【課題】原価節減の効果があるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】シード層としてニッケル層を含み、コア絶縁層またはプリプレグのような絶縁層と導電層、例えば、銅層との結合力を向上させてセミアディティブ方式で微細な内部回路を形成することができるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。また、コア層に直接微細配線を形成することができるので積層される基板の層数を減らすことができ、形成される無電解ニッケルめっき層の厚みを減らすことができるので基板の薄板化が可能となり、生産性を向上させることができるし、原価を節減することができるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ピール強度の低下を招かず、ヒートサイクル時に発生する層間絶縁層のクラックを防止すること。
【解決手段】 配線基板の導体回路上に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板において、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなることを特徴とする多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板の各配線層の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させることがなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることのない、多層配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多層配線基板を構成する配線基板の絶縁層１４に設けた開口部１６を介して上層と下層との間の電気的な接続を行う場合に、絶縁層の開口部１６のすべての壁面を導電材料３０で覆うことなく、一部の開口部１６の壁面を露出させながら導電材料３０を介して上下層間の電気的接続を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細で高密度実装が可能な回路を形成し得る多層回路基板を提供するとともに、そのような多層回路基板を安価かつ安定的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】内層コア基板に外層ビルドアップ層を積層し、層間接続孔により接続した多層回路基板において、前記内層コア基板に設けられ前記層間接続孔の受けランド６を構成する導体の厚みが、前記層間接続孔の部分を除く前記内層コア基板の配線パターンの導体の厚みよりも厚いことを特徴とする多層回路基板、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 多層配線基板を効率的に製造でき、スタックドビアなどの、層間導電接続の信頼性を向上させることが可能になる製造方法を提案する。
【解決手段】 絶縁性樹脂基板１に、孔の最大径が、形成すべき配線導体の厚みの２倍以下となるビアホール２を形成し、前記ビアホールを形成した前記絶縁性樹脂基板に下地金属層３、レジスト膜４を形成して、電解メッキによって電解メッキ金属５を析出させ所定の厚みの配線導体の形成およびビアホール導体の充填を同時に行う。こうして得られた単層の配線基板６を所定種類かつ所定枚数積み重ねてプレスすることにより多層配線基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】製品の信頼性を確保しつつ多層回路基板の厚さを薄くする。
【解決手段】芯材に樹脂を含浸させてなるコア層１０１，１０２と、コア層１０１とコア層１０２との間に設けられた樹脂層１１１，１１２と、樹脂層１１１，１１２に埋め込まれた配線パターン１４０とを備える。コア層１０１，１０２の厚さは、いずれも１００μｍ以下に設定されており、これにより、基板全体の厚さを十分に薄くすることが可能となる。しかも、強度の低い樹脂層１１１，１１２を堅いコア層１０１，１０２によって挟み込んでいることから、基板全体の強度が大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】配線とその上の樹脂膜との間で優れた密着性を有する多層回路基板およびその製造法を提供する。
【解決手段】本多層回路基板は、配線層と絶縁樹脂層とを有する多層回路基板において、配線層表面にニトロ基およびカルボキシ基が存在し、その直上に特定の構造を有するトリアジンチオール層が存在し、さらにその直上に絶縁樹脂層が存在する。トリアジンチオール層と絶縁樹脂層との間にシランカップリング剤を存在させてもよい。 （もっと読む）

【課題】ビアホール及び配線パターンのファインピッチ化や多層化に容易に対応できるフレキシブル配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層１０ａとその下面に設けられた補強金属層１０ｂとにより構成されるテープ状基板１０を用意し、テープ状基板１０の樹脂層１０ａをレーザ加工することにより補強金属層１０ｂに到達する深さのビアホール１０ｘを形成した後に、セミアディティブ法により、ビアホール１０ｘを介して補強金属層１０ｂに接続される配線パターン１６を樹脂層１０ａの上に形成する。補強金属層１０ｂはパターニングされて配線パターン１６に接続される接続パッドＣになるか又は除去される。 （もっと読む）

