【課題】 集積効率の向上を実現できると共に、半田フィレットにおける不具合の発生を抑止できる表面実装型電子部品を提供する。
【解決手段】 コイル部品１では、コイル構造体２の側面２ｃ，２ｃが傾斜し、コイル構造体２の断面形状が実装面２ａ側から対向面２ｂ側に向かって裾広がりの台形形状となっている。このため、コイル部品１では、回路基板への実装の際、回路基板と側面２ｃ，２ｃとによって形成される空間に、半田フィレットの形成しろを設けることが可能となるため、実装の際に隣接する他の電子部品との間隔を小さくでき、集積効率の向上を実現できる。また、回路基板と側面２ｃ，２ｃとが成す開放角がそれぞれ鋭角となるため、回路基板に曲げ等の応力が加わったときでも半田フィレットにおけるクラック等の不具合の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高価且つ大型の装置を必要とせずに、容易に高い誘電特性を有する誘電体層を形成することができるキャパシタ及びそれを備えたプリント配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも一表面に誘電体層が形成された誘電体層付導電性基材において、
前記誘電体層が、金属アルコキシドの加水分解生成物の縮合により形成される結晶性金属酸化物と樹脂成分とを含有することを特徴とする誘電体層付導電性基材を用いる。 （もっと読む）

【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

【課題】積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。
【解決手段】薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。下部導体層１０を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層１０を構成するめっき膜を形成する工程と、このめっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤを用いた新規なキャパシタを提供する。
【解決手段】導電性のナノワイヤからなる第１の電極１と、第１の電極の外周を部分的に被覆する誘電体層２と、誘電体層の外周を被覆する第２の電極３と、を有するキャパシタ。導電性のナノワイヤからなり、第１の端部と第２の端部とを有する第１の電極と、第１の端部における外周を被覆し、第１の端部から前記第２の端部側に向かって、第１の電極の外周を被覆し、且つ前記第２の端部を被覆していない誘電体層と、誘電体層の外周を被覆する第２の電極と、を有するキャパシタ。 （もっと読む）

【課題】積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。
【解決手段】薄膜デバイス１は、基板２と、基板２の上に配置された絶縁材料よりなる平坦化膜３と、平坦化膜３の上に設けられたキャパシタ４とを備えている。キャパシタ４は、下部導体層１０と、下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。下部導体層１０は、電極膜１１と、電気めっき法を用いて電極膜１１の上に形成された第１層１２と、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いて第１層１２の上に形成された第２層１３とを有している。第２層１３における金属結晶の粒径は、第１層１２における金属結晶の粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】誘電体層の比誘電率を容易に設定する。
【解決手段】第１電極５２及び第２電極５６間に誘電体層５４が設けられる。第１電極５２上に、絶縁性材料を含む液滴と、誘電体材料を含む液滴とを個別に塗布して、絶縁層５３に誘電体材料が分散した誘電体層５４を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で容量が大きく、かつ、高周波信号の伝播遅延や高周波信号の減衰を抑制したコンデンサ内蔵中継基板となる積層セラミックコンデンサまたはコンデンサ内蔵多層配線基板を得ることにあり、さらにまた、より一層小型化や高密度化が可能な積層電子装置を得る。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ（コンデンサ内蔵多層配線基板）１０において、コンデンサ部１１ｂ，１１ｃ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃに形成された信号配線１４を、１１ｂ，１１ｃ誘電体層より小さい誘電率を有する絶縁部１７により覆った。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、誘電率が高く、リーク特性が良好で、安定した特性の薄膜誘電体を提供することにある。また、このような薄膜誘電体を用いて、大容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサ素子を提供することも目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、（１−ｘ）ＭＴｉＯ_３‐（ｘ）〔Ｂｉ_２Ｏ_３・３ＴｉＯ_２〕、但し、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａのいずれか１種以上、ｘは０＜ｘ≦０．４の薄膜誘電体を形成した。当該薄膜誘電体を備える薄膜コンデンサ素子は誘電率が高く、リーク特性が良好で信頼性の高い素子とすることができた。 （もっと読む）

【課題】経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない強誘電体キャパシタまたは高誘電率を有する誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部電極と、を備え、前記下部電極はパラジウムの柱状結晶間にその酸化物である酸化パラジウムを有し、その上層に白金層を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 鉛（Ｐｂ）を含まず、容量温度特性および比誘電率に優れ、しかも誘電損失の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式ａ（ＳｒＴｉＯ_３ ）＋ｂ（ＢａＴｉＯ_３ ）＋ｃ（Ｂｉ_２ Ｏ_３ −ｘＴｉＯ_２ −ｙＭｇＯ）で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図（ａ，ｂ，ｃ）で表したとき、図２に示す点Ａ〜Ｅで囲まれた領域内（ただし、ａ＝０となる範囲は除く）にあり、かつ、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＴｉＯ_２ のモル比を表すｘと、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＭｇＯのモル比を表すｙとが、０．７≦ｙ／ｘ≦１．５および１．０≦ｘ＋ｙ≦１．８の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 ＥＳＬの小さなコンデンサ内蔵電子部品を提供する。
【解決手段】 複数の能動素子のチップが多層の金属層を有するシリコン基板上に搭載された構造を有し、シリコン基板上の金属層間の少なくとも１層に０．０５μｍ〜１μｍの金属酸化物層を備え、その上下に隣接する金属層に形成された電極によってコンデンサ機能を得ることを特徴とするコンデンサ内蔵電子部品及び複数の能動素子のチップが多層の金属層を有するガラス基板上に搭載された構造を有し、ガラス基板上の金属層間の少なくとも１層に０．０５μｍ〜１μｍの金属酸化物層を備え、その上下に隣接する金属層に形成された電極によってコンデンサ機能を得ることを特徴とするコンデンサ内蔵電子部品。 （もっと読む）

