【課題】 絶縁基体の表面に設けられた接続パッドの剥離を防止するとともに、貫通導体が絶縁基体の表面から大きく突出するのを抑制された多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４からなる絶縁基体１の内部に内部配線層２および貫通導体３が設けられるとともに、絶縁基体１の表面に貫通導体３に接続するように貫通導体３の横断面よりも大きな面積の接続パッド４が設けられた多層配線基板であって、接続パッド４は、貫通導体３に接する第１の導体層４１と、第１の導体層４１の周縁部を覆う環状部４３１および貫通導体３の直上で交差する２本の帯状部４３２を含むガラスセラミック中間層４３と、環状部４３１および帯状部４３２を除く領域で第１の導体層４１と電気的に接続された第２の導体層４２とからなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】フェライトを有する配線基板の放熱特性を向上させること。
【解決手段】配線基板１は、複数のガラスセラミック層１１と、フェライト層１２とを含んでいる。フェライト層１２は、複数のガラスセラミック層１１の間に設けられているとともに、複数のフェライト副層１２１と複数のコイルパターン１２２と金属パターン１２３とを含んでいる。複数のコイルパターン１２２は、複数のフェライト副層１２１の間に設けられている。金属パターン１２３は、複数のコイルパターン１２２の各々の内側領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 耐薬品性に優れるとともに、低抵抗の内部配線層を有するプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 絶縁基体の相対密度が９６％以上であり、前記内部配線層が銅を３０〜４０質量％、タングステンを６０〜７０質量％、前記ランドが銅を３２〜４２質量％、タングステンを５８〜６８質量％の割合で含み、前記貫通導体がモリブデンを主成分として含有してなり、前記ランドにおける前記銅の含有率が前記内部配線層における前記銅の含有率よりも多く、かつ前記内部配線層の前記ランドに近い領域および前記ランドから遠い領域における前記銅の含有率がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】各セラミック層のさらなる薄層化時もショート不良発生が無く、かつ平坦性に優れたセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の位置に回路配線パターン６とビア７とが形成された複数のセラミック層９Ａ、９Ｂ、９Ｃからなるセラミック多層基板１０において、互いに上下に位置する前記ビア７と前記回路配線パターン６との間に介在するセラミック層９Ｂには、前記ビア７と回路配線パターン６とが重なり合う領域に、無機成分の含有量が周囲よりも高い絶縁部５が形成される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体の表面に形成された電極パターンの画像認識装置による誤認識を生じさせることなく、絶縁基体の表面に隣接して配置される配線間の絶縁性が保持された多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｓｉ、Ｍｎ、ＭｇおよびＭｏを含むアルミナ質焼結体からなる絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを複数積層してなる絶縁基体１１と、絶縁基体１１の表面および内部に設けられた配線層１２、１３と、絶縁基体１１の内部に設けられ、配線層１２、１３に接続された貫通導体１４とを備えた多層配線基板において、Ｍｏがアルミナ質焼結体中に平均粒径０．１〜０．５μｍで、かつ最大粒径１μm以下の粒子として含まれているとともに、Ｍｏの含有量が０．０７〜０．４２質量％であり、かつアルミナ質焼結体の明度が４０％〜４６％である。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるＸ線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく（ｈｋ０）面および（００ｌ）面（ただし、ｈ≧０、ｋ≧０で、ｈ、ｋの一方が１以上の整数、ｌは１以上の整数）のピークのうち、２つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度Ｉ_{（ｈｋ０）}、Ｉ_{（００ｌ）}から、ｐ＝Ｉ_{（００ｌ）}／（Ｉ_{（ｈｋ０）}＋Ｉ_{（００ｌ）}）で求められる２つの測定面でのｐ_１、ｐ_２の比（ｐ_１／ｐ_２、但しｐ_１＞ｐ_２）が２以上、かつ一方の測定面から０．１ｍｍ研磨した研磨面でのｐ’値との比（ｐ’／ｐ）が０．８以上のガラスセラミックスとする。 （もっと読む）