【課題】電気的接続性や信頼性を確保し、信号遅延などの影響を受けにくい半導体素子実装多層プリント配線板とその製造方法について提案する。
【解決手段】半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールまたは全層を貫通して形成されたスルーホール導体層を介して行われる多層プリント配線板において、半導体素子を内蔵する樹脂絶縁層に第１のビアホールを形成すると共に、その樹脂絶縁層に隣接して形成された他の樹脂絶縁層には、半導体素子の接続パッドに接続される第２のビアホールおよび第１のビアホールに接続される第３のビアホールを形成し、さらに、第２のビアホールと第３のビアホールとを電気的に接続する導体回路、あるいは第２のビアホールをスルーホール導体に電気的に接続する導体回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。
【解決手段】支持体上に、少なくとも（Ａ）絶縁性樹脂組成物層、及び、（Ｂ）露光により分解する化合物を含有する感光性組成物層を有することを特徴とするプリント配線板用に好適な積層体である。この積層体をパターン露光し、（Ｂ）層によるメッキレジストを形成した後、重合性化合物などの反応性の高分子前駆体を接触させ、露光することで、レジストの存在しない領域にグラフトポリマーを生成させた後、そこに導電性層を設けることで、プリント配線板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】内層となる回路基板に外層材料を積層してなり、多層の部品実装部から少なくとも１つのケーブル部が延出している混成多層回路基板の外側部位に導電層を形成して電磁波妨害に対するシールド層を形成したとき、ケーブル部の屈曲性をより向上させた混成多層回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】多層の部品実装部ａにおける最外層以外の層から少なくとも１つのケーブル部ｂが延出している混成多層回路基板において、前記混成多層回路基板は、外側部位に電磁波妨害に対するシールド層をそなえ、前記シールド層４は、前記最外層における前記ケーブル部に対応する位置に前記ケーブル部との間に空隙を有するように配され、１）前記部品実装部における前記最外層の回路層と共有されるベースフィルム１１、２）前記ベースフィルム上に形成された導電層１２、および３）前記導電層を絶縁保護するカバー層１３を有することを特徴とする混成多層回路基板。 （もっと読む）

【課題】 電極ピッチが非常に狭い半導体ＩＣを埋め込むのに好適な半導体ＩＣ内蔵基板を提供する。
【解決手段】 主面１２０ａにスタッドバンプ１２１が設けられた半導体ＩＣ１２０と、半導体ＩＣ１２０の主面１２０ａを覆う第１の樹脂層１１１と、半導体ＩＣ１２０の裏面１２０ｂを覆う第２の樹脂層１１２とを備える。半導体ＩＣ１２０のスタッドバンプ１２１は、第１の樹脂層１１１の表面から突出している。スタッドバンプ１２１を第１の樹脂層１１１の表面から突出させる方法としては、ウエットブラスト法などを用いて第１の樹脂層１１１の厚さを全体的に減少させればよい。これにより、半導体ＩＣ１２０の電極ピッチが狭い場合であっても、正しくスタッドバンプ１２１の頭出しを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜導体層と感光性ドライフィルムとの親和性を向上させて、該薄膜導体層と感光性ドライフィルムとの密着力を強化し、感光性ドライフィルムの浮き等の発生を防ぐことのできる感光性ドライフィルム、およびこのドライフィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法を提案すること。
【解決手段】薄膜導体層を有する層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光、現像してめっきレジストを形成し、その後、めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する多層プリント配線板の製造方法において、前記感光性ドライフィルムのいずれか一方の面に含窒素複素環式化合物層を有すること。 （もっと読む）

【課題】 配線板の樹脂層形成した場合に、電気特性および密着性優れる樹脂組成物、加工性に優れる積層体、電気特性に優れた配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、ノルボルネン系樹脂と、平均粒径２μｍ以下の球状シリカを必須成分とし、−５０〜１５０℃の熱膨張率が６０ｐｐｍ以下であることを特徴とする樹脂組成物。前記樹脂組成物は、さらに球状シリカは５０重量％以上であり、さらに予め表面処理されているものである。配線板に用いる積層体であって、前記樹脂組成物より構成される樹脂層と、キャリアフィルムとを積層してなることを特徴とする積層体。前記樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、前記絶縁層をレーザー照射により開孔する工程とを含む配線板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】空隙を介在させた非接着領域と、多層化された接着領域とを備える多層プリント配線板の空隙に臨む銅回路パターンに、均一なめっき層を形成した多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１，２１，３１の表面に銅回路パターン１２，１３，２２，２３，３２，３３が形成された複数のプリント配線板１０，２０，３０が重ねられ、第１及び第２層間接着剤層４０，５０を介して接着された接着領域Ｍと、空隙６０，７０を挟んだ非接着領域Ｓと、を有する。