【課題】低温焼成セラミックス多層基板のキャスタレーション電極周辺におけるクラックの発生を防止し、信頼性の高い低温焼成セラミックス多層基板（ＬＴＣＣ基板）を提供する。
【解決手段】キャスタレーション電極３は、低温焼成セラミックス多層基板１の側面１ａに形成した凹部２と、凹部２の底面２ａに形成したＡｇ導体層１２と、その端部がＡｇ導体層１２の端部１２ａを被覆するように円弧状壁面２ｂに形成したガラスコート層１３と、Ａｇ導体層１２のガラスコート層１３に被覆された両端部分以外の表面に被着したメッキ層１５と、を備える。ガラスコート層１３は、Ａｇ導体層１２の端部１２ａの上に一部乗り上げて重なっている。 （もっと読む）

【課題】 デラミネーションの発生が抑制され、配線抵抗（表面抵抗）の低い多層配線基板が得られる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の多層配線基板の製造方法は、断面が半円または半楕円である配線形状の突条１１を有する金型１を用意する工程と、セラミックグリーンシート２に金型１を押し当ててセラミックグリーンシート２に断面が半円または半楕円である配線形状の溝２１を形成する工程と、溝２１に配線用導体ペースト４を充填して配線パターン付きセラミックグリーンシート５を作製する工程と、配線パターン付きセラミックグリーンシート５を複数積層して積層体６を作製する工程と、積層体６を焼成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層を着色するとともに基板強度や絶縁信頼性の良いガラスセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】 ガラス相および第１結晶を含むガラスを有するガラスセラミックスからなり、遷移金属の酸化物または硫化物からなるスピネル構造の第２結晶を着色顔料として含む複数の絶縁層１と、フェライト結晶を有する、複数の絶縁層１の間に設けられた複数のフェライト層２と、表面および内部に形成された配線導体３とを備え、第１結晶と第２結晶とフェライト結晶とは同一の結晶構造であって、第１結晶と第２結晶との格子定数の差が第２結晶の格子定数の13.3％以内であるとともに、第２結晶とフェライト結晶との格子定数の差が第２結晶の格子定数の11.4％以内であることを特徴とするガラスセラミック配線基板である。基板強度や絶縁信頼性を保ちつつ、絶縁層を着色したガラスセラミック配線基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板のまま部品実装ができるようにし、生産性の向上ができるセラミック多層基板装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】層間接続用導体１と内層導体２をもつグリーンシート積層体９から複数の子基板グリーンシート１０をくり抜き、その後、くり抜いた前記子基板グリーンシート１０を元の位置にはめ込む子基板グリーンシート再設置工程と、前記子基板グリーンシート１０を元の位置にはめ込んだ前記グリーンシート積層体９の表裏面に分割形成層２１となる分割形成層用グリーンシート１５を介して、無収縮層１６を配置した後、焼成して無収縮層付セラミック多層基板１７を形成する焼成工程と、前記無収縮層付セラミック多層基板１７から無収縮層１６を取り除く無収縮層除去工程とを有し、セラミック多層基板装置２２の電極１９をセラミック多層基板１８の上下面に形成した。 （もっと読む）

【課題】電子モジュールの基板上にＥＳＤ保護部品を実装することにより、電子モジュールの当初の特性がずれ、ＥＳＤ保護効果が薄れてしまうという問題を解消する。
【解決手段】電子部品内蔵基板１は内部に少なくとも１つの電子部品素子を内蔵した電子部品内蔵基板１の内部に、更にＥＳＤ保護素子を設け、そのＥＳＤ保護素子２を、少なくとも、その電子部品内蔵基板の内部に形成された空洞部と、空洞部内において対向して形成された一対の放電電極とで構成し、かつ、ＥＳＤ保護素子２を、電子部品素子と一体的に形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートの印刷・積層プロセスにおけるグリーンシートの配置ミスを防止し、併せて積層精度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】印刷に先立ち、グリーンシートに印刷および積層における配置指標として、グリーンシートの印刷範囲外に、第１と第２の基準穴Ｈ１、Ｈ２を第３の基準穴Ｈ３を設け、印刷装置のステージに、グリーンシートが正しく固定された状態で第３の基準穴と連通する検知用吸引孔を設けるとともに、印刷装置に、吸引孔の空気を吸引する吸引手段と、吸引孔における圧力状態を検知するセンサとを設け、センサが負圧を検知したときにステージに被印刷物が正しく配置されていないと判定するようにする。 （もっと読む）