【課題】 内蔵キャパシタ及びその製造方法が提供される。
【解決手段】 内蔵キャパシタの製造方法は、誘電体基板に少なくとも１つの孔部を形成する工程を含む。孔部を形成するため、誘電体基板は機械的に打ち抜かれ、或いはレーザ切断され得る。第１電極を形成するために孔部は導電体で充填される。第１電極と電気的に接触しないように誘電体基板に導体が形成される。孔部の深さ及び／又は断面積は、電極と導体との間に所望量の容量結合が設けられるように選定される。さらに、第２導体が、第１電極と電気的に接触するように誘電体基板に堆積される。少なくとも第２の孔部が誘電体基板に形成され、第２電極を形成するために導電体で充填される。第２電極は第１電極に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】多層基板における水分の浸入を低減させること。
【解決手段】多層基板は、第１軟化点を有する第１結晶化ガラスを含む複数の第１セラミック層１１と、第１軟化点より高い第２軟化点を有する第２結晶化ガラスを含む複数の第２セラミック層１２とが交互に積層されている。第１セラミック層１１と第２セラミック層１２との間には、導体層１４と、第２軟化点より高い第３軟化点を有する第３結晶化ガラスを含む第３セラミック層１３とが形成されている。第２セラミック層１２における複数の焼結粒子の間には、第３結晶化ガラスが含有されている。 （もっと読む）

【課題】接続用パッドの小型化を実現するとともに、接続用パッドとセラミック基板との接続強度および接続用パッドと外部接続端子との接続強度の低下を抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板（１）は、ガラス成分を含む絶縁基板（２）と、絶縁基板（２）に設けられた配線導体（３）とを有する。配線導体（３）は、絶縁基板（２）の内部に設けられ、ガラス成分を含む第１導体層（３ａ）と、該第１導体層（３ａ）上に設けられ、一部が絶縁基板（２）の表面に露出する第２導体層（３ｂ）とを有する。第２導体層（３ａ）は、ガラス成分を含まない、又は第１導体層（３ａ）よりも質量濃度の小さいガラス成分を含む。 （もっと読む）

【課題】キャビティ付きの多層セラミック基板のキャビティ変形に関し、量産性に優れた多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品並びに多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層を積層した、キャビティ付きの多層セラミック基板であって、前記キャビティは底部に導体層を有し、前記導体層の表面下において、前記導体層の外縁と重なるように又は前記外縁よりも内側に、セラミック層の段差を形成している凹み領域があり、前記凹み領域はその外縁よりも中央の方が浅いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱に有利であるとともに、量産性に優れた多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品並びに多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層を積層した、キャビティ付きの多層セラミック基板であって、前記キャビティは底部に第１の導体層を有し、前記多層セラミック基板内部には前記第１の導体層と連続した第２の導体層を有し、前記第１の導体層の少なくとも一部は前記第２の導体層よりも厚いことを特徴とする。より好ましくは、前記第１の導体層の下面はキャビティの底部方向に向かって凸の形状である。 （もっと読む）

