【課題】 シート溶解性が低く、しかも、乾燥密度が高く適度な粘性を有する導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 導電性ペーストは、２位に炭素数１のアルキル基すなわちメチル基が２つ備えられると共に、４位に炭素数３のプロピル基が、５位に炭素数２のエチル基が、それぞれ備えられ、４〜６位の置換基の合計の炭素数が５である環式ケタールが溶剤として用いられているので、適度な粘性を有し、しかも、ポリビニルブチラール樹脂が用いられているセラミックグリーンシートに導体層を印刷する場合にも、そのシートの溶解性が極めて低く、更に、導電性ペーストを調製する際に金属酸化物粉末および導体粉末の分散性に優れているので形成される印刷膜の乾燥密度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品内部の物理的性状を評価し、電子部品の特性解析に寄与することができる電子部品の特性評価方法を実現する。
【解決手段】誘電体セラミック２の両端に電極３ａ、３ｂが形成されたセラミックコンデンサに対し、表面が金属部７を有するプローブ４を、誘電体セラミック２の表面であって一方の電極３ｂ（陰極）の近傍所定位置に接触させ、異なる複数の電圧をプローブ４と電極３ｂとの間に印加して電流値を測定し、電流−電圧特性をファウラー・ノルドハイムの式にフィッテングさせ、ショットキー障壁高さφを推定し、さらに空乏層幅ｗ及び酸素欠陥濃度Ｎ_Ｄを算出し、これにより電子部品の特性評価を行う。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子１０と、一対の外部電極２０、３０と、一対の接続端子４０、５０と、を有する。一対の外部電極２０、３０は、セラミックコンデンサ素子１０の対向する端面をそれぞれ別個に覆う。一対の接続端子４０、５０は、それぞれの外部電極２０、３０と電気的に接続される。そして、接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。さらに、外部電極２０、３０は、基材層の両面に導電層を有し、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と外部電極との距離を一定間隔に保ち、回路基板と外部電極とを電気的に接続可能な接続端子と、を有し、接続端子は、外部電極の回路基板側端面に接続端子の一端が固定される。 （もっと読む）

【課題】基板において発生する振動音の抑制効果を向上させることができるセラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックコンデンサ１０は、セラミックコンデンサ素子１１と、一対の接続端子１２とを含み、セラミックコンデンサ素子１１は、複数の誘電体２３と誘電体２３を介して対向するように設けられる内部電極２４とを有する誘電体素体２１と、誘電体素体２１の側面に設けられる外部電極２２とを有すると共に、接続端子１２は、導電部３１と絶縁部３２とからなり、導電部３１は、外部電極２２に接続される電極接続部３３と、基板１３に接続されるように設けられる外部接続部３４とを有し、導電部３１の外部接続部３４の幅Ａを、外部電極２２の幅Ｔよりも細く形成している。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しても、高い比誘電率を有し、低誘電損失で信頼性の高い積層型セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体層（厚みｔ１）と電極層（厚みｔ２）とが積層された素子本体を有する積層型セラミック電子部品であって、誘電体層（２）が、ＡＢＯ_３（ＡはＢａを含み、ＣａまたはＳｒを含んでもよい、ＢはＴｉを含み、ＺｒまたはＨｆを含んでもよい）で表される化合物を含み、化合物１００モルに対し、ＭｇＯを０．７５〜２．０モル、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ等の酸化物を酸化物換算で０．４〜１．０モル、ＳｉＯ_２を０．４〜０．８モル含み、電極層が形成されるべき領域に電極層が形成されていない電極不存在部（３０）の少なくとも一部には、Ｍｇを含む偏析相（２０）が形成されており、電極層（３）の線被覆率が６０〜９０％、０．３≦ｔ１≦２．０、０．３≦ｔ２＜１．０である。 （もっと読む）

【課題】材料の変更なしでも低ＥＳＬ及び高ＥＳＲ特性を全て満足させることができる積層型チップキャパシタを提供すること。
【解決手段】本発明の一様態による積層型チップキャパシタは、積層方向に従って配列された第１及び第２キャパシタ部を有するキャパシタ本体と、上記本体の外面に形成された複数の外部電極を含む。上記第１キャパシタ部は、上記本体内部で交互に配置される少なくとも１対の第１及び第２内部電極を含み、上記第２キャパシタ部は、上記本体内部で交互に配置される複数の第３及び第４内部電極を含み、上記第１〜第４内部電極は第１〜第４外部電極に連結される。上記第１キャパシタ部のＥＳＬは上記第２キャパシタ部のＥＳＬより小さく、第１キャパシタ部のＥＳＲは上記第２キャパシタ部のＥＳＲより大きい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＮｄ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.216＜α＜0.385，0.064＜β＜0.146，0.181＜γ＜0.312，0.321＜δ＜0.386、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックセラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックセラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と外部電極との距離を一定間隔に保ち、回路基板と外部電極とを電気的に接続可能な一対の接続端子と、を有し、接続端子が空間を内在させるように少なくとも折り返し部を有し、外部電極の回路基板側の端面に前記接続端子が接合材で固定される。 （もっと読む）

