【課題】従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。
【解決手段】被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に位相シフト膜が形成され、更に位相シフト膜上に遮光膜が形成され、位相シフト膜及び遮光膜が各々ケイ素系材料層を有し、位相シフト膜のケイ素系材料層と遮光膜のケイ素系材料層とが互いに隣接し、位相シフト膜中のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率と、遮光膜のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率との差を有するフォトマスクブランクから、塩素系ガスと酸素ガスとの比率が設定された塩素系ドライエッチングにより、遮光膜のケイ素系材料層を選択エッチング除去する工程を含むフォトマスクの製造方法。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、位相シフト膜と同種の材料であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】吸引型のプラズマガン搭載型プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】キャピラリー３とプラズマ発生用電極４を具備したプラズマガン２のキャピラリー先端部６が密閉容器１内に配設されてなり、前記プラズマガン２の密閉容器１外にある端部には排気装置７が連結されており、また、前記密閉容器１にはガス導入部８が設けられており、該ガス導入部８には反応性原料ガス供給ユニット９が連結されている。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積を平面的に拡大したり不純物濃度を高めたりしなくても、飽和信号電荷量を増加させる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１に二次元的に配列された複数の画素とを備え、画素の光電変換素子となるフォトダイオード２２は、Ｐ型不純物領域（２５，２６）と、Ｎ型不純物領域（２７，２８）とを有し、これらの高濃度不純物領域（２６，２８）同士が接するＰＮ接合部２９が、半導体基板２１の表面側に凸の形状で形成されている。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
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【課題】ｎ型層の透光性などを悪化させることなしにｎ電極の接触抵抗が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。この構造によると、第２ｎ型層１１２が露出するまで正確にエッチングすることができ、ｎ型層１１の透光性などを悪化させることなくｎ電極１６の接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 例えば、ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１および窒化シリコン膜（チャネル保護膜形成用膜）２２が成膜され、その上にはレジスト膜２３が形成されている。そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 （もっと読む）

太陽電池の製造方法が記載される。製造方法では、先ず、誘電体層が上に設けられた基板を準備する。次に、誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する。最後に、マスクを利用せずに、ピンホールフリーのマスク層をパターニングして、パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを用いて選択形成したトレンチに、ハードマスクを残した状態でエピタキシャル層を埋め込む際に、結晶欠陥の発生を防ぐとともに、超接合構造を効率良く形成でき、良好な良品率が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】トレンチ４を形成するためのマスクとなるマスク絶縁膜３が少なくとも前記トレンチ形成用開口部６ｄ周辺で、他の部分より薄い膜厚部分を有し、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む前に、前記マスク絶縁膜３の膜厚の薄い部分をエッチングして除去した後に、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第一ＴｉＮ膜３、Ａｌを含む金属膜４、第二ＴｉＮ膜５を順次積層した金属配線層６を形成する工程と、前記金属配線層６の上にストッパー膜７、シリコン酸化膜８を順次積層したハードマスク層１２を形成する工程と、前記ハードマスク層１２を選択的にエッチングして前記金属配線層６の上にハードマスク１２ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａをマスクとしてエッチングし金属配線６ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａおよび前記金属配線６ａの上に層間絶縁膜１４を形成する工程と、前記ストッパー膜７をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜１４にビアホール１７ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

３次元トランジスタの製造に用いられる半導体構造の作製方法を提供する。この半導体構造は、シリコン基板およびエピタキシャル層を備え、このエピタキシャル層は終点検出エピタキシャル領域を備え、この終点検出エピタキシャル領域は、炭素、ゲルマニウム、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される終点検出不純物を含む。
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【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング選択性及び微細加工性を示し、高密度プラズマ下においてもエッチング速度とエッチング選択性のバランスに優れたドライエッチングが可能であり、また、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能なプラズマ反応用ガスを提供すること。
【解決手段】パーフルオロ−(３−メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法は、プラズマが生成される複数の下側凹部２４１が底面に形成されたホローカソード２４０と、複数の噴射口が形成されたバッフル２５０との間に流入したガスによってホローカソードプラズマを発生させて、基板支持部上に配置された基板Ｗを前記噴射口を通過した前記ホローカソードプラズマによって処理する。 （もっと読む）

【課題】処理プロセス名称に応じて、処理結果と相関の高い装置エンジニアリングデータの特徴量を自動的に出力する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置において、処理モジュール１０１と、検査モジュール１０２と、装置制御コントローラ１０３を備え、装置制御コントローラ１０３は加工処理時の装置エンジニアリングデータを、装置情報データベースに蓄え、処理レシピに記載されたプロセス名称に紐付けられた特徴量算出方法を特徴量算出方法データベース１０７より取得して、装置エンジニアリングデータから特徴量を算出して出力する。 （もっと読む）