基板の表面の中央部に供給すると共に基板を回転させて塗布液を基板の表面に広げる工程と、その後、前記基板を加熱することにより塗布膜に対して焼成の前処理である加熱処理を行う工程を実施した後塗布膜を焼成してＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造を持つ誘電体薄膜を得る。塗布液が基板上の溶剤を押し広げながら溶剤に置換し、塗布液の気相への接触が抑えられる。塗布膜への気相中のＣＯ2の巻き込みに伴い塗布膜中の化合物とＣＯ2との反応が抑えられ、リーク電流の原因となる反応物の生成が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】既知の誘電性材料および製造方法の欠点を有しない、誘電層を製造するための改善された材料および方法、電子デバイスの誘電層を製造するのに特に適する架橋可能なアミン誘導体を含む配合物並びに多数の片および／または大きい面積の生産に特に適する電子デバイスの誘電層を製造するための改善された方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電子デバイスの誘電層を製造するために有用な、架橋可能な有機アミン誘導体を含む新規な重合可能な誘電性材料およびこれから得られる架橋ポリマー、電子デバイスの誘電層を製造するための新規な方法、並びに前述の方法により得られる電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ビアプラグと下部電極との接触部分における、ビアプラグの導電材料の下部電極側への拡散を抑制し、ひいては下部電極の隆起並びに下部電極とビアプラグとの間の空洞発生の抑制を図ることである。
【解決手段】本発明に係る下部電極構造は、スルーホールに塗布若しくはメッキされた導電材料、スルーホールにビアプラグとして充填された導電材料或いは有底ビアに塗布若しくはメッキ若しくは充填された導電材料が基板の表面に露出面を有し且つ該基板の上に下部電極を形成した下部電極構造において、該下部電極構造は、少なくとも導電材料の前記露出面と前記下部電極との間に、前記導電材料の構成元素の拡散を抑制する拡散バリア層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】５０μｍピッチレベルのファインパターンの下部電極を形成するため、下部電極形成層の厚さを３０μｍ以下に薄くし、且つ、誘電層の膜厚安定性に優れたキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、下部電極形成層と上部電極形成層との間に誘電層が狭持された積層構造のキャパシタ層形成材を提供するための積層部材であり、前記キャパシタ層形成材１と支持基板１１とが積層され、且つ、その積層状態における少なくとも４隅を接着したことを特徴とする支持基板付キャパシタ層形成材を採用する。そして、前記キャパシタ層形成材は、その下部電極形成層に厚さ３μｍ〜３０μｍの金属箔を用いる。 （もっと読む）

【課題】 汚染問題を解決できる半導体バリア結晶粒界コンデンサーの構造と製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体材料層４０１Ａ、合成水晶半導体４０２Ａ、第１良導体４０６Ａ、第２良導体４０５Ａ及び絶縁層４０４Ａを含む。半導体材料層４０１Ａの局部は外部に第１種雑質が混合されて、第１種の半導体材料区域４０３Ａを形成する。第１良導体４０６Ａと第１種雑質の半導体材料区域４０３Ａとを接続させ、合成半導体４０２Ａは第１種雑質を混入した半導体材料区域４０３Ａにスパッター加工する。合成半導体４０２Ａの内部にも第１種雑質及び第２種雑質が混入され、合成水晶半導体４０２Ａ上の局部に第２良導体４０５Ａをスパッター加工する。第１良導体４０６Ａと第２良導体４０５Ａの間は、合成水晶半導体４０２で仕切っておく。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来では得られなかった、耐電圧に優れたコンデンサ用フィルムおよびそれを用いたコンデンサを提供せんとするものである。
【解決手段】
本発明のコンデンサ用フィルムは、高分子フィルムの少なくとも片面に、リン片状物質からなる層が積層されてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

素子５０は、第１の電極５１と、単分子層である又は有する自己組織化システム５２と、第２の電極５４とを有する。湿性化学堆積された高分子接触層５３は、自己組織化システム５２と第２の電極５４との間に存在する。適切には、自己組織化システム５２及び接触層５３の両方が、空洞４０内に設けられる。
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【解決手段】 本発明の実施形態によると、平行板の間に配置されたバルク単結晶誘電体素材、若しくは単結晶膜誘電体素材を有する平行板コンデンサが提供され、また１若しくはそれ以上の単結晶誘電体、若しくは単結晶フィルム誘電体を有し、当該誘電体の各々が２つの電極間に配置されたコンデンサが提供される。これらのコンデンサを組み込んだエネルギー蓄積装置もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板に設けられる電極間の位置ずれに起因した容量誤差（ばらつき）を減らす。
【解決手段】誘電体層を介して対向するように基板に設けた第一電極と第二電極を備えたコンデンサ素子で、第一電極及び第二電極の一方又は双方についてその隅角部に面取り部（角を丸める等）を設ける。第一電極は、基板に内蔵され、第二電極より小さく、当該コンデンサの容量値を決定し、接続されるビアは１本でかつ面取り部を備える。第一電極は信号入力側電極で、第二電極はグランド側電極であり、第一電極に接続されるビアを１本とする場合がある。前記ビアは、平面から見た場合に第一電極の略中央位置に配置する。非可逆回路素子（アイソレータ）の整合用コンデンサとして用いるのに好適である。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ、より詳細には、電圧を減結合し制御するためのキャパシタンスが集積回路ダイに提供されるように、プリント配線板パッケージに取り付けられたプリント配線板（ＰＷＢ）に埋め込むことができる、銅箔上に形成された薄膜キャパシタを提供すること。
【解決手段】本発明は、（１）（ａ）チタン酸バリウム、（ｂ）焼成中にチタン酸バリウムを形成することができる任意の組成物、および（ｃ）これらの混合物から選択された１種または複数のバリウム／チタン含有添加剤を、（２）有機媒体に溶解したものを含む誘電体薄膜用組成物であって、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびこれらの混合物から選択された元素を含むドーパントが、０．００２〜０．０５原子％ドープされた薄膜用組成物と、そのような組成物を含むキャパシタとを対象とする。 （もっと読む）

