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Fターム[5E315BB02]の内容

印刷回路用の絶縁金属基体 (4,442) | 絶縁金属基板の材料 (1,502) | 金属材料 (904) | 鉄(鋼板) (132)

Fターム[5E315BB02]に分類される特許

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【課題】金属コアを具備した印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は、金属コアと、金属コアの少なくとも一面に積層される絶縁層を含み、金属コアには絶縁層の一部が除去されてその縁面が外部に露出される露出面が形成された印刷回路基板は、露出面を介する熱放出が優れる。 (もっと読む)


【課題】導体パターンのイオンマイグレーションを有効に防止することができるとともに、端子部における静電気の帯電を有効に防止することのできる回路付サスペンション基板を提供すること。
【解決手段】回路付サスペンション基板1において、金属薄膜12を、導体パターン4の上面および側面に、連続して形成し、半導電性層13を、金属薄膜12の上面および側面と、金属薄膜12から露出するベース絶縁層3の上面および側面と、ベース絶縁層3から露出する金属支持基板2の上面とに、一端が端子部6に臨み、他端が金属支持基板2に接触するように、連続して形成する。 (もっと読む)


【課題】金属化バイアを形成するため、および電着により付与される誘電性コーティングを含む多層回路アセンブリを製作するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板中に金属バイアを形成するためのプロセスに関し、このプロセスは、以下:(I)電気伝導性基板に、その上に順応性の誘電性コーティングを形成するため、該基板のすべての剥き出た表面上に電着可能なコーティング組成物を、電気泳動により付与する工程であって、該電着可能なコーティング組成物が、水相中に分散された樹脂相を含み、該樹脂相が:(a)非ゲルの活性水素を含有するイオン基含有樹脂、および(b)該樹脂(a)の活性水素と反応性の硬化剤を含み、該樹脂相が、該樹脂相中に存在する樹脂固形分の総重量を基づき、少なくとも1重量%の共有結合したハロゲン含量を有する工程を包含する。 (もっと読む)


【課題】ステンレス基体上に設けられた導電性金属層とポリイミド系樹脂層との密着性を安定的に確保しつつ、エッチング加工精度の良い、環境負荷物質の使用を伴わない導電性金属層付きステンレス基体とその製造方法及びこれを用いたハードディスクサスペンション材料を提供する。
【解決手段】ステンレスの上に導電性金属層を有する導電性金属層付きステンレス基体であって、前記導電性金属層の厚さが0.1〜10μmの範囲であり、前記導電性金属層表面の粗度がRa=0.05〜1μm、Rz=1〜5μmの範囲であることを特徴とする導電性金属層付きステンレス基体とその製造方法、及びこれを用いたハードディスクサスペンション材料である。 (もっと読む)


【課題】電子部品に損傷を与えることなく、帯電を防止することができるとともに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板2、ベース層3、導体パターン4およびカバー層5が順次積層され、カバー層5が開口されることにより、導体パターン4の露出部分が端子部6として形成された回路付サスペンション基板1のカバー層5の表面に、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層10を形成する。その後、この半導電性層10に、ドーピング剤が、半導電性層10の表面から少なくとも0.2μmの深さまで浸透されるように、回路付サスペンション基板1を、ドーピング剤水溶液に、100〜200℃、2〜15MPa、30分〜24時間の浸漬条件で、浸漬する。 (もっと読む)


【課題】半導電性層と金属支持基板との接触面積を十分に確保して、確実に導体パターンの静電気を除去して、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】回路付サスペンション基板1の配線形成領域19において、金属支持基板2の上に、金属支持基板2が露出する溝部6が形成されるように、第1ベース絶縁層3aと第2ベース絶縁層3bとを備えるベース絶縁層3と、第1ベース絶縁層3aに設けられる一方の1対の配線9aおよび9bと第2ベース絶縁層3bに設けられる他方の1対の配線9cおよび9dとを備える導体パターン4と、金属支持基板2の表面、ベース絶縁層3の表面、および、導体パターン4の表面に、幅方向に沿って連続して形成される半導電性層7とを順次積層し、溝部6において、半導電性層7を、金属支持基板2に接触させる。 (もっと読む)


