【課題】ビルドアップ基板中に内蔵できるキャパシタを、エアロゾルデポジション法を使って形成する。
【解決手段】金属よりなる第１の基体上に第１のセラミック膜を形成する工程と、金属よりなる第２の基体上に第２のセラミック膜を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック膜の一方の表面に銅よりなる第１の電極パタ―ンと第１のビアプラグパタ―ンとを、相互に離間して形成する工程と、前記第１および第２の基体を互いに押圧することにより、前記第１のセラミック膜と前記第２のセラミック膜とを、前記第１の基体と前記第２の基体とが押圧された状態で、前記第１の基体と前記第２の基体との間にパルス電圧を印加することにより、前記第１および第２のセラミック膜を、前記第１の電極パターンおよび前記第１のビアプラグパタ―ンを介して相互に接合する工程と、前記第２の基体を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】耐湿性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る積層セラミックコンデンサ１１は、積層された複数のセラミック層１３と、複数のセラミック層１３間に配置された内部電極１４及び１５と、を有する積層体１２と、積層体１２の外表面上に形成され、内部電極１４及び１５と電気的に接続された外部電極１８及び１９と、を備え、セラミック層１３がＣａＺｒＯ₃を主成分として含み、積層体１２と外部電極１８及び１９との間に、（Ｂａ，Ｃａ）−Ｚｎ−Ｓｉ系酸化物（Ｃａが０を含む）を含む層が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】異なる材料を含む主成分および副成分を含む誘電体磁器組成物同士の間で剥離が生じるのを抑制しつつ、同時に焼成することが可能な誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、副成分とを含む誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分原料と副成分原料とを混合した原料混合粉末を、酸素雰囲気下において８００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理することにより得られ、Ｘ線回折において、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、熱処理後の未反応なまま存在する副成分原料の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが、４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】内部構造欠陥の発生を抑制した積層電子部品を製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】積層コンデンサ１の製造方法は、主面電極７ａ〜１０ａを含む内部電極パターン３７〜４０をセラミックグリーンシート３２上に形成する工程と、セラミックグリーンシート３２上で内部電極パターン３７〜４０が形成されない非形成領域Ｒ１〜Ｒ４と主面電極７ａ〜１０ａの周縁全体とに第一段差吸収層１３〜１６と第二段差吸収層１７〜２０とを形成する工程と、段差吸収層１３〜２０等が形成されたセラミックグリーンシート３２を積層且つ圧着して、グリーン積層体４５ｂを形成する工程と、を備える。第二段差吸収層１７〜２０により、セラミックグリーンシート３２を積層圧着したとしても、主面電極７ａ〜１０ａに段差Ｓが形成されることを防止でき、段差Ｓに起因する応力集中を回避できる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を向上させつつ、しかも良好な信頼性を有する誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】ＡＢＯ_３（ＡはＢａ単独、または、ＢａとＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つとであり、ＢはＴｉ単独、または、ＴｉおよびＺｒである）で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物が、コアと、少なくともＲ元素が含まれるシェルと、からなるコアシェル構造を有する誘電体粒子を含んでおり、シェルにおいて、Ｒ元素の含有割合が最大となる領域が、コアとシェルとの境界領域である。 （もっと読む）

【課題】組成変動を生じることなく、安定して優れた誘電特性を有することができる誘電体磁器組成物の製造方法および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、主成分原料と副成分原料とを水で混合して原料混合粉末を得る原料混合粉末の作製工程と、前記原料混合粉末を酸素雰囲気下において熱処理する熱処理工程と、熱処理後、原料混合粉末にＬｉ₂Ｏを含むガラスを添加し、有機溶剤を用いて粉砕するガラス成分添加・粉砕工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実装ミスを防止することのできる積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ１において、回路基板１００などに実装されない接続導体４の最外層２１は、端子電極３よりもはんだ濡れ性の低い膜によって形成されており、視覚的にもはんだ濡れ性の良い端子電極３と識別することが可能となる。従って、積層コンデンサ１を回路基板１００などに実装する際は、目視によって接続導体４と端子電極３との識別が可能となるため、実装ミスを防止することができる。また、接続導体４の最外層２１は、はんだ濡れ性が低いため、誤って接続導体４を回路基板１００に実装しようとした場合であっても、はんだ付けを行うことができない。更に、端子電極３のはんだ付けの際のはんだブリッジ不良による実装ミスも防止することができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックシート等の切断工程ではセラミックシートをしっかり保持すると共に、高い切断精度を得ることができ、その後、所定温度以下に冷却することにより効率的に容易にチップを剥離することができる仮固定シートを、広い設計自由度の中でハンドリング性良く提供する。
【解決手段】支持基材１と少なくともその片面に設けられた仮固定層２からなる仮固定シートであって、その仮固定層２がウレタンポリマーとビニル系ポリマーとを含有するものとする。 （もっと読む）

【課題】実装面積を小さくすることが可能であり、信頼性の高いセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック電子部品１００は、複数のセラミック層と、隣接するセラミック層の間に埋設された内部電極と、を有するセラミック素体１０と、セラミック素体１０の主面１２上に内部電極と電気的に接続された端子電極２０と、を備え、セラミック素体１０は、主面１２及び主面１２に垂直な側面１３，１４の間に主面１２に対して傾斜した斜面１６，１８を有しており、端子電極２０は、セラミック素体１０の側面１３，１４の延長線を越えないように斜面１６，１８の主面１２側の部分を覆う。 （もっと読む）

