【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明によるプリント回路基板の製造方法は、ベース基板の両面に形成された銅箔の一部を除去してベース層を露出させる段階と、前記ベース層の露出領域に貫通孔を形成する段階と、前記貫通孔をデスミア処理してビアホールを形成する段階と、前記ビアホールの内部にメッキ層を形成する段階と、前記ビアホールに充填されたメッキ層により電気的に接続される回路パターンを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、しかも浴量を少なくすることができる電解再生処理ユニット及び電解再生処理装置を提供する。
【解決手段】アノード配管２９は主管部３０と副管部３４とを含む。アノード配管２９はアノードとして機能する内周面２９ａを有している。主管部３０は、第１接続端部４１及び第２接続端部４２を有している。主管部３０は、第１接続端部４１から第２接続端部４２までつづく処理液Ｌの流路を形成している。副管部３４は、主管部３０の途中から筒状に延出している。副管部３４の内部は主管部３０内の流路と連通している。カソード２５は、アノード配管２９の内周面２９ａと離隔している。カソード２５は、副管部３４内においてカソード取付端部４４から主管部３０に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板の表層から内層に到る有底ビアを電気的に接続するためのめっきを行う際に、内層とめっきとの接続信頼性を確保可能なめっき前処理装置及びめっき前処理方法を提供する。
【解決手段】被めっき体である前記多層配線基板の脱脂を行う脱脂槽と、脱脂に用いた脱脂液を前記多層配線基板から洗浄除去する水洗槽Ａと、前記多層配線板の貫通ビアの内壁に露出した内層端面または有底ビアの底部に露出した内層表面に対してエッチングを行うソフトエッチング槽と、前記エッチングに用いたソフトエッチング液を前記多層配線基板から洗浄除去する水洗槽Ｂと、を備え、前記水洗槽Ａの水洗水の実際の温度が、前記ソフトエッチング槽のソフトエッチング液の設定温度に対して、所定範囲に制御されるめっき前処理装置及びこれを用いためっき前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 セラミック焼結体からなる絶縁基板の貫通孔内に配置された貫通導体の端面と、この端面を被覆しているめっき層との接合の信頼性が高い配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔２を有する絶縁基板１と、貫通孔２内に配置された貫通導体３と、絶縁基板１の上面に露出した貫通導体３の端面を被覆するとともに、外周部の少なくとも一部が貫通導体３の端面よりも外側に延出するように被着されためっき層４と、絶縁基板１の上面に順次積層された、めっき層４と電気的に接続された配線導体５および樹脂絶縁層６を備える配線基板である。めっき層４の延出部分の変形により熱応力等を吸収して、めっき層４と貫通導体３の端面との間の剥離を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、狭ピッチの配線層を信頼性よく形成すること。
【解決手段】第１配線層２０の上に、絶縁樹脂層３０を介してニッケル・銅合金層４２が形成された積層体を形成する工程と、ニッケル・銅合金層４２及び絶縁樹脂層３０に、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨ内をデスミア処理する工程と、ニッケル・銅合金層４２の上及びビアホールＶＨの内面にシード層４４を形成する工程と、ビアホールＶＨを含む部分に開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２を形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層４６を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層４６をマスクにしてシード層４４及びニッケル・銅合金層４２をエッチングして第２配線層４０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いたレーザ加工法によるスルーホールは、スルーホール形成領域の絶縁層の溶解、気化、分解の効率が低く、スルーホールの加工精度は±25μm程度が限度である。
【解決手段】AlN基板１１の上部にレーザ光吸収金属層１２及びスルーホールTH1、TH2に対応する領域が除去されたレーザ光反射金属層１３−１、１３−２、１３−３を設け、AlN基板１１の下部にレーザ光吸収金属層１２’−１、１２’−２を設ける。レーザ光L1、L2はレーザ光反射金属層によって反射されるが、スルーホールに対応する領域のレーザ光吸収金属層によりAlN基板に集中かつ効率よく吸収され、AlN基板と共に、レーザ光吸収金属層も溶解、気化、分解する。これにより、径が下面に向う程小さくなるテーパ状スルーホールが形成される。同時に、スルーホール内のAlN基板の表面からNが脱離してAl露出層１１ａが内壁に形成される。 （もっと読む）

【課題】製造に高価な真空設備を必要とせず、よってサイズ的な制限を受けることなく、また有機物接着剤を使用することなく、且つ基材の材質に制限されることなく種々の基材を用いて、高密度、高性能、十分な薄肉化を可能とするプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁性の基材１０と、該基材１０の表面を被覆する導電層とからなるプリント配線板用基板１であって、前記基材１０は、該基材１０を貫通するスルーホール１１を有すると共に、前記導電層は、前記スルーホール１１の内孔の全表面及び前記基材１０の表裏表面を被覆する金属粒子を含む導電性インク層２０からなる。 （もっと読む）

