【課題】基板の製造方法において、信頼性よく低コストで製造できる方法を提供する。
【解決手段】非粘着性基板の外周の一部を含むように形成され、非粘着性基板の厚さが他の部分よりも小さい領域からなるプリプレグ形成領域の片面若しくは両面に、プリプレグを配置し、全体として厚さが均一になるように第１の仮基板を形成する工程と、金属箔を積層する工程と、プリプレグを硬化し、金属箔と第１の仮基板を接着して第２の仮基板を得る工程と、金属箔上に、少なくとも絶縁層と配線パターンの組を交互に積層した１組以上の配線層を形成して第３の仮基板を得る工程と、プリプレグ形成領域を含む領域を切断除去することにより、非粘着性基板から金属箔の上に配線層が形成された配線基板を分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱変化や外力等に起因した応力による性能劣化を抑制する。
【解決手段】配線板１０が、基板を貫通する開口部Ｒ１００に配置され、複数の第１パッド２００ａを有する電子部品２００と、基板上及び電子部品２００上に形成される積層部と、積層部上に形成される複数の第１外部接続端子３２１ｂ及び複数の第２外部接続端子３２２ｂと、を有する。第１外部接続端子３２１ｂは、第１パッド２００ａの直上を避けつつ電子部品２００の直上に形成され、且つ、第２外部接続端子３２２ｂは、基板の直上に形成され、１つの主面に投影した場合において、第１外部接続端子３２１ｂは、第１パッド２００ａに囲まれるように配置され、第１パッド２００ａ及び第１外部接続端子３２１ｂは、第２外部接続端子３２２ｂに囲まれるように配置され、積層部における基板に最も近い絶縁層を構成する材料が、開口部Ｒ１００における基板と電子部品２００との隙間に充填される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板とその製造方法の改良を図る。
【解決手段】コア基板１は、銅張積層板２の両側に銅張積層板２よりサイズの小さい銅箔３を配置し、第１の回路基板１０とする。次いで絶縁樹脂層４及び外層となる銅箔５を接着した構成へ積層する。この基板を第２の回路基板２０とし、銅箔５上にコンフォーマルマスクを形成して第３の回路基板３０とし、非貫通孔を形成して第４の回路基板４０とする。非貫通孔を銅めっきして導通し第５の回路基板５０とする。銅箔３よりも小さなサイズで裁断することにより支持体である銅張積層板２を除去し第６の回路基板６０とし、配線をエッチングして第７の回路基板７０を得る。ソルダーレジスト形成及び金めっき仕上げを施し、第８の回路基板８０を得る。 （もっと読む）

【課題】 コンデンサを内蔵すると共に内蔵コンデンサとの接続を適切に取ることができるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 チップコンデンサ２０をコア基板３０内に収容する。チップコンデンサ２０は、銅めっき膜２９を被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきによりなるバイアホール４６で電気的接続を取ってある。銅めっき膜２９により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化することができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線基板の製造方法では、準備工程において、厚さが１００μｍ以下であるシート状のコア絶縁材１３が準備され、穴あけ工程において、コア絶縁材１３に対してレーザ穴加工が施されてコア主面１４及びコア裏面１５にて開口するスルーホール用穴１６が形成される。導体形成工程において、無電解銅めっき後に電解銅めっきを施すことにより、コア絶縁材１３のスルーホール用穴１６内全体が充填されてなるスルーホール導体１７が形成されるとともに、コア絶縁材１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上に導体層１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さを小さくすることができ、該硬化物の表面に微細な配線を形成できるエポキシ樹脂材料を提供する。
【解決手段】本発明に係るエポキシ樹脂材料は、エポキシ当量が３００以下であるエポキシ樹脂と硬化剤と無機フィラーとを含む。上記エポキシ樹脂材料中の上記無機フィラーを除く成分を配合した配合物を、８０℃の５重量％水酸化ナトリウム水溶液に２０分間浸漬したときに、無機フィラーを除く成分を配合した配合物の硬化物の重量減少が０．２重量％以下であり、かつ、上記無機フィラーを８０℃の５重量％水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬したときの無機フィラーの重量減少が１．０重量％以上８．０重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と同等の熱膨張率を有する支持基板１１の上面に金属層１４を形成する工程、及び金属層１４上に剥離層１５を形成する工程と、剥離層１５上に第１絶縁層１６を形成する工程と、第１配線層１６を形成する位置に対応する位置の金属層１４が露出するように、剥離層１５及び第１絶縁層１６を貫通する貫通穴１６ｘを形成する工程と、金属層１４をシード層として、貫通穴１６ｘ内に露出した金属層１４上に第１配線層１７を形成する工程と、第１配線層１７及び第１絶縁層１６上に更に配線層２０，２３，２６及び絶縁層２１，２４を積層する工程と、剥離層１５に所定の処理を施すことにより、支持基板１１を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 第２導体回路５８と第２導体回路５８との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０との間に無機絶縁膜４８が介在しており、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０とが無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。 （もっと読む）