【課題】高周波数用高精度キャパシタを提供すること。
【解決手段】高精度高周波数キャパシタは半導体基板１０２の表側に形成された誘電層１０４を有し、第一の電極１０６が誘電層上に形成される。半導体基板は高度にドープされ、それゆえ抵抗率が低い。第二の電極１０８は第一の電極１０６より絶縁され、また表側表面上に形成される。一つの実施例では、第二の電極１０８は金属を満たしたビア１１６によって裏面の導電層１２０と電気的に接続される。他の実施例ではビアは省略され、第二の電極は基板と電気的に接続されているか、誘電層上に形成されるかのどちらかであり、一対の連続して接続されたキャパシタを作り出す。 （もっと読む）

本発明はキャパシタ用の誘電体薄膜組成物に関し、前記組成物が、（１）（ａ）チタン酸バリウム、（ｂ）焼成中にチタン酸バリウムを形成することができる組成物、および（ｃ）それらの混合物から選択された１つまたは複数のバリウム／チタン含有物を、（２）有機媒体に、溶解させて含み、０．００２〜０．０５原子パーセントのマンガン含有添加剤がドープされる。
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【課題】プリント配線板または集積回路パッケージ中に埋め込まれた平面コンデンサとして使用することができる複合材料ポリマーを提供する。
【解決手段】本発明は一般に、ポリマー複合材料に関し、該複合材料中に有用なスピネル型結晶充填材と強誘電性充填材（および／または常誘電性充填材）の双方を分散させており、該複合材料は光活性化可能であり、かつ平面コンデンサ材料として使用することができる。この光活性化には一般に、レーザ線（または他の発光装置）が用いられ、この材料上にパターンを形成させる。パターン形成が完了した後、この材料の表面には一般に、無電解金属めっきによって電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３００℃以下の低温で結晶質誘電体薄膜を形成することのできる結晶質誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。上記非晶質誘電体薄膜を形成する段階は、非晶質誘電体ゾルを基板上にコーティングする段階と、コーティングされた晶質誘電体ゾルをベーキングする段階とを含む。ベーキング後にはベーキング処理された結果物を乾燥する段階をさらに含むことができる。所望の厚さの薄膜を得るために、コーティングとベーキングは多数回繰り返すことができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜基板が不要であるとともに、製造コストを低廉に抑えることができる薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体層１０と、誘電体層１０の両主面に形成された導体層２１，２２とを備えてなる薄膜キャパシタであって、誘電体層１０は、誘電体セラミック粉末とバインダとを含むセラミックグリーンシートが焼成されてなり、導体層２１，２２は、導電性粉末とバインダとを含む導体グリーンシートが焼成されてなり、導体層２１，２２の少なくとも一方はパターニングされていて、その面方向の結晶子径のＤ₉₀がパターンの最小寸法の１／１０以下または１０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝の側面が曲面で繋がり、かつ、溝の長さ方向の深さのバラツキ、ならびに溝の開口部の幅の差が少なく、前記溝を分割用として形成したとき分割性に優れ、分割工程までの工程で割れが発生せず、分割した単体の抗折強度が低下しないセラミック部材を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面１ａに溝２を有し、溝２の内面２ａを、凹曲面をなす底部２ｂと、該凹曲面の両側に、前記凹曲面の曲率よりも大きな曲率の凸曲面をなす開口部２ｄを、連続的に配置させて形成してなるものであり、且つ、溝２の深さｄの最大値ｄ１と最小値ｄ２の差を６μｍ以下であることを特徴とし、溝２を分割用の溝として用いると、分割性が向上するとともに、分割した側面が滑らかな連続する曲面状であることから、分割したセラミック部材１の単体の端部のチッピングの発生を防止できるとともに、単体におけるセラミック部材１の抗折強度の低下を防止できる。 （もっと読む）