【課題】 酸化温度が低い材料を上部電極として使用し、なおかつ誘電体素子のリーク電流密度を十分に低減することの可能な誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 下部電極１２上に誘電体１４を形成して、第１の積層構造１５を作製する。次に、第１の積層構造１５をアニールする。続いて、誘電体１４上に上部電極１６を形成して、第２の積層構造１７を作製する。この後、第２の積層構造１７を減圧雰囲気２５ｂ下で１５０℃以上の温度でアニールする。下部電極１２および上部電極１６の蒸発を防ぐため、第２の積層構造１７のアニールは、４５０℃以下の温度で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製造上の歩留まりが良好であり、信頼性の高い薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】半導体チップに接続される薄膜キャパシタであって、前記半導体チップに個別に接続される、多分割のセル構造に配列された複数の個別キャパシタを有することを特徴とする薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電極材料として安価なＣｕ又はＮｉを用いて電極を高温で焼いた場合においても粒成長による凹凸の発生を抑制し、結果として誘電体層を高温焼成しうる薄膜電子部品用電極及びその薄膜電子部品並びにその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係る薄膜電子部品用電極は、基板上に形成された薄膜電子部品の電極において、主成分としてＣｕ若しくはＮｉを含有し且つ副成分として前記主成分の金属の融点よりも２１０℃以上高い融点を有する金属を含有する金属層又は合金層からなることを特徴とする。本発明に係る薄膜電子部品は、当該電極を使用する。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ法やＣＶＤ法では、特殊な真空チャンバーが必要であり、製造コストが高くなるという欠点があり、ゾルゲル法では、反応に高温を必要とするため、基材が耐熱性のものに限定されていた。さらに、大面積の被膜を作成する場合、膜厚にばらつきがあった。
【解決手段】
導電性基材表面に絶縁層として１層形成された絶縁体微粒子膜が導電性基材表面に形成された第１の有機膜と絶縁体微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して共有結合している単層絶縁体微粒子膜を製造提供することを要旨とする。さらに同様の方法を用いて、単層誘電体微粒子層が第１及び第２の電極に挟まれた構造のコンデンサーであり、第１の電極と誘電体微粒子が第１の電極表面に形成された第１の有機膜と誘電体微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して共有結合しているコンデンサーを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンデンサを有する電子部品に関し、エレクトロマイグレーションの発生を防止でき、かつコンデンサ素子の容量値の精度が高い電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品１は、基板５１上に形成された下部導体２１と、下部導体２１を覆って形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成された有機絶縁膜３３と、下部導体２１上の有機絶縁膜３３を開口した開口部３３ｂに形成され、下部導体２１と誘電体膜３１とでコンデンサ素子１１を構成する上部導体２３とを有している。 （もっと読む）

簡潔に言うと、本発明は、少なくとも１つの導電性電極と、前記電極に隣接する誘電層を含み、前記誘電層が、ポリマーマトリックスと、前記ポリマーマトリックスに分散した金属酸化物粒子を含み、前記金属酸化物粒子が、その表面に共有結合した有機官能基を有し、前記有機官能基が、前記ポリマーマトリックスに共有結合していない電子デバイス、典型的にはトランジスタ又はコンデンサを提供する。別の態様では、本発明は、（ａ）硬化性組成物と、（ｂ）金属酸化物粒子とを含み、前記金属酸化物粒子が、その表面に結合した有機官能基を有し、前記有機官能基が前記硬化性組成物のどの部分にも共有結合していない印刷可能な分散体、典型的にはジェット印刷可能な分散体を提供する。一実施形態では、有機官能基は硬化性組成物のどの部分とも反応して共有結合を形成しない。一実施形態では、有機官能基は、硬化性組成物の硬化時に、当該硬化性組成物と反応して共有結合を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】有機強誘電体材料を用い、低電圧駆動化を図ることができる有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、および有機強誘電体メモリを提供すること。
【解決手段】下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に、結晶性を有する有機強誘電体材料を含む液状材料４Ａを塗布・乾燥して、記録層４の結晶化度よりも低い結晶化度で、非晶質状態の有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜４Ｂを形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂの下部電極３と反対側の面上に、上部電極５を形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂ中の有機強誘電体材料を結晶化して、記録層４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）