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Fターム[5E343CC46]の内容

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【課題】本発明は、樹脂基材およびガラス材などが混在する樹脂基体に対する金属めっきにおいて、乾式法による密着促進前処理や金属被膜形成を行うことなく、低粗化表面に対して高い密着性を有するめっき被膜を与える湿式法に用いる前処理液、並びに前記前処理液を用いた表面処理方法、金属めっき被膜形成方法及びプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、樹脂基体の表面に無電解めっきを行うための前処理液として用いるコンディショナーであって、カチオンポリマー、水及び5〜200g/Lのビフルオリド塩を含有することを特徴とする、前処理液を提供する。 (もっと読む)


【課題】 導電膜形成工程において危険性の高い水素ガスを使用せず、汎用樹脂や、紙を材料とする非耐熱性基材が利用可能な温度の加熱により、導電膜が形成可能な導電膜形成用組成物、及びそれを用いた導電膜形成方法を提供する。
【解決手段】 貴金属微粒子、銅イオン、還元剤、及びモノアミン類を含有する導電膜形成用組成物を基材に塗布し、非酸化性雰囲気下で加熱することにより、基材上に導電膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】高速信号を扱う配線や高密度配線に適した表面粗さの小さな基材でも、絶縁樹脂材とめっき皮膜との間に強い密着力を形成する表面処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1種以上の有機溶媒を含有する溶媒混合物水溶液を2層以上に分離させ、2層以上に分離した溶媒混合物水溶液を分散・乳化して膨潤溶媒混合物水溶液とし、その膨潤溶媒混合物水溶液に絶縁樹脂材を浸漬して膨潤処理を行い、膨潤処理された絶縁樹脂材をエッチングすることによって、絶縁樹脂材表面に極微細なテクスチャーを形成する。 (もっと読む)


【課題】微細化された導体回路とソルダーレジスト層との密着性を高め、はんだバンプ形成部においても、導体回路とソルダーレジスト層とが強固に密着して剥離せず、はんだバンプ形成部に導通不良を引き起こさない多層プリント配線板を得る。
【解決手段】はんだパッド用導体回路と、ソルダーレジスト層と、はんだバンプとを備える多層プリント配線板の製造方法において、(a)無電解めっき及び電解めっきにより、線幅が50μm以下でなる前記はんだパッド用導体回路を形成する工程と、(b)前記はんだパッド用導体回路の上面および側面を第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理し、前記はんだパッド用導体回路上に最大粗度(Rmax)が0.5〜10μmの粗化面を形成する工程と、(c)前記工程(b)の後、前記はんだパッド用導体回路上にエッチング処理または研磨処理等による酸処理を行う工程と、(d)前記はんだパッド用導体回路をソルダーレジスト組成物で被覆する工程と、(e)前記はんだパッド用導体回路部分の前記ソルダーレジスト組成物を除去し、開口を有するソルダーレジスト層を形成する工程と、(f)前記開口において、はんだバンプを形成する工程とを含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】配線層の微細化(ライン:スペース=10:10μm以下)に対応できると共に、配線層とその上の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層10の上にシード層20aを形成する工程と、シード層20aの上に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、電解めっきによりその開口部に銅めっき層20bを形成する工程と、めっきレジストを除去する工程と、銅めっき層20bをマスクにしてシード層20aをウェットエッチングして配線層20を得る工程と、配線層20の表面を黒化処理して粗化する工程と、配線層20の上に絶縁層30を形成する工程とを含み、シード層20aをエッチングする工程で銅めっき層20bの表面が同時にソフトエッチングされ、これによって黒化処理の工程の前に行われる配線層20のソフトエッチング工程を省略する。 (もっと読む)