【課題】高輝度LED素子等の実装に好適な放熱性に優れた多層セラミックス基板を提供する。
【解決手段】複数のガラスセラミックス層を積層した低温焼成多層セラミックス基板１１であって、複数のガラスセラミックス層は、ガラス成分とセラミックス成分とから構成されるガラスセラミックス層１１ａと、該層にＡｇ微粒子を分散させたガラスセラミックス層１１ｂからなる二層を隣接して積層される。ガラス成分とセラミックス成分とから構成されるガラスセラミックス層を積層した層１１ａの表面に、電極配線層１５を備え、該電極配線層にＬＥＤ素子１６を搭載する。Ａｇ微粒子を分散させたガラスセラミックス層１１ｂの裏面に、電極層１３を備え、該電極層１３を冷却体１７に接続して固定する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックからなる絶縁層と配線導体とを交互に積層した積層体において、焼成時あるいは、その後の熱などの外的要因が発生した時に生じる積層体の内部応力を緩和することで、絶縁層に発生するクラック等の構造欠陥を防ぐとともに、電気的特性のばらつきを抑える。
【解決手段】 積層体を製造する過程で、脱バインダ工程の焼成温度が２５０℃から３５０℃までの間の昇温速度を０．２０〜０．５５℃／ｍｉｎとする。さらに、スルーホール内に充填する導電ペースト中の有機ビヒクルの割合を６．５〜１０．５ｗｔ％とする。これにより、スルーホール導体内に空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板のソリやウネリを抑制することができるセラミック多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数のセラミックグリーンシートが積層され、積層されたセラミックグリーンシートの間の一部の領域に導体材料が配置された積層体を形成する第１の工程と、（ii）積層体を焼成して集合基板を形成する第２の工程と、（iii）集合基板を複数の子基板に分割する第３の工程とを備える。第１の工程において積層体を形成するときに、少なくとも１つのセラミックグリーンシート１０の主面１０ａのうち子基板になる子基板領域１１ごとに分けて、絶縁材料１０ｓ，１０ｔを配置し、かつ、子基板領域１１のうち、少なくとも１つの子基板領域には相対的に多い量の絶縁材料１０ｓを配置する一方、他の少なくとも１つの子基板領域には相対的に少ない量の絶縁材料１０ｔを配置する。 （もっと読む）