【課題】内蔵する第１半導体素子と実装する第２半導体素子との距離を近づけ信号線の長さを短くすると共に、第２半導体素子を実装する際に信頼性が低下しない配線板を提供する。
【解決手段】絶縁層３２に形成されるビア導体３４と、層間樹脂絶縁層６８に形成されるビア導体７０とが、テーパの方向が逆であるので、該絶縁層３２と該層間樹脂絶縁層６８とで生じる反りの方向が逆となって、発生する応力を互いに打ち消し合う。このため、ＣＰＵ９０を実装する際のリフロー加熱、ヒートサイクル時の加熱・冷却によるメモリ４２上の絶縁層３２、層間樹脂絶縁層６８の反りによるビア導体３４とビア導体７０との接続信頼性の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 高密度実装化、多層配線化および低コスト化が容易な部品内蔵プリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 コア材１１の一主面から他主面に貫通する開口１２が形成され、開口１２の側壁に圧接する機能素子１３が取り付けられ、機能素子１３の両端子１３ａ、１３ｂがコア材１１の一主面と他主面とに向いて露出する。コア材１１の一主面上に第１の層間絶縁層１４が形成され、その第１の導体バンプ１５が端子１３ａに接続し、第１の導体層１６に電気的に取り出される。同様に、コア材１１の他主面上に第２の層間絶縁層１７が形成され、その第２の導体バンプ１８が端子１３ｂに接続し、第２の導体層１９に取り出される。また、この第１の層間絶縁層１４と第２の層間絶縁層１７は、開口１２と機能素子１３の間に生じる空隙を埋める。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有する電子部品内蔵基板を安定して提供する。
【解決手段】電子部品と、電子部品を覆う部品内蔵絶縁層と、部品内蔵絶縁層の下面側に設けられた第１配線と、部品内蔵絶縁層の上面側に設けられた第２配線と、第２配線および電子部品の端子に電気的に接続する第１接続ビアと、第１配線および前記第２配線に電気的に接続する第２接続ビアを有し、電子部品の端子は保護絶縁膜に覆われ、この保護絶縁膜上に前記部品内蔵絶縁層が設けられ、第１接続ビアは、部品内蔵絶縁層と保護絶縁膜を貫通して電子部品の端子に接している、電子部品内蔵基板。 （もっと読む）

【課題】電圧変換用ＩＣの雑音除去性能を劣化させることなく、電圧変換用ＩＣを多層配線板中に内蔵させた、新規な構成の電圧変換モジュールを提供する。
【解決手段】多層配線板を構成する複数層の配線パターン１１１〜１１７の内層の一つに電圧変換を行うための電圧変換用ＩＣ１５を実装し、複数層の配線パターン１１１〜１１７の一つにおいて、電圧変換用ＩＣ１５と電気的に接続するようにして第１のコンデンサ１６を実装する。また、前記多層配線板の主面上において、複数層の配線パターン１１１〜１１７及び前記多層配線板を構成する層間接続体１３１〜１３６を介して、電圧変換用ＩＣ１５と電気的に接続されてなる第２のコンデンサ１７を実装し、この第２のコンデンサ１７と隣接し、複数層の配線パターン１１１〜１１７及び層間接続体１３１〜１３６を介して、電圧変換用ＩＣ１５と電気的に接続するようにしてインダクタ１８を実装する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップや母基板との接続部分におけるクラックの発生を防止することにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０は、樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層２８を交互に積層して多層化した積層構造体３０を有する。樹脂絶縁層２１〜２７は、第１の樹脂絶縁層２１，２５，２７と、第１の樹脂絶縁層２１，２５，２７よりも多量の無機材料２９を含有しかつ熱膨張係数が小さい第２の樹脂絶縁層２２〜２４，２６とを含んでいる。そして、積層構造体３０を厚さ方向に切断した切断面において、領域Ａ２に占める第２の樹脂絶縁層２２，２３，２４の厚さの比率が、領域Ａ１に占める第２の樹脂絶縁層２４，２６の厚さの比率よりも大きくなっている。なお積層構造体３０には、第２主面３２側が凸となる反りが生じている。 （もっと読む）

