【課題】セラミック基板において、ビアの周辺の欠陥に起因した基板の信頼性低下を防止する。
【解決手段】セラミック基板は、多層のセラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃが積層され、各セラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃに備えられたビア３０を通じて層間接続が行われ、表層のセラミック層１０ａにビア３０の上部を露出させるホール４０が形成されたセラミック積層体１００と、ホール４０内に充填された伝導体４０ａと、セラミック積層体１００の表面に伝導体４０ａと電気的に接続されるように形成された外部電極５０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子に半田バンプを有する半導体部品のリペア作業時に、取り外される部品の半田バンプを効率よく加熱できるようにし、かつ、隣接する他の半導体部品に熱的悪影響が及ぶことのないようにする。
【解決手段】配線基板10の表面の電極パッド10aにはICチップ11が搭載されている。配線基板10の裏面の電極パッド10bには半田バンプ12が形成されている。電極パッド10aと10bは、基板内部に形成された層間接続導体10e、内層配線10c、10dを介して電気的に接続されている。配線基板の再下層には電極パッド10bを囲むようにヒータ配線が形成されており、このヒータ配線は、基板表面に形成されたヒータ用電極端子10fから給電される。 （もっと読む）

【課題】 プリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部回路構造を有する回路基板と、前記回路基板に設置され、且つ前記内部回路構造に電気接続される追加の回路構造と、前記追加の回路構造に設置され、開口を有するソルダーレジスト絶縁層と、前記ソルダーレジスト絶縁層内に設置され、その一部は前記開口に水平に伸びることによって、その片側辺と、上部表面の一部と、下部表面の一部は前記開口から露出される導電バンプパターンと、前記開口に形成され、前記追加の回路構造に電気接続されるはんだボールとを含むプリント回路基板。 （もっと読む）

【課題】回路層の分離を最小化するとともにリードタイムを減らし、製造コストを節減することができるプリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁部材１２０の一面に含浸された回路パターン、絶縁部材１２０の一面に積層されたビルドアップ絶縁層１４２に回路パターンと連結されるビアを含む回路層１４４が形成されたビルドアップ層、及びビルドアップ層に積層されたソルダレジスト層１５０を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】基板上の外部接続端子および配線層を、研磨工程なしに平坦化し、積層化に好適な外部接続端子、配線層及び貫通配線を有する多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第２の導電層１２０を給電層として、電解Ｃｕめっきにより第２の導電層１２０より金属めっきを成長させ、貫通配線を形成する。貫通配線の先端の金属めっきが第１の導電層１１０と電気的に接続すると、この後に、第１の導電層１１０よりＣｕめっきが成長し、外部接続端子３００および第１の配線層３５０が形成される。外部接続端子３００および第１の配線層３５０が成長して支持基板２００に接触すると、外部接続端子３００および第１の配線層３５０は支持基板２００の下面によって基板厚さ方向への成長ができなくなり、基板１００の面内で、平坦で膜厚が均一な外部接続端子３００および第１の配線層３５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接合の位置ずれを抑制し、フリップチップ電極間のショートを抑制するパッケージ基板（多層プリント基板）を簡便、低コストに実現する。
【解決手段】第１の配線層に形成され露出される第１のフリップチップ電極と、前記第１の配線層の外側に形成される絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成され前記第１のフリップチップ電極の位置に形成される絶縁樹脂ビアと、前記絶縁樹脂層の外側に形成される第２の配線層とを備える。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートの積層基板に設けられた複数のビアホールに導電性ペーストを充填するビア充填方法及び装置において、ビア充填における欠陥の低減の為、通常の導電性ペーストに比べて粘度の高い高粘度導電性ペーストによる充填方法及び装置を提供する。