複数のプリント配線板の銅回路パターンにおける、空隙６０，７０に臨む領域のみが露出するようにマスキング層を形成し、露出する銅回路パターンを、銅よりイオン化傾向の小さい金属でめっき処理してめっき層で被覆し、プリント配線板の接着領域Ｍ同士を層間接着剤層４０，５０を介して積層し、加圧プレスして層間接着剤層を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 下地である絶縁樹脂層との接合強度を十分に確保した配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】 基層配線が形成されている絶縁基板上に、半硬化状態の熱硬化性樹脂フィルムと、マット面を樹脂フィルム側にした金属箔とを重ねて加熱下で加圧する工程、
金属箔に、絶縁樹脂層のビアホール形成予定箇所を露出させる開口を形成する工程、
この金属箔をマスクとしてレーザビーム加工等により絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程、
金属箔の開口を介してビアホールのデスミア処理を行う工程、
金属箔をエッチングにより除去する工程、
絶縁樹脂層の上面と、ビアホールの側面と、ビアホールの底部を成す基層配線の上面とを連続して覆う無電解金属めっき層を形成する工程、および
無電解金属めっき層上にセミアディティブ法により電解金属めっき層から成る配線を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 多層基板を構成する基板の貫通孔に形成した導体層の耐蝕性を向上することができ、端面スルーホール（Ｔ／Ｈ）電極を確保する際の半田揚がり性を確保できる多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの基板を貼り合わせて構成される多層基板の製造方法であって、これらの基板のうち少なくとも一方の基板には貫通孔を形成し、前記一方の基板において少なくとも貫通孔を形成する内壁部に無電解めっき層を形成して前記一方の基板表面との導体層を形成し、前記導体層に給電をして前記内壁部の無電解めっき層を電解めっき層で覆った後に、前記一方の基板を他方の基板と貼り合わせて、多層基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と配線層との間において高い密着性が達成される多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、金属密着層５０が設けられた支持フィルムを、絶縁層２０に対して、金属密着層５０を介して張り合わせる工程と、金属密着層５０を絶縁層２０に転写しつつ支持フィルムを除去する工程と、支持フィルムを除去する工程の後において、絶縁層２０およびこれに積層された金属密着層５０に対してビアホール２０ａを形成する工程と、金属密着層５０上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって、金属密着層５０上に配線層４０を形成するとともにビアホールにビア４０ａを形成する工程と、レジストパターンを除去し、配線層４０に覆われていない金属密着層５０を除去する工程と、積層された金属密着層５０および配線層４０に対してアニール処理を施す工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と電子部品との間の配線長が短く、半導体装置の交換が可能であり、比較的容易に形成することができて信頼性が高い半導体実装基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板４０は、支持基板２１と、多層配線層３５とにより構成されている。支持基板２０の多層配線層３５側の面には凹部が設けられており、凹部内にはキャパシタ２５が配置されている。また、支持基板２０には、一方の面側の電極と他方の面側の電極とを電気的に接続するスルーホール２１が設けられている。多層配線層３５は、例えばビルドアップ基板からコア基板を分離して形成されている。この多層配線層３５には、半導体チップ４１の電極とキャパシタ２５の電極及び支持基板２０に設けられた電極との間を電気的に接続する配線及びビアコンタクトが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 何ら不具合が発生することなく、基板のスルーホール内に信頼性の高い２つの独立した導電経路が形成されて基板の両面側を導通可能にする回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０に第１スルーホール１０ａを形成し、半導体基板１０の全面に第１絶縁層１２を形成した後に、第１スルーホール１０ａの内面に設けられた外側貫通導電部１４ｃを介して相互接続される第１配線層１４を半導体基板１０の両面側にそれぞれ形成する。さらに、半導体基板１０の両面側の第１配線層１４及び第１スルーホール１０ａの内面の外側導電部１４ｃを被覆すると共に、第１スルーホール１０ａの中央部に第２のスルーホール１０ｂが設けられた構造の第２絶縁層１６を形成し、第２スルーホール１０ｂに設けられた内側貫通導電部１８を介して相互接続される第２配線層２２を半導体基板１０の両面側の第２絶縁層１６上にそれぞれ形成する。 （もっと読む）