【課題】微細で密着力のある外層回路が形成可能であり、歩留まりの向上および半導体素子との接続信頼性を確保可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層金属箔９と基材１６とを積層してコア基板１７を形成する工程と、多層金属箔９の第１キャリア金属箔１０を物理的に剥離する工程と、第２キャリア金属箔上１１にパターンめっき１８を行い、絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、積層体を第２キャリア金属箔１１とともにコア基板１７から分離する工程と、エッチングによりパターンめっき１８の表面が絶縁層の表面に対して凹みを形成するようにする工程と、凹みに貴金属めっきを行い絶縁層の表面に対して平坦とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化基板によって高放熱特性を維持し、高密度／高集積の特性を持つ陽極酸化放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通ホールが形成された金属層１０の全面に陽極酸化層２０が形成された陽極酸化基板１１、陽極酸化基板１１の両面に形成された第１内側回路層３０及び第２内側回路層４０、それらを連結するために貫通ホールの内壁に形成されたホールメッキ層５０、ホールメッキ層５０によって電気的に連結された貫通ホールの内部に充填されたプラギングインク６０、陽極酸化基板１１の両面に形成された第１絶縁層９０及び第２絶縁層１００を介して形成された第１外側回路層１１０及び第２外側回路層１２０、それらを電気的に連結するために貫通ホールまたはプラギングインク６０を貫くように挿入された連結部材１３０を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップを構成する半導体基板と同等の熱膨張率を有する材料からなる支持基板１１の上面に凹部を形成する工程、前記支持基板の上面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に第１絶縁層１６を形成する工程と、前記凹部に対応する位置の前記金属層が露出するように、前記第１絶縁層１６を貫通する貫通穴を形成する工程と、前記金属層をシード層として、前記貫通穴内に露出した前記金属層上に第１配線層１７を形成する第１配線層形成工程と、前記第１配線層１７及び前記第１絶縁層１６上に更に配線層及び絶縁層を積層する積層工程と、前記剥離層に所定の処理を施すことにより、前記支持基板１１を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を高歩留まりで製造することができる、生産性に優れた多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）金属配線を備える配線基板の表面に絶縁層を形成する工程と、（Ｂ）ビアホールを形成する工程と、（Ｃ）デスミア処理を行う工程と、（Ｄ）仮支持体と、仮支持体上にめっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、重合性基を含有するポリマーを含む樹脂層とを備える樹脂層形成用積層フィルムを、絶縁層上に、樹脂層とデスミア処理が施された絶縁層とが接するようにラミネートし、積層体を得る工程と、（Ｅ）前記積層体から前記仮支持体を剥離する工程と、（Ｆ）ビアホールの壁面および樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与し、めっきを行う工程と、を備える多層配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線基板の反りを抑制すると共に、電気的な接続信頼性を向上させることのできる配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層された絶縁層１８，２６，３２，３８に設けられ、半導体チップ１４，１５と電気的に接続される配線パターン２１と、絶縁層２６，３２間に設けられた補強用の金属層２７とを備え、絶縁層２６に金属層２７と接触すると共に金属層２７の下方に配置された配線パターン２１と電気的に接続される第１のビア２８と、絶縁層３２に金属層２７と接触すると共に、金属層２７の上方に配置された配線パターン２１と電気的に接続される第２のビア３３とを設け、金属層２７が薄板状部分と、薄板状部分と電気的に分離された第１、第２のビアとの接続部分とからなり、第１のビアと接続部分とが、同一の導体金属で一体に形成され、搭載される半導体チップと対向する絶縁層部分に熱膨張係数緩和部材を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板３の上面に被着された半導体素子接続パッド１０と、半導体素子接続パッド１０上に形成された導体柱１２と、導体柱１２の側面を覆うとともに導体柱１２の上面を露出させるソルダーレジスト層６とを備えて成る配線基板であって、導体柱１２は、その上面の中央部にソルダーレジスト層６の上面から５〜２０μｍ上方に突出する突起部１２ａを有している配線基板である。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）第１の導電層１４を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、所定の官能基を有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層２０をこの順で備える積層体を形成する工程と、（Ｂ）前記密着樹脂層に対してめっき触媒を付与した後、めっきを行い、第２の導電層２４を形成する工程と、（Ｃ）レーザ加工又はドリル加工により、第２の導電層、絶縁層を貫通し、前記第１の導電層に達するようにビアホール２６を形成する工程と、（Ｄ）デスミア処理を行う工程と、（Ｅ）前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）