【課題】 化合物膜の対レジスト選択比を向上せしめると共に、レジストダメージを低減させることができるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】 対向電極１４のプラズマ発生部２側にシリコンプレート１６を設け、対向電極１４に接続されたプラズマ発生用高周波アンテナコイル８とこのコイル用の高周波電源９との間の給電路途中に分岐コンデンサー１７を設け、この分岐コンデンサーの静電容量を所定の範囲に設定し、シリコンプレート１６に対して所定の電圧を印加せしめることができるように構成する。この装置を用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】ポリメタルゲート配線のシリコン膜のパターニングに際して、ダミーウエハを用いずに、且つ、チャンバー内の下部電極のダメージを伴うことなく、チャンバーのドライクリーニングを行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜の表面にシリコン窒化膜を有するウエハをチャンバー内に搬送し（ステップＳ１）、下部電極上に搭載した後に、まず、チャンバーのドライクリーニングを行い（ステップＳ２）、チャンバー内壁に付着したシリコン系の反応生成物を除去する。次いで、ウエハのドライエッチングを行い、シリコン窒化膜およびポリシリコン膜をパターニングする（ステップＳ３）。パターニング後に下部電極からウエハを取り外し、チャンバー外に搬出する（ステップＳ４）。この処理をウエハ毎に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ特性を求めるための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマ特性を求めるための方法は、プラズマに異なる周波数で結合された第１及び第２波形の電流及び電圧情報のメトリックを得て、周波数の異なる波形のそれぞれから得たメトリックを用いて少なくとも１つのプラズマ特性を求めることを含む。別の実施形態において、本方法は周波数の関数としてのプラズマのプラズマインピーダンスモデルを提供し、モデルを用いて少なくとも１つのプラズマ特性を求めることを含む。更に別の実施形態において、本方法は周波数の関数としてのプラズマのプラズマインピーダンスモデルを提供し、プラズマに結合され、少なくとも２つの異なる周波数を有する波形について電流と電圧を測定し、モデルと測定した波形の電流と電圧とからプラズマのイオン質量を求めることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 （もっと読む）

本発明は、約０℃〜約５０℃の初期温度を有する光リソグラフィ基板を室内の支持部材上に配置するステップを含む、光リソグラフィ基板の処理方法を提供する。伝熱流体を室内に導入して、光リソグラフィ基板を約０℃未満〜約マイナス４０℃未満の目標温度に冷却する。冷却された光リソグラフィ基板が初期温度に達する前に、冷却された光リソグラフィ基板にプラズマ処理が施される。
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【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるものだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しない構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】金属膜に設けられる下層の高誘電率材の薄膜をエッチングすることなく、金属膜を１層又は数層毎に少しずつエッチングする金属膜のエッチング方法及びこれをもちいる半導体装置の製造方法である。
【解決手段】半導体基板１０上のゲート１２を形成する工程が、前記金属膜２１にハロゲン原子のイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加せずに金属膜２１に吸着させる第１工程と、酸素を含みイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加してエッチングする第２工程とを有する金属膜のエッチング方法及び半導体装置１０の製造方法である。この半導体の製造方法は、第１工程と第２工程の双方を有することで、下地に高誘電率材のゲート用の絶縁層２２のエッチングを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜を高選択比でドライエッチングする方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバー内にフルオロカーボンガス及び希ガスからなるエッチングガスを導入し、真空チャンバー内を所定の圧力にしてプラズマを発生させて処理基板上に形成された層間絶縁膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記真空チャンバー内に設けられたシリコンプレートにコンデンサーを介して高周波電源から電圧を印加し、シリコンプレート表面のシリコン原子とフッ素原子とを反応させて真空チャンバー内に存在するフッ素原子を消費しながらエッチングを行なう。 （もっと読む）

半導体素子を形成する方法が提供される。本方法によれば、基板（２０３）を、第１ゲート構造（２０５）及び第２ゲート構造（２０７）が基板の上に配設されるように設ける。第１ストレッサ層（２１５）を基板の上に形成し、そして犠牲層（２１６）を第１ストレッサ層の上に形成する。第２ストレッサ層（２１９）を犠牲層の上に形成する。
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【課題】ウェハに形成された転写層膜に対してレジストマスクを介してエッチングを行ってマイクロレンズを形成するにあたり、マイクロレンズ同士の距離を短時間で狭めること。
【解決手段】エッチングを行う際に、ＣＦ４ガスとＣ４Ｆ８ガスとからなる処理ガスを処理室内へ供給して、下部電極に供給する高周波の電力を基板の表面積で除した大きさが１２００Ｗ/３１４１５．９ｍｍ^２〜２０００Ｗ/３１４１５．９ｍｍ^２として、処理ガスをプラズマ化してレジストマスクに形成されたレンズの側壁に堆積物を堆積すると共に、ウェハのエッチングを行ってマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたシリコン、炭素、酸素及び水素を含む低誘電率膜に埋め込まれた有機膜を、前記低誘電率膜へのダメージを抑えながらエッチングすることを提供する。
【解決手段】基板例えば半導体ウエハＷに形成された低誘電率膜である多孔質ＳｉＣＯＨ膜２４に埋め込まれた有機膜３１を、二酸化炭素を含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマによりエッチングする。前記処理ガスをプラズマ化すると、二酸化炭素イオンが生成し、この二酸化炭素イオンは有機膜３１中の炭素と反応するので、当該有機膜３１をエッチングすることができる。一方二酸化炭素イオンは、前記多孔質ＳｉＣＯＨ膜２４とは反応しにくく、当該多孔質ＳｉＣＯＨ膜２４中のシリコンと炭素との結合は切断されにくいので、結果として前記多孔質ＳｉＣＯＨ膜２４へのダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

