【課題】ＴａＣをＳｉＣのエッチングを行なうためのマスクの素材として採用可能とすることにより、製造工程を簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの製造方法は、ＳｉＣ部材であるｎ型ＳｉＣ層を準備する基板準備工程およびｎ型ＳｉＣ層形成工程と、ｎ型ＳｉＣ層上にＴａＣ膜を形成するＴａＣ膜形成工程と、ＴａＣ膜をマスク形状に成形するＴａＣマスク形成工程と、マスク形状に成形されたＴａＣ膜をマスクとして用いて、ｎ型ＳｉＣ層をエッチングするｎ型ＳｉＣ層エッチング工程とを備えている。そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成されたＣ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１と、エッチングストップ層４２と、銅配線４３と、メタルハードマスク４５とを有する半導体デバイス４０に施されるエッチングストップ層除去処理において、低誘電率層間絶縁膜４１と銅配線４３及び／又はメタルハードマスク４５とが、ＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスを含む処理ガスから生じたプラズマへ同時に晒される際、当該処理ガスにおけるＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスの流量比はＣＦ_４ガス：Ｎ_２ガス＝１：Ｘ（但し、Ｘ≧７）で示される。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを大きくし、選択比を高める。
【解決手段】供給源１３からのＣＦ_４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。オゾン生成部２０でオゾンを生成する。ノズル３０には、プラズマ生成部に連なるプラズマガス路３１と、オゾン生成部２０に連なるオゾンガス路３２とを形成する。これらガス路３１，３２の合流部３３に吹出し路３４を連ね、その先端開口３４ａを被処理物９０と対向させる。合流部３３から被処理物９０までの距離を、１５ｍｍ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドで使用されている厚いＡｌ_２Ｏ_３膜の上にルテニウム膜を形成したウエハの加工において、高い選択比が得られるドライエッチング方法提供する。
【解決手段】ＮｉＣｒ膜１５の上に、Ａｌ_２Ｏ_３膜１４、ルテニウム膜１３、ＳｉＯ_２膜、１２、レジストマスク１１を積層したウエハのエッチングにおいて、塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜１３をプラズマエッチング処理し（図１（ｃ））、引き続きルテニウム膜１３をマスクとしＢＣｌ_３ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてＡｌ_２Ｏ_３膜１４をプラズマエッチング処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【目的】レベンソン型マスクを用いた場合でもくびれ部分を形成せずにコンパクトな膜パターンを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に被加工膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記被加工膜上に非最細膜パターンを形成する工程（Ｓ１１４）と、前記非最細膜パターンが形成された後、レベンソン型マスクを用いて端部の位置が前記非最細膜パターンと重なるように最細パターンを露光する工程（Ｓ１１６）と、前記最細パターンが露光された後、前記最細パターン幅の最細膜パターンを形成する工程（Ｓ１１８−Ｓ１２２）と、前記非最細膜パターンと前記最細膜パターンとが転写されるように前記被加工膜をエッチングする工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２を被覆する層間絶縁膜１３を形成する工程と、Ｃ_４Ｆ_８ガススとＯ_２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いたエッチングにより層間絶縁膜１３及び水素バリア膜１２を貫通する貫通孔２１を形成する工程とを備え、Ｃ_４Ｆ_８ガスの流量がＯ_２ガスの流量に対して０．７７倍以上３．８倍以下である。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、予備基板５０上に所定の厚さに窒化物単結晶膜５５を成長させる１次成長段階（ｂ）と、予備基板５０と窒化物単結晶層５５が部分的に分離されるようにレーザーを照射する段階（ｃ）と、窒化物単結晶膜５５上に窒化物単結晶５５’を追加成長させる２次成長段階（ｄ）と、予備基板５０を反応チャンバー内に維持しながら、予備基板５０と窒化物結晶５５’が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｅ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去すると、ロット内の一部のウエハで下層の銅配線が消滅する現象が起こる。
【解決手段】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去する間、非酸化性乾燥ガス雰囲気で保管することにより、ポリマーが雰囲気中の酸素や水分を取り込むことを防止するものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）