【課題】硬化物の熱伝導率を向上させ得る熱伝導用エポキシ樹脂組成物の提供を課題としている。
【解決手段】エポキシ樹脂と該エポキシ樹脂よりも熱伝導率の高い無機フィラーとが含有されてなり、加熱されて前記エポキシ樹脂が硬化される熱伝導用エポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂にアルコキシシラングラフトエポキシ樹脂が用いられていることを特徴とする熱伝導用エポキシ樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】ベース絶縁層およびカバー絶縁層のみならず、端子部の静電気をも除去することにより、実装される部品の静電気破壊を効果的に防止することができ、しかも、半導電性層の脱離を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板2の上にベース絶縁層3を形成し、ベース絶縁層3の上に導体パターン4を形成し、ベース絶縁層3の上に、導体パターン4を被覆しかつ開口部15が形成されるように、カバー絶縁層4を形成することによって得られる回路付サスペンション基板1において、カバー絶縁層5によって被覆されているベース絶縁層3の上面と導体パターン4の側面および上面と、金属支持基板2に隣接するベース絶縁層3の側面とに、半導電性層13を連続して形成し、かつ、カバー絶縁層5に導電性物質を含有させる。 (もっと読む)


【課題】RFモジュールの基板材料として、セラミックス材料で成膜した基板を利用する。
【解決手段】厚い金属ベース11上にエアロゾルデポジション法でセラミックス材料の絶縁膜12を形成して、その上にパターン配線13や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第1二次元回路1を作製し、この第1二次元回路1上に、薄い金属ベース12上に絶縁膜22を形成した上にパターン配線23や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第2二次元回路2と、薄い金属ベース31上に絶縁膜32を形成した上にパターン配線33やモジュール内に実装できない比較的大きな既存のチップ部品を実装した第3二次元回路3を積層して、集積化RFモジュールとする。 (もっと読む)


【課題】 高密度化および高速化に対応しつつ、十分な信頼性をもって、ノイズ対策がなされた配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 金属支持基板2、ベース絶縁層3、導体パターン4およびカバー絶縁層5が順次積層される回路付サスペンション基板1において、ベース絶縁層3内に、導体パターン4の信号配線10と厚み方向に対向し、金属支持基板2と接触するグランド層6を幅方向に間隔S1を隔てて設けるとともに、導体パターン4として、信号配線部8とともにグランド配線部9を形成し、そのグランド配線部9として、下端面が金属支持基板2と直接接触するように、ベース絶縁層3に形成された接続孔7内に充填される接続部11と、ベース絶縁層3の上に形成され、幅方向において間隔S1を隔てて隣接配置される各グランド層6の両方と、厚み方向に対向するグランド層対向部12とを形成する。 (もっと読む)


【課題】 同軸構造の導体配線を有する配線基板を効率よく、製造することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板4の第1の主面22側から、基板4を貫通しない孔26と、溝28を形成し、第1の主面22の表面、孔26および溝28の内周面ならびに孔26および溝28の底面に絶縁層30を形成し、孔26および溝28の内部に導体を充填し、第1の主面22側から導体の一部を除去して導体部36を露出させ、第2の主面24側から孔26および溝28の底面の絶縁層30を除去して導体部36を露出させることにより、配線基板2を製造する。
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【課題】 配線パターン層の配線密度の差に起因する応力負荷が低減された、高い信頼性を有する回路基板およびそれを用いた回路装置を提供する。
【解決手段】 本発明の回路装置50は、回路基板10内部に、コア部材として開口部2を有する金属基板1が設けられ、その開口部2の下面側の端には突起1aを有し、開口部2の上面側の端にはへたり1bを有している。この金属基板1の両面側に絶縁層3,5を介してそれぞれ配線パターン層4,6が形成されており、各配線パターン層を電気的に接続させるため、開口部2を介して金属基板1を貫通し、配線パターン層4と配線パターン層6とを接続する導体層8が形成され、各配線パターン層との導通が得られる。さらに、回路基板10の上面側に、半導体チップ20が半田ボール21を介して直接接続されている。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成により、金属支持基板に形成される開口部の端縁において、金属支持基板の密着性を向上させることにより、金属支持基板の剥離を防止することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 回路付サスペンション基板1において、導体パターン5の伝送損失を低減するために、ベース絶縁層3に埋設される金属箔6を、第1金属箔部分9と、第1金属箔部分9を隙間S1を隔てて囲む第2金属箔部分10とを備えるパターンとして形成し、金属支持基板2に、その開口端縁8が、隙間S1に配置されるように開口部7を形成する。 (もっと読む)