【課題】層間接続導体の突き出しが抑制でき、寸法精度に優れる多層セラミック基板、及びその製造方法、並びにその多層セラミック基板を備えるプローブカードを提供する。
【解決手段】本発明の多層セラミック基板は、複数のセラミック層と、該セラミック層の層間に配設された複数の内層導体と、該内層導体同士を接続した層間接続導体と、を備えると共に、焼成されて上記セラミック層となるグリーンシートと、焼成されて上記内層導体となる未焼成内層導体材料と、焼成されて上記層間接続導体となる未焼成層間接続導体材料と、が一体焼成されてなる多層セラミック基板であって、上記グリーンシートの焼成収縮開始温度をＴ_Ａ（℃）とし、上記未焼成内層導体材料の焼成収縮開始温度をＴ_Ｂ（℃）とし、上記未焼成層間接続導体材料（Ｃ）の焼成収縮開始温度をＴ_Ｃ（℃）とした場合に、１００≦Ｔ_Ｃ−Ｔ_Ｂ、及び０≦Ｔ_Ａ−Ｔ_Ｂ≦２００を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、且つ構造的な構成により接合強度を向上できる多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック基板層を積層した多層セラミック基板であって、表裏の最表面のセラミック基板層に夫々の最表面に向かって狭まるテーパ状のビア孔を設け、前記ビア孔に設けた表層ビア電極とその端面に被着する金属めっき層とからなる表層端子電極と、前記表層端子電極と内部のセラミック基板層上の配線とを接続するビア配線と、を含み、表裏少なくとも一方側の最表面のセラミック基板層の表層ビア電極は、その表面が、最表面のセラミック基板層に設けられたビア孔内部であって、最表面のセラミック基板層表面よりも凹んだ位置にあり、当該表層ビア電極の端面に被着した前記金属めっき層の表面が、最表面のセラミック基板層表面と略同一平面ないし、前記最表面のセラミック基板層表面よりも凹んだ位置にあることを特徴とする多層セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】 寸法精度および平坦性の良好な多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層１１〜１８が積層された絶縁基体１の内部に、配線とともに電源用および接地用の少なくとも一方である複数のベタ層２１１〜２１５を含む多層配線基板であって、異なるガラスセラミック絶縁層１１〜１８間に設けられたベタ層２１１〜２１５のうち、少なくとも上下に隣り合う上側のベタ層と下側のベタ層とは、面積が異なっており、上側のベタ層の外縁と下側のベタ層の外縁とが積層方向から見て重なっておらず、かつ交わらないように配置されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】電極間隔を狭くでき、且つ接続強度が高い端子電極構造を持った小型のセラミック基板、及びそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一方側の最表面に能動素子および受動素子を表面実装する多層セラミック基板であって、前記多層セラミック基板は、複数のセラミック基板層を積層してなり、少なくとも一方側の最表面のセラミック基板層のビア孔に設けられた、表層ビア電極とその端面に被着する金属めっき層とからなる表層端子電極と、前記表層端子電極と内部のセラミック基板層上の配線とを接続するビア配線と、を含み、前記能動素子を接続する表層端子電極のビア孔径は、前記受動素子を接続する表層端子電極のビア孔径よりも小さいことを特徴とする多層セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】表面からメッキ液および水分が浸入してセラミック基板の性能が低下してしまうことを抑制できるセラミック基板を提供する。
【解決手段】 Ｂ_２Ｏ_３とアルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含むガラスセラミックスからなる第１および第２の絶縁層を積層してなる積層体を有し、最上層に第２の絶縁層が位置するセラミック基板であって、第２の絶縁層は、第１の絶縁層上に積層され、第１の絶縁層は、Ｂ_２Ｏ_３とアルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物の総量が無機成分全体の３０質量％以下であり、第２の絶縁層は、Ｂ_２Ｏ_３とアルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物の総量が無機成分全体の４０質量％以上であり、第１および第２の絶縁層は、導体が内部に設けられた、互いに連通する貫通孔をそれぞれ有し、第１の絶縁層における第１貫通孔の第２の絶縁層側の開口縁が、第２の絶縁層における第２貫通孔の第１の絶縁層側の開口縁よりも内側にある。 （もっと読む）

【課題】導体層をガラス質により被覆するためには、基板におけるガラス質の含有量を多くする必要がある。一方、基板におけるガラス質の含有量を多くした場合、ドロスの形成量が多くなるため、当て板部材を用いてもドロスの除去が不十分となる可能性がある。
【解決手段】第１のセラミック層と該第１のセラミック層よりもガラス成分の含有率が高い第２のセラミック層とを積層してなる絶縁性基体と、一部が前記絶縁性基体の外周部に沿って配置され、前記第２のセラミック層と接するようにして前記絶縁性基体内の層間に設けられる導体層と、前記ガラス成分を主成分とし、前記絶縁性基体の外周部で前記導体層の側面を被覆するガラス部材と、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態の電子部品は、内層部と、この内層部の表面を覆うように設けられた外層部とを備え、内層部及び外層部は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有しており、内層部の抗折強度が３３０ＭＰａ以上であり、内層部は、外層部よりも熱膨張係数が大きい。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板に対して十分な接合強度を確保し、かつ緻密性を有するとともに、上下表面及び側壁に金属層を形成することができる多層セラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
（ａ）、複数のセラミックグリーンシートを積層する積層工程と、
（ｂ）、積層された複数の前記セラミックグリーンシートの片面側又は両面側に、金属層及び支持シートを有する金属転写シートを被覆する金属転写シート被覆工程と、
（ｃ）、等方圧プレスで圧縮成形するとともに、前記金属層を前記セラミックグリーンシートの片面又は両面の少なくとも一部及び側壁に転写する圧縮成形転写工程と、
（ｄ）、金属層が転写された積層セラミックグリーンシートを焼成する焼成工程と、
を含む多層セラミック基板の製造方法とした。
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【課題】表面の傷の検出を容易にしたセラミックス基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックスを焼結してなる母材基板１１の表面に、該母材基板１１と同質のセラミックスで母材基板１１のセラミックス粒子よりも小さい微細粒子を焼結してなる傷検出用薄膜層１２を、傷の許容限界深さよりも小さい膜厚で形成してなり、その微細粒子は、母材基板１１のセラミックス粒子の平均粒径が１０〜１００μｍであるのに対して、平均粒径が０．５〜３μｍである。 （もっと読む）