【課題】接続時の端子間の接触不良を解消して良好な導電接続状態を確保するとともに、端子の微細ピッチ化やプリント基板の省スペース化を図ることができ、端子の厚みのばらつきを吸収する際に加圧力を大きくする必要がなく成形性に優れ、さらに端子どうしの接点となる箇所が容易に判別可能な回路基板、接続構造体を提供する。
【解決手段】ベース基板３０と、ベース基板３０の上に設けられ、ベース基板３０の面内に垂直な方向に厚みを有する第１端子４０と、を有し、第１端子４０は、第１の厚み部分４２ａと、第１の厚み部分４２ａよりも厚くかつ全体として最も厚く形成されてなるとともに先鋭な突出形状の第２の厚み部分４２ｂと、を有してなり、第１の厚み部分４２ａ及び第２の厚み部分４２ｂは、ベース基板３０の面内に平行な面で切断した第１端子４０の断面積がベース基板３０の表面から離れるに従って小さくなるように連続したテーパ形状に形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、貫通孔３を有し、貫通孔３の内側面が、セラミック焼結体が部分的に溶融した後に固化してなる溶融改質層１ａとされた絶縁層１と、絶縁層１の上下面に形成された配線導体２と、貫通孔３の内側面に被着され、絶縁層１の上下面の配線導体２同士を互いに電気的に接続する貫通導体４とを備え、貫通導体４は、溶融改質層１ａの表面に被着された密着層４ａと、密着層４ａの表面に被着された導体層４ｂとからなり、密着層４ａに、溶融改質層１ａと導体層４ｂとの間に部分的な空隙を生じるような切れ目Ａが形成されている配線基板である。貫通導体４に作用する熱応力を切れ目Ａの部分において吸収して、熱応力による貫通導体４の剥がれを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】細線回路の製造に適した回路構造の製造方法を提供する。
【解決手段】回路構造の製造方法は、複合誘電層と、回路板１３０と、複合誘電層と回路板の間に位置する絶縁層１２０を含み、複合誘電層は、非めっき性誘電層１１２と非めっき性誘電層１１２と絶縁層１２０の間に位置するめっき性誘電層１１４とを含み、非めっき性誘電層１１２の材質は、非化学めっき性の材料を含み、めっき性誘電層１１４の材質は、化学めっき性材料を含む。続いて、複合誘電層と、絶縁層１２０と回路板１３０をプレスフィットする。その後、複合誘電層と絶縁層１２０を貫通する通孔を形成するとともに、通孔中に回路板１３０の回路層に連接する導電ビア１４０を形成する。続いて、複合誘電層上に非めっき性誘電層１１２を貫通する溝パターン１１６を形成する。その後、化学めっき工程を行い、溝パターン１１６内に導電パターン１５０を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】被めっき物を酸化剤でデスミア処理した後、被めっき物上に吸着して残留した酸化剤成分を中和還元するための中和還元剤であって、チオアミド化合物及び非芳香族チオール化合物を含有する中和還元剤。
【効果】中和還元処理時にガスが発生しないので、スルーホールやブラインドビアホールの表面の中和還元不良が生じない。また、銅をほとんど溶解しないので、ハローイングの発生が抑制され、中和還元剤による内層銅と樹脂間のエッチングに起因するブリスターが発生しない。 （もっと読む）

【課題】両面の配線パターンの接続信頼性の高い両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１０の下面に中間層５を介して配線パターン２０が形成される。さらに、絶縁層１０には、配線パターンに達する複数の孔部１５０が形成される。絶縁層１０の上面ならびに孔部１５０の内周面および底面にシード層３０および電解めっき層４０の積層構造からなる配線パターン５０が形成される。配線パターン５０は配線部５０ａとランド５０ｂからなる。孔部１５０の底面の配線パターン２０の表面における酸素元素比率積分値が１２０％以上５３０％以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板またはプリント配線板用基板である、高多層材（配線板）の穴内めっき析出性に優れた無電解めっき用前処理方法を提供する。
【解決手段】被めっき物の非導電性表面に無電解めっき処理を施す工程前の前処理方法において、アルコール濃度が１〜６０質量％を含む水溶液に被めっき物を浸漬する工程、さらに、非イオン界面活性剤とフッ素系界面活性剤とを含むｐＨ１０以上のアルカリ水溶液に被めっき物を浸漬する工程を有する無電解めっき用前処理方法。 （もっと読む）

