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Fターム[5E346DD32]の内容

多層プリント配線板の製造 (97,916) | 各層形成の方法 (10,210) | 配線パターン形成の方法 (3,161) | サブトラクティブ法型 (1,114)

Fターム[5E346DD32]に分類される特許

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【課題】コア層部と、このコア層部の上に形成されたビルドアップ層とを有する多層プリント配線基板において、ビルドアップ層において、熱伝達性と絶縁信頼性とを同時に高めることは難しかった。
【解決手段】表層に第1配線層103が突出してなるコア層108と、このコア層108の上で、前記第1配線層103を埋設する第1絶縁層102と、前記第1配線層103と、前記第1絶縁層102の上に形成された第2配線層104とを接続する金属めっきビア105と、を有する多層プリント配線基板101であって、第1絶縁層102に含まれる芯材112と第1配線層103間に、フィラー114を存在させることによって、第1配線層103の厚みを厚くした場合であっても、芯材112と埋設された第1配線層103との間の距離をフィラー114の粒子径以上とし、ビルドアップ層109の熱伝導性と絶縁信頼性とを同時に高めた多層プリント配線基板101とする。 (もっと読む)


【課題】熱膨張率の差によるスルーホールビアのクラックを防止する。
【解決手段】配線基板は、カーボン繊維を含む板状の基材と、前記基材の表面に形成された配線層と、前記基材を貫通する第1の貫通孔と、前記第1の貫通孔の内壁に形成され第2の貫通孔を有する第1の樹脂層と、前記第2の貫通孔の内壁に形成された第1の導電層とを有する第1のビアと、前記基材を貫通する第3の貫通孔と、前記第3の貫通孔の内壁に形成された第2の導電層とを有する第2のビアとを含み、前記第3の貫通孔の内径は、前記第2の貫通孔の内径より大きい。 (もっと読む)


【課題】導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制する。又は、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層を得る。又は、高い生産性でフィルド導体を形成する。
【解決手段】配線板の製造方法が、絶縁層と該絶縁層上に形成されている導体層とを有する基材を準備することと、導体層上及び絶縁層上に層間絶縁層を形成することと、層間絶縁層上に金属箔を形成することと、層間絶縁層及び金属箔に、導体層を底とする有底孔を形成することと、有底孔の壁面に給電層を形成することと、給電層が形成された基材を、めっき金属のイオンを含む溶液に浸し、めっき金属を析出させる析出電圧とめっき金属を分離させる分離電圧とを交互に印加しながら、有底孔をめっき金属で充填することと、を含み、給電層は、めっき金属よりも溶液に溶けにくい材料からなり、分離電圧は、めっき金属が溶液に溶け、且つ、給電層が溶液に溶けない範囲に設定される。 (もっと読む)


【課題】水平搬送した際の搬送キズに起因する孔径のばらつきを抑制できる上、レーザ加工エネルギーを低減することができるプリント配線板の製造方法と、これに用いる表面処理剤を提供する。
【解決手段】絶縁層(1a,2)と銅層(1b,3)とが積層されたプリント配線板製造用積層板の表層の銅層(3)の表面に銅化合物皮膜(4)を形成する皮膜形成工程と、銅化合物皮膜(4)側から赤外線レーザ光を照射して孔(BV)を形成する孔形成工程とを含むプリント配線板の製造方法であって、銅化合物皮膜(4)が形成された銅層(3)の表面は、中心線平均粗さRaが0.20μm以上であり、銅化合物皮膜(4)は、銅層(3)の表面の単位面積当たり0.5〜10.0g/mのハロゲン化銅を含む、プリント配線板の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの微細化に対応可能な配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板1は、ガラスクロス11に熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させたコア基板10と、コア基板10の第1主面10aから第2主面10bまでを貫通する貫通穴10Xと、貫通穴10X内に充填された貫通電極20と、貫通電極20を介して電気的に接続された配線層30a,30bとを有する。コア基板10では、貫通穴10Xの厚さ方向の中央部におけるガラスクロス11の密度が貫通穴10Xの他の部分の密度より高くなるようにガラスクロス11が設けられている。 (もっと読む)