本発明の基板は、金属板と、金属板の表面上に形成された、針状アルミナ粒子および粒状粒子を含む絶縁膜とを有する。本発明の基板は、絶縁性に優れ、工業上実用的な効率で製造できる。
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【課題】 照明などの用途で高密度に発光素子を実装した場合に良好な放熱性を確保し得る発光素子実装用ホーロー基板及び該基板に発光素子を実装した発光素子モジュール及び該発光素子モジュールを有する照明装置、表示装置及び交通信号機の提供。
【解決手段】 コア金属の表面にホーロー層が被覆されてなり、一方の面に発光素子実装用の反射カップ部が設けられた発光素子実装用ホーロー基板であって、前記反射カップ部が設けられていない面の少なくとも一部に、ホーロー層が除去されてコア金属が露出した放熱部が設けられたことを特徴とする発光素子実装用ホーロー基板。この基板に発光素子を実装してなる発光素子モジュール。 (もっと読む)


【課題】 静電気の帯電を効率的に除去して、実装される電子部品の静電破壊を有効に防止しつつ、製造コストを低減することができる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 金属支持基板2と、金属支持基板2の上に形成されたベース層3と、ベース層3の上に形成された導体パターン4と、導体パターン4を被覆するように、ベース層3の上に形成されたカバー層5とを備え、カバー層5の開口部9から露出する導体パターン4が端子部6とされている回路付サスペンション基板1において、ベース層3および/またはカバー層5を、導電性粒子を含む半導電性層から形成する。この回路付サスペンション基板1では、半導電性層によって、静電気の帯電を除去して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、ベース層3および/またはカバー層5の上に、さらに半導電性層を形成する必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 2枚の配線基板をワイヤボンディングにより接続してなる電子装置において、小型化に適し且つ両配線基板のワイヤボンディングを適切に行うことが可能な構成を実現する。
【解決手段】 平板状の支持基板10と、支持基板10の一面11側に裏面22を対向させて接着された第1の配線基板20と、支持基板10の他面12側に裏面32を対向させて接着された第2の配線基板30とを備え、第1の配線基板20の端部および第2の配線基板30の端部は支持基板10に対して接着固定され、支持基板10に、一面11から他面12へ貫通する貫通穴10aが設けられ、貫通穴10aから第2の配線基板30の裏面32のうち端部よりも内周の部位が露出しており、第1の配線基板20の表面21と第2の配線基板30の裏面32とは、貫通穴10aを介してボンディングワイヤ60により結線され、電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 平坦な部分への設置だけでなく筐体の側面や底面または段差や曲面などに密着させることができ、熱放散性、電気絶縁性、屈曲性に優れる薄型化された金属ベース回路基板およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路を提供する。
【解決手段】 金属箔上に絶縁層を介し導体回路を設けた金属ベース回路基板であって、前記金属箔の厚さが5μm以上300μm以下、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含有する前記絶縁層の厚さが80μm以上200μm以下、前記導体回路の厚さが9μm以上140μm以下である金属ベース回路基板であり、前記熱硬化性樹脂が水素添加されたビスフェノールF型および/またはA型のエポキシ樹脂やエポキシ当量800以上4000以下の直鎖状の高分子量エポキシ樹脂を含有することが好ましい。さらに、室温で折り曲げることが可能である前記金属ベース回路基板およびそれを用いた混成集積回路である。 (もっと読む)


【課題】 反射凹部を有するホーロー基板を効率よく低コストで作製できる反射凹部付きのホーロー基板からなる発光素子実装用基板、該基板に発光素子を実装してなる光源、該光源を備えた照明装置、表示装置及び交通信号機の提供。
【解決手段】 コア金属21の表面をホーロー層22で被覆してなり、発光素子実装用の反射凹部23が設けられた発光素子実装用基板であって、前記反射凹部の周りに溝24が設けられていることを特徴とする発光素子実装用基板20。前記発光素子実装用基板の前記反射凹部内に発光素子が実装されてなることを特徴とする光源。 (もっと読む)


【課題】放熱特性に優れ、熱変化に強く、電気特性に優れ、半導体素子等との密着性に優れた構造体、並びに、これを用いた半導体素子放熱部材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 熱伝導性を有する放熱体(金属基体)10と、金属基体10の表面の少なくとも一部を覆うDLC膜(絶縁性非晶質炭素膜)12と、DLC膜12上に設けられ3層で構成された積層電極16と、を備えた構造体並びにこれを用いた半導体素子放熱部材及び半導体装置。 (もっと読む)


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