【解決手段】温水等方圧プレス装置１は、圧力容器１０と、上蓋１２を圧力容器１０に固定するピンクロージャー１１と、圧力容器１０に満たした液体１７と、液体１７に浸され、ビア充填積層体を真空包装したラミネートパック２０，２１と、液体１７を加熱するヒータエレメント１６と、加熱制御器１５と、加圧ポンプ１３と、循環ポンプ１４と、圧力センサ１８と、温度センサ１９と、を有している。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを内蔵し、半導体素子を実装した際に前記半導体素子と前記キャパシタとの間のインダクタンスを低減することが可能な配線基板、及び前記配線基板に半導体素子を実装した半導体装置を提供する。
【解決手段】無機誘電体を含む絶縁性基材１１と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体１２と、を備えたコア基板１３と、前記コア基板の両面に備えられたグランド配線群２１ｂ、２３ｂと、前記コア基板の両面に備えられた電源配線群２１ｃ、２３ｃと、を有し、前記グランド配線群と前記電源配線群とは、前記絶縁性基材を介して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、内部配線５の端部はセラミック配線基板１の上面に形成された複数の凹部９の底面に引き出されており、凹部９内のビア導体４の周囲に絶縁樹脂が充填されている配線基板。比較的接続強度の弱いビア導体４と内部配線５の端部との接続部は、凹部９内で絶縁樹脂によって固定されているので、破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】製造途上における検品を容易に行うことが可能な部品内蔵配線板の提供。
【解決手段】第１絶縁層１１と、これに積層する、少なくとも２つの絶縁層が積層された第２絶縁層１３と、これに埋設された端子を有する電気／電子部品４１と、第１、第２の絶縁層間に挟設された、電気／電子部品用の接続ランドを含む第１配線パターン２２と上記端子と接続ランドとを電気的に導通させる接続部材４２と、第１絶縁層の第１配線パターンの在る側の面とは反対の面上に設けられた第２配線パターン２１と、第１絶縁層を貫通して第１、第２の配線パターンを電気的に導通させる第１層間接続体３１と、上記少なくとも２つの絶縁層間に挟設された第３配線パターン２３と第２絶縁層の積層方向一部を貫通して第１、第３の配線パターン面間に挟設された第２層間接続体３２とを具備し、接続ランドに連なる第１配線パターン２２のそれぞれが第１層間接続体３１に接触していない。 （もっと読む）

【課題】特に高信頼性の層間導電ビアを有する積層配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１、第２回路配線基板を積層した積層配線基板であり、第１回路配線基板Ｐ１は第１絶縁基板１の一方の面に設けられた第１パッド部２ａを有する第１配線金属層２を備え、第２回路配線基板Ｐ２は、開口部ＢＨが形成された第２絶縁基板３、開口部内に充填され板面に沿って平坦化された両端面を有する金属粒単体Ｍからなる層間導電ビアＶ及び第２絶縁基板の一方の面に設けられ層間導電ビアの一端面に接合された第２パッド部４ａを有する第２配線金属層４を備え、金属粒単体は加熱により各配線金属層表面に拡散して合金接合を形成し加圧により平坦化される材質からなり、第２パッド部は層間導電ビアの一端面に加熱により合金接合され、第１パッド部は他端面に加熱加圧により合金接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接地用ランドを放熱が抑制できる形状に形成しつつ高周波回路のアイソレーションが確保しやすい電子回路ユニットを提供すること。
【解決手段】電子回路ユニット１は最上層と最下層に高周波回路３，４が配設された多層基板２を備えており、多層基板２の内層にはグラウンド層５が形成されている。多層基板２の各層には層間方向に沿って重なり合う位置に接地用ランド６が設けられている。各層の接地用ランド６はいずれも連結桟６ａを介して周囲の導電部材（環状電極７またはグラウンド層５）と連結されており、これら接地用ランド６はビアホール８を介して互いに接続されている。また、各層の接地用ランド６に放射状に突設された連結桟６ａの放射方向は各層ごとに異なっており、各接地用ランド６のまわりの開口部９が層間方向に重なり合わないように設定してある。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑え、薄型化が可能なコア基板を備えない多層配線基板を提供する。