【課題】導電層が絶縁層を介して積層された多層配線基板において、導電層と絶縁層の密着強度を高め、歩留まりを向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線パターン１２ａ上に感光性ポリイミド前駆体を用いて、ポリイミド絶縁層１３を形成し、このポリイミド絶縁層１３上にフォトリソグラフィーにて、図１（３）に示すようにコンタクトホール１４を形成する。次に、酸素プラズマ処理をおこなった後、０．９５％（重量百分率）の酸性フッ化アンモンＮＨ_４Ｆ・ＨＦ（ＮＨ₄Ｆ・ＨＦ＝１：１）水溶液に２０秒浸漬する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は回路板の製造工程及び回路板を提供する。
【解決手段】 回路板の製造工程は以下の工程からなる。少なくとも１つの初期絶縁層を基板上に形成する（Ｓ１００）。続いて、活性化プロセスを行い（Ｓ１０２）、初期絶縁層を活性化絶縁層に変化させる。活性化絶縁層には表面及び表面にある活性エリアを有すると共に、多数の触媒粒子を含む。幾つかの触媒粒子が活性化して活性エリア内で露出する。続いて、活性エリア内で導電パターン層を形成し（Ｓ１０４）、導電パターン層は表面に突出する。このほか、上記回路板の製造工程によって製造された回路板も提案する。 （もっと読む）

【課題】多層回路基板の製造における、絶縁樹脂膜へのレーザ照射によるビアホール開口部形成の際、前記開口部底面に生じる樹脂残渣であるスミアの除去を、絶縁樹脂膜上に高密度導電膜パターン形成可能の様に実施する。
【解決手段】絶縁基板上の導電膜（パターン）上の所定位置に、樹脂膜に対して密着性を低下させるダミー膜パターンを形成し、その上に絶縁樹脂膜、更にその上に保護膜を積層し、前記所定位置においてレーザ照射を行い絶縁樹脂膜にビアホール開口部を形成するようにする。こうすることで、短時間のプラズマ処理によるスミア除去が可能で、絶縁樹脂表面の粗面化を回避でき、その結果、高密度で高アスペクト比の導電回路パターン（電気銅めっきパターン）を容易に形成でき、これの適用で、ビルドアップ法による高密度な導電回路パターンを有する多層回路基板の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】片面が平滑なシャイニー面であり他の片面が粗面化したマット面である電解銅箔と、前記マット面を底部としたＩＶＨとを有する多層プリント配線板において、このマット面を底部として多層プリント配線板に、レーザー加工によりＩＶＨ（インターステイシャルビアホール）を形成したときに、このマット面の銅箔上の非有機系被膜分解物によるレーザー加工残差がめっき被着面に発生しやすい。そのため、ＩＶＨの底面とそれと接するマット面の間で接続不良を発生しやすい。
本発明は、この銅マット面を底部としたＩＶＨ内の、レーザー加工残差や汚れを容易に除去し、ＩＶＨの底面とそれと接するマット面の間で発生する接続不良を改善する。
【解決手段】 マット面を底部としたＩＶＨを形成する前に、その底部部分の電解銅箔を平均表面粗さ３μｍまたはそれ以下に減少するようにハーフエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 直接金属化プロセスにおいて、基板の表面に炭素分散物の被覆を設ける改良された方法であって、前記基板が導電部と非導電部とを含む。前記方法が、炭素分散物を基板に接触させて前記基板を炭素を含有する前記分散物で被覆する工程と、前記基板のほぼ平らな面の少なくとも一部に亘って非吸収性ローラーを移動させて、前記基板のほぼ平らな面から過剰な炭素分散物を除去する工程、及び前記基板を真空吸引チャンバに通して前記基板の表面に残る過剰な炭素分散物を除去する工程の少なくとも１つの工程とを含む。前記方法は、マイクロエッチングに対する要求を最小限にするためにより清浄な銅の表面を提供し、また、炭素分散物が基板の表面に不要に再付着するのを防ぐ。
【解決手段】 （もっと読む）

【課題】本発明は、シード層と絶縁層との間に設けられた密着層を備えた配線基板及びその製造方法に関し、絶縁層から密着層が剥がれることを防止することのできる配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁層１３と、配線１９と、配線１９の形成領域に対応する部分の絶縁層１３の上面１３Ａに設けられた密着層と、密着層と配線１９との間に設けられたシード層１６と、を備えた配線基板１０であって、密着層としてＮｉ−Ｃｕ合金層１５を設けた。 （もっと読む）