【課題】ピンホールを生じること無くガラス層を形成することができるセラミック積層電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造方法は、主としてセラミックスからなる焼結した素体の表面にガラス粉体層を形成する工程と、焼成炉内において所定の焼成温度でガラス粉体層を焼成する焼成工程とを有し、焼成工程においては、所定の焼成温度における焼成炉内の圧力を、室温における焼成炉内の圧力の２．２倍以上にして、ガラス粉体層を焼成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに薄膜形成前駆体溶液を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜４５０℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い４５０〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分として、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で１．０〜３．０モル、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１つ）をＲ_２Ｏ_３換算で２．０〜５．０モル、Ｍｎの酸化物をＭｎＯ換算で０．０５〜１．０モル、Ｓｉを含む酸化物をＳｉＯ_２換算で２．０〜１２．０モル、含有し、Ｍｇの酸化物の含有量（α）およびＲの酸化物の含有量（β）が、０．４５≦α／β＜１．００である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】外部電極の端部における応力集中によりセラミック素体のクラックを抑制することを可能とする電子部品を提供する。
【解決手段】第１，第２の外部電極５，６が、セラミック素体２の側面を覆う外部電極本体部と、外部電極本体部に繋がっており、セラミック素体２の上面及び下面に至っている折り返し部とを有する。セラミック素体２内に、複数の補強電極７，８が形成されている。複数の補強電極７，８のうち少なくとも１つの補強電極の端部が、セラミック素体２の上面または下面において、折り返し部における厚膜電極層５ａ，６ａよりもセラミック素体２の内側において露出している。めっき層５ｂ，６ｂが、厚膜電極層５ａ，６ａ及び少なくとも１つの補強電極の露出している部分を覆うように形成されており、それによって折り返し部において、厚膜電極層５ａ，６ａの内側端縁よりめっき層５ｂ，６ｂの内側端縁が内側に位置している、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】共振周波数におけるインピーダンスの急激な低下を抑えることができ、かつクラックの発生を抑制できる積層コンデンサの実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ２の実装構造１では、樹脂電極層１４が第２コンデンサ部１２のＥＳＲ成分として機能するようなフィレット高さＨのハンダフィレット７によって積層コンデンサ２と回路基板６との接続がなされている。これにより、樹脂電極層１４の厚みに応じたＥＳＲ成分が第２コンデンサ部１２に付与され、共振周波数におけるインピーダンスのフラット化を実現できる。また、積層コンデンサ２の実装構造１では、第１コンデンサ部１１と第２コンデンサ部１２との間に間隔Ｄが設けられている。これにより、回路基板６の変形応力や第１コンデンサ部１１の電歪振動による応力が第２コンデンサ部１２に伝達しにくくなり、クラックの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの外部電極を、部品本体の所定の面上に直接めっきを施すことによって形成したとき、外部電極となるめっき膜の部品本体に対する固着力が低いことがある。
【解決手段】外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｎｉ−Ｂめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。次いで、第１のめっき層１８上に、Ｂを実質的に含まないＮｉめっき膜からなる第２のめっき層１９を形成する。好ましくは、第１のめっき層１８を構成するＮｉ−Ｂめっき膜のＢ含有率は、０．１〜６重量％である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きくなることを抑制しつつ、直流抵抗が大きくなることを抑制することが可能な貫通型積層コンデンサを提供すること。
【解決手段】コンデンサ素体Ｌ１内には、信号用主電極部３０ａ〜３６ａ並びにコンデンサ素体Ｌ１の外表面に引き出されるように伸びる第１及び第２の信号用引き出し電極部３０ｂ〜３６ｂ、３０ｃ〜３６ｃを有する信号用内部電極３０〜３６と、接地用主電極部２０ａ、２１ａ及びコンデンサ素体Ｌ１の外表面に引き出されるように伸びる接地用引き出し電極部２０ｂ、２１ｂ、２０ｃ、２１ｃを有する接地用内部電極２０、２１とが配置されている。信号用内部電極３０〜３２、３４〜３６の信号用主電極部３０ａ〜３２ａ、３４ａ〜３６ａは、誘電体層１１、１２、１７、１８を間に挟んで他の信号用主電極部と対向する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック電子部品の製造時において、クラックの発生を防止するセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】この発明にかかるセラミック電子部品は、互いに対向する一対の主面と、互いに対向する一対の側面と、互いに対向する一対の端面とを備えるセラミック素体と、セラミック素体の端面上に形成された一対の外部電極とを備える。外部電極は、一対の端面上に形成され、かつ、主面および側面のいずれにも回り込まない第１の導電層と、第１の導電層を被覆するように端面上に形成され、かつ、主面および側面上に回り込んだ第２の導電層を有する。第１の導電層は焼結金属を含み、第２の導電層はめっき金属を含む。そして、第２の導電層は、主面上および側面上において、該端面から遠ざかるにつれて薄くなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】エチルセルロースを十分に溶解するがブチラール樹脂をほとんど溶解しない溶剤を開発する。
【解決手段】上記課題は、以下の式（Ｉ）：


[式中、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３の合計炭素数は３〜１０である]
で示されるケタールを含むことを特徴とするエチルセルロース溶解性の溶剤により解決される。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）