【解決手段】中央配線層２０、配線層２１、２２、２３、２４を含む配線層は、ビア２５を介して電気的に接続され、中央配線層２０の一方の側のビア２５と、他方の側のビア２５とが、中央配線層２０に向かう側が幅狭の台形状の断面形状となる対称向きに形成され、中央配線層２０の一方の側に半導体素子搭載面が形成され、中央配線層２０の一方の側の絶縁層３１、３３では他方の側の絶縁層３２、３４よりビア数が多く形成される。
【選択図】図１
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【課題】本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路の接続用端子の狭ピッチ化等に対応させて配線パターンを高密度化することができると共に層間の配線パターンの接続信頼性を高めることができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層配線基板１０は、複数のセラミック層１１Ａを積層してなる積層体１１と、積層体１１内に設けられた配線パターン１２と、を備え、セラミック層１１Ａには、配線パターン１２として、セラミック層１１Ａを上下に貫通する貫通ビアホール導体１７と、貫通ビアホール導体１７に同一セラミック層１１Ａ内で電気的に接続され、このセラミック層１１Ａを貫通しない半貫通連続ビアホール導体１７Ａと、を有し、半貫通連続ビアホール導体１７Ａの幅が貫通ビアホール導体１７の幅より狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、セラミック配線基板１の上面に、ビア導体４と内部配線５の端部との接続部をそれぞれ取り囲むように凹部９が形成されており、凹部９には接続部の周囲から凹部９に至る絶縁樹脂２ａが入り込んでいる配線基板である。接続部の周囲の絶縁樹脂２ａは凹部９によって固定されて変形し難いので、接続部で破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

少なくとも２つのプリント回路基板領域を含むプリント回路基板を製造する方法であって、プリント回路基板領域は各々、少なくとも１つの導電層および／または少なくとも１つの装置または１つの導電性部品を含み、いずれの場合も互いに直接的に隣接する少なくとも１つの側方面の領域内で、互いに接続されるべきプリント回路基板領域（２０、２１、２２）は、結合または接続によって互いに接続されており、互いに接続されるべきプリント回路基板領域（２０、２１、２２）の結合または接続の後に、プリント回路基板の少なくとも１つの追加層またはプライが、互いに接続されるべきプリント回路基板領域（２０、２１、２２）上にわたって配置または付着される、方法において、追加層が互いに接続されるべきプリント回路基板領域（２０、２１、２２）に集積される導電層または装置または部品にメッキスルーホール（２３）を通じて接触接続される導電層（２６）として実現されることを規定しており、その結果として、互いに接続されるべきプリント回路基板領域（２０、２１、２２）の簡単かつ信頼性の高い接続または結合が入手可能となり得る。
さらに、複数のプリント回路基板領域（２０、２１、２２）からなるプリント回路基板が入手可能となる。
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【課題】複数の半導体素子間、あるいは半導体素子の機能部分間における電磁的なノイズを抑制し、動作の安定性、信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２０に複数の機能部分が平面的に区分されて形成された半導体素子３０が搭載され、配線基板２０に、半導体素子３０の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置に、該配線基板３０を厚さ方向に貫通するスタックビア２４が並置されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズ除去性能が高い半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】この半導体パッケージ基板３では、基板３を貫通して半導体チップ１の電源バンプＢ１とプリント配線基板２の電源パッドＰ１１とを接続するためのビアホールＶＨ１と、基板３を貫通して半導体チップ１の接地バンプＢ２とプリント配線基板２の接地パッドＰ１２とを接続するためのビアホールＶＨ２との間に、比誘電率が高く、ビアホールＶＨ１，ＶＨ２と略同じ長さを有する絶縁部材７を設け、ビアホールＶＨ１，ＶＨ２と絶縁部材７とでコンデンサ８を構成する。したがって、半導体チップ１で発生したノイズは、コンデンサ８でバイパスされる。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）