【課題】
折り曲げた構造を容易に製造できる配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
多層配線基板は、複数の絶縁体と、前記絶縁体と交互に積層される導電体と、を有する多層配線基板であって、前記多層配線基板の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成される複数の穴であって、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して形成される穴を含む。 (もっと読む)


【課題】 反りの発生を抑制しつつ、絶縁層と導体パターンとの密着性を充分に確保することを可能とするプリント配線板を提供する。
【解決手段】 補強材29を備えるコア基板30の両面に、補強材47に樹脂を含浸させてなる第1絶縁層40を設け、該第1絶縁層40でコア基板を補強してから、補強材を含有しない第2絶縁層50,60,70を積層する。第1絶縁層40上の第2導体パターン48の厚みは、第2絶縁層50(60,70)上の第3導体パターン58(68,78)の厚みよりも厚い。 (もっと読む)


【課題】 レーザビアと回路パターンとの位置公差の小さいプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザによりビア用開口51dと同時に形成した位置決め用開口51bの凹部60bhを基に、レジスト膜54を形成するため、該レジスト膜54によって形成した導体回路58と、ビア用開口51dに形成したフィルドビア60との位置精度が高く、ファインピッチな配線を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第1の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とを含む下地層と、被めっき層とをこの順に備える加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の前記被めっき層側の表面から第1の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備え、ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、10〜60モル%であり、金属酸化物粒子の粒径が50〜2000nmであり、下地層中における金属酸化物粒子の含有量が20〜60質量%である、穴付き積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
高周波信号の伝送損失を低減でき、かつ、クロストークノイズを抑制できる回路基板を提供する
【解決手段】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、25℃で1GHzにおける誘電正接(tanδ)が0.004〜0.01の基板であり、前記配線層が、配線導体幅が40μm以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さ(Rz)が、1.5μm以下の層である、回路基板。 (もっと読む)


【課題】導体回路層とビアとの間のクラックの進行を効果的に抑制して、層間接続の信頼性を向上させる。
【解決手段】多層プリント配線基板100は、第1及び第2プリント配線基材10,20を積層してなる。第1及び第2導体回路層11,12は、ビアホール13内のビア14により層間接続されている。第1導体回路層11のビアホール13側の面には、ビアホール13の開口径W1よりも第1絶縁基材19の面10a方向に大径の内径W2を有する凹部15が形成されている。ビア14は、ビアホール13及び凹部15内に充填された導電ペーストなどの導電材からなる。第1導体回路層11とビア14との接合界面の面積が、従来のインナービアを用いたものよりも大きいので、接合界面に沿ったクラックの進行経路長を延長し、進行方向を変化させ、接合界面の近傍が完全に破断することを抑制して、層間接続の信頼性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】異なる層の高周波伝送線路を接続する接続線路と高周波伝送線路とのインピーダンス不整合を効率的に改善し信号の反射損失を減らす。
【解決手段】多層配線基板1は積層した第1の誘電体基板20aの一方の面で延伸する信号線路10と他方の面上の接地導体40とで構成されるマイクロストリップ線路を備える。第1貫通導体30は、基板面に垂直に基板を貫通し信号線路10の先端と他の信号線路とを接続し、第2貫通導体ビア50は、基板面に垂直に複数個、基板を貫通して第1貫通導体30を円筒状に囲むように形成され、接地導体40を他の接地導体に接続する。接地導体40と第1貫通導体30とは第1の誘電体基板20aで構成される誘電体領域60で隔絶され、その信号線路10側の領域は、基板面上で第1貫通導体30の中心から所定の距離離れた領域確定線90に基づき決定され、信号線路10のない側の領域よりも面積が小さい。 (もっと読む)


