【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持されたチャンバー２１と、この内部に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極２２、及びこのＲＦ電極２２と対向するように配置された対向電極２３と、前記ＲＦ電極２２に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電源２７と、前記ＲＦ電極２２に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電源２９とを有するようにプラズマ処理装置を構成する。前記パルス電源２９は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された立体構造の特定の方向を向いた面を選択的に加工する。
【解決手段】基板２０１上に、基板表面と平行でない第１の面を有する第１の構造体２０３及び前記基板表面及び前記第１の面と平行でない第２の面を有する第２の構造体２０２を形成する工程と、前記第２の面と平行に、かつ基板２０１の表面に対して斜めの方向で、前記第１の面に粒子３０１を照射する工程と、前記第１及び第２の面に対し互いに異なる成膜速度での成膜処理又は互いに異なるエッチングレートでのエッチング処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層５１と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、エッチング領域５１Ｅに対応する磁性層５１を核にして内包片５１ａを内包したＣＮＴを成長させた後、同ＣＮＴを基板Ｓ上から除去させた。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、速やかに安定な活性種をワークの処理領域に供給することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、第１の状態と第２の状態とにプラズマ遮蔽部材５１を変位可能な遮蔽手段と、制御手段とを備え、制御手段により、遮蔽手段の作動を制御して、プラズマ遮蔽部材５１を第１の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１へのプラズマ処理を停止する非処理モードと、プラズマ遮蔽部材５１を第２の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１に活性種を接触させてプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作をする半導体装置であって、ゲート電極直下の電子供給層の厚さばらつきが少なく、ゲートの閾値ＯＮ電圧のばらつきが少ない電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＮからなる電子走行層（１３）と該電子走行層（１３）よりバンドギャップが実質的に大きい電子供給層（１５）とを有する電界効果トランジスタであって、ゲート電極（１８）直下部分の電子供給層の厚さは、それ以外の部分の電子供給層の厚さより薄く、かつ、該電子供給層（１５）の少なくとも一部は、ＢＮ層、ＩｎＮ層、ＧａＮ層およびＡｌＮ層からなる群から選択された少なくとも２種の層を交互に積層した多層構造を有する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングした下層レジスト膜１０４等をマスクとして、被エッチング対象であるシリコン酸化膜１０３、シリコン窒化膜１０２、を順次プラズマエッチングし、ホール１１２を形成する。最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するＢＰＳＧ膜１０１をプラズマエッチングし、ホール１１３を形成する。このＢＰＳＧ膜１０１のプラズマエッチングに、Ｃ₄Ｆ₆ガスとＣ₃Ｆ₈ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】下部電極で発生する熱を外部ハウジングによって遮断することで、被加工物の表面の損傷を防止し、下部電極の一部を突出させることで、プラズマが被加工物の表面に広がる現象を防止し、プラズマ処理が行われるところに隣接して排気をなして、プラズマ処理の際に発生する副産物を即時除去する、突出したプラズマ排出口の周囲に吸入口が形成されたプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】電源放電電圧が印加される第１電極、及び前記第１電極に付着されるかまたは第１電極を取り囲む形態の誘電体でなる第１電極部、及び前記第１電極部の下部に所定間隔で離隔して設置され、下方に伸びるプラズマ排出口を有する第２電極、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理において、選択性を向上させる。
【解決手段】ウエハＷを導入するロード室１０２とウエハＷをリアクティブ・イオン・エッチング処理するＲＩＥ装置１とが、ゲートバルブ１０１を介して接続されている。ＲＩＥ装置１の処理室４の内面が、非水溶液での陽極酸化Ａｌ_２Ｏ_３膜によって被膜されている。前処理として酸素原子、水分子を含まないガス雰囲気中で、波長１２０ｎｍ〜１９０ｎｍの紫外線が照射装置１１２によってウエハＷに対して照射され、ウエハＷは１７０℃以上でベークされる。 （もっと読む）