【課題】回路基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することができるセラミックコンデンサを提供することを課題とする。
【解決手段】誘電体素体２１と誘電体素体２１の両端部に設けられた外部電極２２とを有するセラミックコンデンサ素子１１と、外部電極２２と回路基板１３とを接続する接続端子１２と、を備えたセラミックコンデンサ１０であって、接続端子１２は、回路基板１３および外部電極２２から離れた部分において、複数回屈曲させた屈曲部２８を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 内部電極層との接続が強固で、かつ高い耐熱衝撃性を有する外部電極を具備する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】外部電極３が、金属とガラスとの焼結体からなる下地電極３ａと、該下地電極３ａの表面を覆うめっき膜とを有し、前記積層セラミックコンデンサを縦断面視したときに、前記下地電極３ａと前記めっき膜３ｂ、３ｃとの合計厚みが２０μｍ以下であるとともに、前記下地電極３ａは、前記コンデンサ本体１の前記側面側Ｂの厚みｔ_０が前記端面側Ａの厚みｔ_１よりも厚く、かつ前記下地電極３ａの前記側面側Ｂに存在する空隙１０の面積割合が前記端面側Ａに存在する空隙１０の面積割合よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させる。
また、（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表されるぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対し、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、各元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させる。 （もっと読む）

【課題】チップ型積層セラミックコンデンサに対する脚状の外部端子の取り付け効率を向上させるとともに、いわゆる、基板鳴きを抑制する。
【解決手段】チップ型積層セラミックコンデンサ１０の両端部にある外部電極１２ａ，１２ｂに対して脚状の外部端子１４ａ，１４ｂを取り付けるとき、外部電極に対して融点、４００℃以上の第一金属めっき層１３ａ，１３ｂを形成し、それを介して、上端部中央が切り欠かれて正面形状がほぼＵ字状をなし、下端部がほぼ直角に曲げ加工されて側面がＬ字形をなす外部端子を外部電極にスポット溶接により固定するとともに、外部端子の下端部１５ｄに第二金属めっき層１６ａ，１６ｂを付与し、その外部端子を回路基板のランドにはんだ付けするとき、はんだの濡れ性を高めるとともに、はんだ付け時の加熱による外部端子の脱落を防止する。 （もっと読む）

【課題】積層体の所定の面上であって、複数の内部電極の各端部が露出した箇所に、直接、無電解めっきを施すことによって、複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続する外部電極を、良好な品質をもって形成できるようにし、実効体積率に優れかつ信頼性の高い、積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層体５として、内部電極３ａ，３ｂが露出する端面６において、隣り合う内部電極３ａ，３ｂが互いに電気的に絶縁されているとともに、絶縁体層２の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極３ａ，３ｂ間の間隔ｓが５０μｍ以下であり、かつ端面６に対する内部電極３ａ，３ｂの突出長さｐが０．１μｍ以上であるものを用意する。無電解めっき工程において、複数の内部電極３ａ，３ｂの端部に析出しためっき析出物が相互に接続されるように当該めっき析出物を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品において、電子部品素体の外部電極と外部端子との接合に際し、電子部品素体に微小クラックの発生を抑えた信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】この発明にかかる電子部品である外部端子付き電子部品１０は、電子部品素体である積層型セラミックコンデンサのセラミック素体１２と、セラミック素体に形成される外部電極１４と、端子接合用はんだ１６によって外部電極と接合される外部端子１８と、セラミック素体の全部と外部端子の一部とを共に被覆する外装樹脂２０とから構成される。外部端子は、接合部２２と接合部２２から所定の方向に延ばされる延長部２４とを有する。外部端子は、母材２６と母材２６の表面に形成される金属層２８とを有し、接合部の近傍において外部端子の延長部の一部の表面が、外部端子の母材の表面に形成されている金属層を剥がすことによって凹状に加工された加工部３０を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり、端子電極とセラミック素体との固着強度に優れるセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明は、金属成分を含有する内部電極が埋設されたセラミック素体１と、内部電極が露出するセラミック素体の両端面１１をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極３と、を備えるセラミック電子部品１００であって、端子電極３は、セラミック素体１側から第１の電極層と、導体グリーンシートを焼付けて形成される第２の電極層と、を有し、第２の電極層が内部電極から拡散した金属成分を含有するセラミック電子部品１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】下部電極の抵抗値を減少させることができ、これにより、薄膜コンデンサの電気的な特性や機能を十分に高めることができる薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ１は、平面矩形状をなす基板２上に、下部電極３、誘電体膜４、上部電極５Ａ，５Ｂ、第３の電極６、保護層７、及び端子電極８が、順次積層されてなるものである。下部電極３は、基板２の外周よりも内側の領域上に形成され、誘電体膜４は、下部電極３の上面及び側壁面、及び、下部電極３の外方の基板２上面の一部を覆うように形成され、上部電極５Ａ，５Ｂは下部電極３に誘電体膜を介して対向して並置するように形成されている。また、誘電体膜４は、上部電極５Ａと上部電極５Ｂとの間の位置に開口部４１を有し、その位置に、下部電極３と電気的に接続する第３の電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜５００℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い５００〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）