【課題】微細化による配線のＥＭ耐性の劣化を抑制することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の絶縁膜１１に形成され、上面に凹部１２ｃを有する第１の配線１２ｂと、絶縁膜１１及び第１の配線１２ｂの上に形成され、凹部１２ｃを露出すると共に側壁が順テーパー形状の接続孔１４ｃと配線溝１４ｂとを有する第２の絶縁膜１４と、接続孔１４ｃ及び凹部１２ｃに埋め込まれ、第１の配線１２ｂと接続するビア１９ｂと、配線溝１４ｂに形成され、ビア１９ｂと接続する第２の配線１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。このコンディショニング工程は、定期的に行われ、例えば、基板を所定枚数処理するごとに行われる。これにより、ターゲット３２の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ₆等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜上のアモルファスシリコン膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１およびｎ型アモルファスシリコン膜２４が成膜され、その上にはレジスト膜２６、２７が形成されている。そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および塩素ガス（１００〜１０００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、ｎ型アモルファスシリコン膜２４および真性アモルファスシリコン膜２１が連続してドライエッチングされ、そのエッチングレートは約１５００Å／ｍｉｎであった。この場合、真性アモルファスシリコン膜２１が完全に除去されると、下地の窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３が露出され、この露出されたゲート絶縁膜３がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。したがって、この場合の選択比は約４である。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造中に材料をパターン化するための方法は、どの工程が選ばれるかによって、対称なフォトマスクを用いて非対称な機構もしくは対称な機構のいずれかを選択的に形成する。製造される、結果として得られる機構は、パターン化材料の周囲に形成されるスペーサーを用いる。基材を除去するために一つの特定のエッチングが使用される場合、対称な機構が得られる。基材を除去するために二つの特定のエッチングが使用される場合、非対称な機構が得られる。
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【課題】配線間の容量の低減および配線抵抗のばらつきの低減が図られる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】下部配線４を直接覆うようにシリコン窒化膜などの接続孔ストッパ膜６を形成する。その接続孔ストッパ膜を直接覆うように下部層間絶縁膜８を形成する。その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。その上部層間絶縁膜１０に異方性エッチングを施すことにより上部配線溝１８を形成する。その上部配線溝１８に上部配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に、コンタクトプラグとワード配線のショートを防止することができる信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】上面及び側面が酸化シリコン膜２４及びサイドウォール２５で覆われたワード配線５を形成した後、ワード配線５を覆って全面に非晶質炭素膜からなる犠牲層間膜を形成する。そして、この犠牲層間膜をエッチングして第１コンタクトホールを形成した後、この第１コンタクトホール内に第１コンタクトプラグ７、８を形成する。その後、犠牲層間膜を除去して、半導体基板１上にコンタクトプラグの柱を形成し、その上に第１層間絶縁膜を形成する。この第１層間絶縁膜を表面から一部除去し、第１層間絶縁膜の表面に第１コンタクトプラグの上端面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１層のシリコン酸化膜層と少なくとも１層のシリコン窒化膜層とを含む積層膜を単一の処理ガスでエッチングするエッチング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１層のシリコン酸化膜層と少なくとも１層のシリコン窒化膜層とを含む積層膜を有する被処理体を、処理室内に設置し処理ガスを導入して前記積層膜のシリコン酸化層膜とシリコン窒化膜層の両方をエッチングする方法において、前記処理ガスがＣ_ａＨ_ｂＦ_ｃ（ａ＝３〜５、ｂ＝１〜２、ｃ＝３〜１０）を含むことを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、高周波電源を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段とを備え、前記高周波電源として１０MHｚ〜５００MHｚの高周波電圧を印加するとともに、前記真空処理室を０．５〜４．０Ｐａに減圧するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】チタン窒化物等の金属窒化物をエッチングする方法及びシステムについて開示している。
【解決手段】そのエッチングの処理は、Ｃｌ_２、ＨＢｒ又はＢＣｌ_２等のハロゲン含有ガス、及び化学式Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚを有するフルオロカーボンガスであって、ｘ及びｚは１に等しいか又は１より大きく、ｙは０に等しいか又は０より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持されたチャンバー２１と、この内部に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極２２、及びこのＲＦ電極２２と対向するように配置された対向電極２３と、前記ＲＦ電極２２に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電源２７と、前記ＲＦ電極２２に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電源２９とを有するようにプラズマ処理装置を構成する。前記パルス電源２９は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有する。 （もっと読む）