【課題】ビルドアップや多層配線基板の貼りあわせを行わなくても高密度配線が可能なことにより、低コスト化と歩留まり確保を可能にした多層配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線層と、これらの配線層の間に配置された絶縁層と、前記配線層同士を電気的に接続する層間接続とを有する多層配線基板であって、前記複数の配線層が、表層配線層と、この表層配線層側の内層に配置された複数の高密度配線層と、この高密度配線層よりも内層側に配置された低密度配線層とを有し、前記層間接続が、表層配線層から前記複数の高密度配線層に到る非貫通孔を有する多層配線基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】材料コストや工数を増加させずに、コンフォーマル工法で形成した非貫通孔内へのフィルドビアめっきの充填性を改善し、接続信頼性を向上させた配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表層銅箔3の開口10から基材4を貫通して内層導体5に到る非貫通孔7と、前記非貫通孔7の周囲の基材上に前記表層銅箔の窓孔2を前記非貫通孔7より拡大して形成したエッチバック部11と、前記非貫通孔7を充填し、前記内層導体5と表層銅箔3とを電気的に接続するフィルドビア14と、を有する配線基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】貫通孔のフィルドビアめっき内へのボイドを抑制し、また表裏面の貫通孔上のフィルドビアめっき表面が平坦なことにより、工数低減と信頼性の確保を図ることが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スルーホールめっき層を備えるIVHと内層導体とを有する内層板と、この内層板の表裏両側に積層した絶縁樹脂及び表層導体とを有する積層基板と、前記積層基板を貫通する貫通孔とを有し、前記貫通孔の断面形状が、前記積層基板の表裏両側から内部に向かって孔径が縮小したテーパ形状の部分と、前記貫通孔の内層板に対応する部分に設けられた対向する内壁が平行となる部分と、を有する配線基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】樹脂充填材とコア基板との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】コア基板準備工程ではコア基板11を準備し、収容穴部形成工程では収容穴部90をコア基板11に形成し、貫通穴部形成工程では貫通穴部14を形成する。めっき層形成工程では、収容穴部90の内壁面91に対してめっき層92を形成するとともに、貫通穴部14の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層71を形成する。収容工程では、部品101を収容穴部90に収容する。樹脂埋め工程では、収容穴部90の内壁面91と部品側面106との隙間、及び、空洞部に対して、樹脂充填材93を充填して埋める。 (もっと読む)


【課題】材料コストや工数を増加させずに、コンフォーマル工法で形成した非貫通孔内へのフィルドビアめっきの充填性を改善し、接続信頼性を向上させた配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表層銅箔3の開口10から基材4を貫通して内層導体5に到る非貫通孔7と、この非貫通孔7を充填し、前記内層導体5と表層銅箔3とを電気的に接続するフィルドビア14とを有し、前記表層銅箔の開口10が、前記表層銅箔の窓孔2を前記非貫通孔7と同様以上に拡大して形成される配線基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】回路基板(例えば内層材)の位置ずれを抑制し、外側に外層材を重ねて積層成形する場合には外層材の溶着部におけるシワの発生を抑制することができる多層プリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】2枚の回路基板1を絶縁層用プリプレグ2を介して溶着により仮止めした後に積層成形することによって多層プリント配線板を製造する方法に関する。前記回路基板1が、前記絶縁層用プリプレグ2に対向する面に厚み105μm以上の回路パターン4及び枠部5を設けて形成されている。前記枠部5に溶着用プリプレグ6が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 インダクタを有しつつも反りを抑制することを可能とする多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 コア基材30の内部には、第1導体パターンと第1ビア導体とによりインダクタL1、L2が形成されている。そして、コア基板30を構成する第1絶縁層30M,30A,30B,30C,30D,30E,30Fは無機繊維補強材を含んでいる。すなわち、インダクタL1、L2が形成される層には、剛性を高めるための無機繊維補強材が設けられているため、無機繊維補強材によって絶縁層の熱収縮が抑制されやすくなる。 (もっと読む)


【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に形成された第1の導電層20と、層間絶縁層30と、第2の導電層70とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール40を介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第1の領域50と、前記コンタクトホールを含み、該第1の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第2の領域60とを有し、
前記第1の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第2の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第2の導電層は、前記層間絶縁層の前記第2の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第1の導電層と接続されている。 (もっと読む)


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