基板の表面上にシリコン含有材料をエピタキシャルに形成する方法は、プロセスチャンバー温度及び圧力の調整を通じてハロゲン含有ガスをエッチングガス及び担体ガスの両方として使用する。ＨＣｌをハロゲン含有ガスとして使用するのが有益である。なぜなら、ＨＣｌを担体ガスからエッチングガスへ変換することが、チャンバー圧力の調整で容易に遂行できるからである。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてＳｉＯＣＨに対するＳｉＣＮの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜としてのＳｉＯＣＨ層１０３には、トレンチ１１０とビアホール１１１が形成されている。下層には、エッチストッパー層としてＳｉＣＮ層１０２が形成されており、このＳｉＣＮ層１０２を、ＣＦ₄と、ＮＦ₃とを含むエッチングガスのプラズマを用いてプラズマエッチングする。 （もっと読む）

デュアルダマシン構造においてＢＡＲＣ層を２工程エッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板上に配置されたＢＡＲＣ層で充填されたビアを有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、第１ガス混合物をリアクタに供給してビアを充填しているＢＡＲＣ層の第１部位をエッチングし、ＮＨ_３ガスを含む第２ガス混合物をリアクタに供給してビア内のＢＡＲＣ層の第２部位をエッチングすることを含む。
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【課題】 バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。ビアホール内の下側の一部に、埋め込み部材を充填する。層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。ビアホール内の埋め込み部材を除去する。ビアホール及び配線溝内に導電部材を充填する。 （もっと読む）

【課題】高い選択性と高いエッチングレートを両立させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜１０２をマスクとしフォトレジスト膜１０２に対して、ＳｉＯ₂膜１０１を選択的にプラズマエッチングしてホール１０４を形成する。プラズマエッチングには、少なくとも、不飽和型である第１のフッ化炭素ガスと、直鎖飽和型であってＣ_mＦ_2m+2（ｍ＝５，６）で表される第２のフッ化炭素ガスと、酸素ガスとを含む処理ガスを使用し、この処理ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。
【解決手段】段差をもつシリコン基板１上に段差被覆性（カバレッジ）が悪い酸化膜１１を形成する工程と、酸化膜１１上にマスクパターンを形成する為のレジスト膜６を形成する工程と、ドライエッチング法を適用することに依り、レジスト膜６をマスクとして酸化膜１１の異方性エッチングを行なってマスクパターンを形成する工程とが含まれる。 （もっと読む）

【課題】深さ対幅が１０：１より大きいアスペクト比を持つ高アスペクト比のホールを備える基板からポリマーを除去する方法を提供する。
【解決手段】２つの電極の間にアーク状のプラズマを発生させ、４０００℃と１２０００℃との間の範囲の温度を有する大気高温ガス流を前記アーク状のプラズマから形成する。前記基板に前記大気高温ガス流を向け、前記基板上に流体力学的なガス境界を形成する。前記基板を電気的劣化させることなく前記ホール内部の前記ポリマーを除去するように、必要な時間において前記基板上を前記大気高温ガス流を通過させるとともに、前記ポリマーを前記ホールから所望の深さまで除去するように、前記大気高温ガス流が前記基板上を所望の回数だけ通過するよう前記基板を移動する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。
【解決手段】開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。他の実施形態において、側壁のパッシベーションは余分な再堆積層を定期的に除去して平坦で均一なパッシベーション層をその上に維持することによって管理される。平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比が高くかつマスク層の剥離を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化シリコン、酸化シリコン、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウムおよび窒化アルミニウムの少なくとも１つを含む被エッチング層（１０）上に、開口部（２２）を有し、被エッチング層（１０）側からニッケルクロム膜、金膜およびニッケル膜の順で形成されたマスク層（１８）を形成する工程と、マスク層（１８）をマスクに被エッチング層（１０）をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）