【課題】銅表面に1,000nmを超す凹凸を形成することなく、銅表面と絶縁樹脂との接着強度を確保し、各種信頼性を向上させることができる銅表面の処理方法、ならびに当該処理された配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面の処理方法において、銅表面に貴金属を離散的に形成する工程、前記銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理して酸化銅を形成する工程、前記酸化銅を、還元剤を含むアルカリ溶液で還元処理して金属銅を形成する工程、前記金属銅の表面にニッケル、コバルト、ニッケルとコバルトの合金、ニッケルおよびコバルトの2層から選択される無電解めっき皮膜を形成する工程を有する銅表面の処理方法。 (もっと読む)


【課題】電解処理によりめっき前処理を行う場合に、被処理材と給電部とを接触させることなく被処理材に給電し得るめっき前処理方法を提供すること。
【解決手段】プリント配線板製造工程で、被処理材3を水平または垂直に搬送しつつ陽極1および陰極2を有する電極の対を用いて連続的に処理するめっき前処理工程において、処理槽4内に、1以上の前記電極の対を配置し、前記電極と前記被処理材との距離を前記陰極と前記陽極との間の距離の1/4以下とし、前記電極の対間に直流電流を流すことにより、前記被処理材に電極を直接接触することなく、前記被処理材を電解処理することを特徴とするめっき前処理方法。 (もっと読む)


【課題】 ウィスカの発生を確実に抑制することができる回路基板および電子機器を提供すること。
【解決手段】回路基板1は、可撓性を有する絶縁基材111と、この絶縁基材111上に形成された回路層112とを備える。絶縁基材111の端部と、この端部上に形成された回路層112と、この回路層112上に形成された金属層114と、この金属層114上に形成された保護膜(本実施形態では、燐酸塩被膜)118と、を含んで端子部1Aが構成されている。金属層114は、回路層112上に形成された錫または錫合金を含んで構成される第一金属層114Aと、この第一金属層114A上に形成された錫または錫合金を含んで構成される第二金属層114Bとを備える。第一金属層114Aは、平均粒径が0.5μm以上、5μm以下の無光沢めっき層であり、第二金属層114Bは平均粒径0.1μm以下の光沢めっき層である。 (もっと読む)


【課題】外部端子の信頼性が向上する半導体装置の製造方法及び電気的接続部の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)半導体基板20と電気的に導通する電気的接続部12,14に、酸を含むペーストを設けること、このとき電気的接続部12,14の材料である金属の還元反応が終了するまで所定時間放置すること、(b)電気的接続部12,14を洗浄することにより、ペーストを電気的接続部12,14から除去すること、(c)電気的接続部12,14に導電部材を設けること、を含む。 (もっと読む)