【解決手段】エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体を選択的エッチングするための方法が提供されている。フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れが、エッチングチャンバに供給される。パルスバイアスＲＦ信号が供給される。エッチングガスをプラズマに変換するために、励起ＲＦ信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】定数を最適な値に設定するのみで、ガス種、ガス流量、目標圧力に関わらず、減圧処理室を速やかに所望圧力に調整する。
【解決手段】減圧処理室１と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに電磁エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段５と、前記減圧処理室内のガスを排気する排気手段２と、前記減圧処理室内のガス圧力を測定するガス圧力測定手段４と、前記排気手段により排気されるガスの排気速度を調整する排気速度調整手段３と、前記圧力測定手段により測定したガス圧力が目標値に一致するように制御演算を施して排気速度を演算し、演算結果に基づいて前記排気速度調整手段を制御する演算制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】金属或いは金属シリサイド層を多結晶シリコン層の上に含む層構造のパターニング方法において、ドーピング物質が全析出面にわたって均質に分布され、その表面性質及び隣接の層との接着性ができるだけ良くなる方法を提供する。さらに、高い選択性と、大きな均質性とをもって、かつエッチングされる全ての層にわたって真っ直ぐにエッチングされた側面部を形成するようにパターニングする方法を提供する。
【解決手段】ドーピング化合物がプロセスガスとしてポリシリコンの化学気相蒸着の際に添加され、そのプロセスガスへの供給が気相蒸着の終了近くで停止され、その結果非ドープのシリコンからなる境界層が析出される。このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜１０２をマスクとしフォトレジスト膜１０２に対して、ＳｉＯ₂膜１０１を選択的にプラズマエッチングしてホール１０４を形成する。プラズマエッチングには、Ｃ₆Ｆ₆ガスと、希ガスと、酸素ガスとを含み、Ｃ₆Ｆ₆ガスに対する酸素ガスの流量比（酸素ガス流量／Ｃ₆Ｆ₆ガス流量）が２．８〜３．３の処理ガスを用い、この処理ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０２の上部に選択ラインとワードラインを形成する。それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。この上に第１の絶縁膜１２２を形成する。第１の絶縁膜の一部をＣＦ_４ガスによりエッチング除去する。第２のエッチング停止膜をＢＣｌ_３ガスにより除去し、第１のエッチング停止膜をＣＨＦ_３ガスにより除去し基板に達するコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】三フッ化塩素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおいて、エッチング対象外のシリコンのエッチング回避を効率的に行う。
【解決手段】シリコン基板７のエッチング耐性を与えられていない表面と接触する三フッ化塩素の濃度を、第１部分である上面と比べて第２部分である底面において低く維持するための不活性ガスを放出するノズル６１を備え、シリコン基板７は、前記エッチングガスの流路において前記第１部分が前記第２部分に対して上流に来るように取り付けられ、ノズル６１は、前記流路において前記第１部分に対して下流となり、かつ前記第２部分に対して上流となる地点６２に前記不活性ガスを放出する。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバと少なくとも一つの上部電極と少なくとも一つの下部電極とを有する容量結合プラズマ処理システムにおいて基板を処理する方法。基板はプラズマ処理の間、下部電極上に配置されている。この方法は、第１のＲＦ周波数を有する少なくともの一つの第１のＲＦ信号を供給する工程を含む。第１のＲＦ信号はプラズマ処理チャンバ内でプラズマと結合し、よって上部電極上に誘導されるＲＦ信号を誘導する。この方法は、第２のＲＦ信号を上部電極に供給する工程を更に含む。第２のＲＦ信号も第１のＲＦ周波数を有する。第２のＲＦ信号の位相は第１のＲＦ信号の位相から１０％未満の値で偏倚している。この方法は、第２のＲＦ信号が上部電極に供給されている間に基板を処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】パターニングが微細であっても、低コストでＬＷＲを低減できるエッチング方法を実現する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。したがって、レジストパターン６ａはあまり細くならずに、ＬＷＲが低減され、パターン４ａ・５ａおよびゲート電極パターン３ａの凹凸が従来に比べ改善される。さらに、パターン５ａ上に新たに膜を形成する工程が不要となるので、コストを抑えることができる。 （もっと読む）

上部電極に対する電子損失を制御するための方法および構成であって、より長時間プラズマチャンバ内に荷電種を捕捉でき、プラズマ密度を高めるように、電極をより負にバイアスするための技術および装置を含む。上部電極上に誘導されたＲＦ信号は整流され、よって上部電極をより負にバイアスする。必要であれば、整流されたＲＦ信号を増幅することができ、よって上部電極をより負に駆動する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に露出した酸化膜などの被処理部を、ｌｅａｎｉｎｇといった問題を発生させずに除去することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗ表面のシリコン酸化膜１００を除去してキャパシタ電極１０３を製造するキャパシタ電極１０３の製造方法であって、基板Ｗを第１の処理温度にして、ハロゲン元素を含むガスを供給し、シリコン酸化膜１００とハロゲン元素を含むガスとを化学反応させて、シリコン酸化膜１００を反応生成物に変質させる工程と、基板Ｗを前記第１の処理温度よりも高い第２の処理温度にして、反応生成物に変質させたシリコン酸化膜１００を除去する工程と、を有する。本発明によれば、ストレージノードホール１０１の内面に円筒形状のキャパシタ電極１０３を形成した後、キャパシタ電極１０３の周りに残っていたシリコン酸化膜１００を除去するに際し、ｌｅａｎｉｎｇを回避できる。 （もっと読む）

【課題】基板からの半導体デバイスの生産性が悪化するのを防止できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 （もっと読む）