【課題】 径の異なる複数のビア導体を有する場合において、ビア導体の抵抗値が大きくなること、およびビア導体の周辺にクラックが発生することを抑制できる信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】 配線基板１は、セラミックスからなる絶縁基板２と、絶縁基板２に設けられたビア導体３とを備え、ビア導体３は、両端部で径が異なるテーパ形状であり、かつセラミックスに含まれる絶縁成分５を有しており、ビア導体３内における絶縁成分５の質量比は、ビア導体３内の径が大きくなるに従って大きくなっている。ビア導体３の径の小さい方では要求される低い抵抗値を満足し、径の大きい方では周辺のクラックの発生を抑制できるので、信頼性が高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】製造時におけるグリーンシートの積層ずれに起因する不良を確実に且つ効率良く検査できる多数個取り配線基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層を積層し、第１貫通導体Ｖ１、第１導体層Ｐ１、第１導体層Ｐ１とは直接接続されない第２導体Ｐ２を備えた配線基板を平面視で縦横に複数連結した製品領域と、その周囲に位置する耳部ｍａと、該耳部ｍａに形成された検査回路Ｃ１と、を含み、検査回路Ｃ１は、第２貫通導体Ｖ２および第３貫通導体Ｖ３と、該第２貫通導体Ｖ２に直接接続される第３導体層Ｐ３と、第３貫通導体Ｖ３に直接接続される第４導体層Ｐ４とにより構成され、同じ平面に形成される第１導体層Ｐ１および第２導体層Ｐ２の間の間隔Ｌ１と、第３導体層Ｐ３および第４導体層Ｐ４の間の間隔Ｌ２とは、０．７≦Ｌ１／Ｌ２≦１．０の関係にある、多数個取り配線基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品が備える凸状の金属端子との接続が容易な接続パッドが絶縁基板の主面に設けられた電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板１と、絶縁基板１の内部から主面にかけて形成された貫通導体３と、絶縁基板１の主面から貫通導体３の端面にかけて被着されたメタライズ層からなる接続パッド２とを備え、接続パッド２に電子部品11の電極12が凸状の金属端子13を介して接続される電子部品搭載用基板９であって、貫通導体３の中心部に、貫通導体３の長さ方向に沿った長いガラスセラミック焼結体からなる中心材３ａが埋設されている電子部品搭載用基板９である。中心材３ａの埋設により貫通導体３の焼成収縮が絶縁基板１の焼成収縮に近くなるため、収縮の差による貫通導体３の突出が抑制され、接続パッド２の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 プローブピンの半導体素子の端子への接続が確実に行なえるとともに、インピーダンスの不整合が小さいプローブカードを提供することにある。
【解決手段】 厚み方向に貫通した切込み５によって一部がばね性を有する形状に加工された誘電体基板２と、誘電体基板２の下面に形成された接続配線４と、誘電体基板２の上面に形成された、一端部が接続配線４に電気的に接続されており、プローブピン14が接続される他端部がばね性を有する形状の部分の上面に形成されている配線導体３とを備えるプローブカード用接続基板１および接続基板が配線基板の上面に接合されたプローブカード用配線基板である。半導体素子の端子とプローブピン14との接触を確実にすることが可能となり、また要求されるインピーダンス特性に極力整合させることができ、高周波信号の伝送を良好にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることを目的とするものである。
【解決手段】第１の面に電極パターン１３を有する第１の基板１０と、第１の基板の第１の面に設けた表層誘電体層１２と、表層誘電体層１２に設けた貫通孔２０とを備え、貫通孔２０は電極パターン１３の上に設けられ、電極パターン１３に機械的に接続され、貫通孔２０の内部に充填され、かつ表層誘電体層１２表面から突出するバンプ１１を形成したものであり、第１の基板とは反対側の貫通孔２０の開口幅を、表層誘電体層１２の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板において、ビアの周辺の欠陥に起因した基板の信頼性低下を防止する。
【解決手段】セラミック基板は、多層のセラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃが積層され、各セラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃに備えられたビア３０を通じて層間接続が行われ、表層のセラミック層１０ａにビア３０の上部を露出させるホール４０が形成されたセラミック積層体１００と、ホール４０内に充填された伝導体４０ａと、セラミック積層体１００の表面に伝導体４０ａと電気的に接続されるように形成された外部電極５０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】セラミック層の表面および裏面の少なくとも一方に形成した配線層と、上記セラミックを貫通するビア導体あるいはスルーホール導体との導通が安定し優れた配線基板、および該配線基板を簡素な工程により確実に提供できる製造方法を提供する。
【解決手段】表面Ｓａおよび裏面Ｓｂを有するセラミック層Ｓと、該セラミック層Ｓの表面Ｓａおよび裏面Ｓｂに形成された配線層Ｐ１，Ｐ４と、上記セラミック層Ｓを貫通し、且つ端部ｖが上記配線層Ｐ１，Ｐ４に接続されたビア導体Ｖと、を備える配線基板であって、ビア導体Ｖの端部ｖは、上記配線層Ｐ１，Ｐ４の表面よりも外側（上方ないし下方）突出していると共に、上記ビア導体Ｖと上記配線層Ｐ１，Ｐ４の表面との間には、平面視において円環形状の接続面Ｆ（ｆ１）を備えている、配線基板１ｅ。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートの積層基板に設けられた複数のビアホールに導電性ペーストを充填するビア充填方法及び装置において、ビア充填における欠陥の低減の為、通常の導電性ペーストに比べて粘度の高い高粘度導電性ペーストによる充填方法及び装置を提供する。
【解決手段】温水等方圧プレス装置１は、圧力容器１０と、上蓋１２を圧力容器１０に固定するピンクロージャー１１と、圧力容器１０に満たした液体１７と、液体１７に浸され、ビア充填積層体を真空包装したラミネートパック２０，２１と、液体１７を加熱するヒータエレメント１６と、加熱制御器１５と、加圧ポンプ１３と、循環ポンプ１４と、圧力センサ１８と、温度センサ１９と、を有している。 （もっと読む）

【課題】焼成工程におけるセラミック成形体（セラミック基板）の反りや変形を抑制、防止して、所望の特性を備えたセラミック基板を効率よく製造することを可能にする。
【解決手段】焼成後にセラミック基板となる未焼成セラミック成形体の一方主面側と他方主面側の少なくとも一方に、未焼成セラミック成形体の焼結温度では焼結しない難焼結性セラミック粉末を主たる成分とする拘束層が配設された未焼成複合積層体を形成し、セラミック成形体は焼結するが、拘束層を構成する難焼結性セラミック粉末が焼結しない温度で焼成した後、拘束層を除去する工程を経てセラミック基板を製造する場合において、拘束層（拘束層用グリーンシート）として、全体的に均一な厚みを有し、かつ、周縁部（を構成する第１の拘束層用グリーンシート１１Ａ）のほうが中央部（を構成する第２の拘束層用グリーンシート１１Ｄ）よりも、拘束力の大きい拘束層１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明はセラミック基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、複数の第１セラミックグリーンシートを含む第１セラミック積層体を設ける段階と、前記第１セラミック積層体上に少なくとも１つの分離誘導層を形成する段階と、前記第１セラミック積層体上に複数の第２セラミックグリーンシートを含む第２セラミック積層体を積層して基板用セラミック積層体を形成する段階と、前記積層された第２セラミック積層体を部分的に切開する段階と、前記基板用セラミック積層体を焼成する段階と、前記焼成された基板用セラミック積層体において前記部分切開された領域を除去してキャビティを形成する段階と、を含むセラミック基板の製造方法に関するものである。
前記の構成により、無収縮焼成方法を適用してキャビティ付近の変形を防止することができるセラミック基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）