【課題】金属膜とポリイミドとの密着性が良好なポリイミド配線板の製造方法、および微細ピッチ配線の形成が可能なポリイミド配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリイミドフィルムに改質層を形成する改質工程;改質層に金属イオンを吸着させる吸着工程;および吸着した金属イオンをプラズマ処理または電子ビーム照射処理により還元させる還元工程;を含んでなるポリイミド配線板の製造方法。前記改質工程前記吸着工程;吸着した金属イオンを還元させる還元工程;改質層上に形成された金属膜にフォトレジスト材料を適用した後、フォトリソグラフィを実施して、金属膜を選択的に露出させるフォト工程;金属膜を給電膜として用いて電解めっきを行い、前記金属膜の露出部に導体層を析出させる電解めっき工程;フォトレジストを除去して金属膜を露出させるレジスト除去工程;および導体層をマスクとして用い、レジスト除去工程で露出した金属膜をエッチング除去するエッチング工程;を含むポリイミド配線板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 ホイスカの発生がなくて信頼性が高く、ワイヤボンディング性や半田濡れ性の改善された配線基板を確実な方法で得る。
【解決手段】 セミアディティブ法により絶縁体表面にメッキ層からなる銅配線を設けた配線基板であって、該メッキ層からなる銅配線表面の表面粗さ(Rz)が0.25μm以下の配線基板とする。銅配線は絶縁体表面にメタライズ層もしくはシード層とメタライズ層とを介して設けるのが好ましい。銅配線表面の表面粗さ(Rz)が0.25μm以下にするには、組成が、硫酸濃度5〜50g/l、過酸化水素濃度10〜60g/l、塩素濃度5〜40ppmであるフラッシュエッチング液を使用して、銅メッキ層をフラッシュエッチングする。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき方法を可能とするための触媒層を、レジストを用いることなく正確に任意のパターンに形成する。
【解決手段】基材1を塩酸酸性の塩化錫水溶液に接触させ、基材1に塩化第一錫の塩化錫膜2を形成する錫処理工程と、塩化錫膜2のうちめっき膜形成部9に水8を接触させながら、非めっき膜形成部3を乾燥させて酸化させ4価の錫とし、塩化錫膜2を塩化第一錫からなるめっき膜形成部9と4価の錫からなる非めっき膜形成部3とにパターニングするパターニング工程と、めっき膜形成部9に、パラジウム金属を付着させて触媒層11を形成する付着工程と、基材1をめっき液に接触させてめっき膜形成部9に銅めっき膜12を形成するめっき処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】スルーホール内の金属めっき膜と、スルーホールの内部に充填された電気絶縁材料との間に剥離が生じることがなく、湿気の浸入を防止することができる、プリント配線板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板9の表面及びスルーホール90の内壁に金属めっき膜3を施し、金属めっき膜3の表面に粗化表面層30を形成し、スルーホール90の中及びその開口周辺部に、充填材としての電気絶縁材料1を充填し、硬化させ、絶縁基板9の表面に突出した電気絶縁材料1及び粗化表面層30を研磨除去し、絶縁基板9の表面にパターン回路61、62を形成することにより得られるプリント配線板10。 (もっと読む)


【課題】 配線の狭ピッチ化が可能な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 (a)導電性材料からなる仮基板13の表面にレジスト14をパターニングして、(b)電解メッキ法により配線16を形成する工程と、(c)仮基板13の表面からレジストを除去し、(d)配線16を覆うように樹脂層23を形成する工程と、(e)仮基板をウエットエッチングにより除去して、配線基板20を形成する工程と、を有する構成とした。 (もっと読む)


【課題】金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき方法は、第1の極性を示し、且つ、少なくとも第1及び第2のパターン領域12,14を有する基板10であって、該基板10の該第1及び第2のパターン領域12,14の上方に、金属層を形成することを含み、(a)第1のパターン領域12の上方に、第2の極性を示す第1の界面活性剤層20を形成し、(b)少なくとも第2のパターン領域14の上方に、第1の界面活性剤層20と同一極性であって、該第1の界面活性剤層20が示す前記第1の極性の絶対値と比して小さい値を有する第2の界面活性剤層22を形成し、(c)第1及び第2の界面活性剤層20,22の上方に触媒層40を形成し、(d)触媒層40の上方に金属層を析出させる。 (もっと読む)


【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】(1)ポリイミド樹脂の表面に膜厚が0.01〜10μmの耐アルカリ性保護膜を形成する工程。(2)パターン形成部位の耐アルカリ性保護膜とポリイミド樹脂の表層部を除去して凹部を形成する工程。(3)アルカリ性水溶液を接触させることによって、凹部のポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程。(4)このカルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。(5)この金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面にパターン形状に無機薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 安価な材料を用いてケイ素系重合体の表面をメタライズ処理するための表面処理方法を提供することである。また同様に任意の材料からなる基体表面をメタライズあるいは配線などの金属層のパターンを形成する方法を提供することである。
【解決手段】 ケイ素系重合体を遷移金属塩溶液あるいは遷移金属塩の懸濁液と接触させ、その後、該ケイ素系重合体を還元剤に接触させることにより、該ケイ素重合体上あるいはケイ素重合体中に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴とするケイ素系重合体の表面処理方法である。 (もっと読む)


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