【課題】パーティクル汚染の低減したプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルが低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷のない水素を用いて、太陽電池用のシリコン系基板表面にテクスチャーを広い面積に形成できるシリコン系基板表面粗面化処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】粗面化処理装置１０を用い、シリコン系基板Ｗを処理室１に載置する基板供給工程と、処理室１を真空ポンプ１６により減圧する減圧工程と、減圧した状態を保持しながら処理室１にプラズマ化工程を行って生成した水素活性種Ｈ^*をプラズマ発生室２から供給してこの水素活性種Ｈ^*でシリコン系基板Ｗをエッチングするプラズマ供給工程と、を行って、シリコン系基板Ｗの表面に凹凸構造を形成する。前記プラズマ化工程は、マスフローコントローラ２１により水素Ｈ₂をプラズマ発生室２に供給しながら、プラズマ源３によりプラズマ発生室２に高周波電力を印加することで水素Ｈ₂をプラズマ化する。 （もっと読む）

【課題】試料の搬送中に試料温度の測定を可能とし、測定した試料の温度に応じて試料の搬送を制御して搬送効率の低下を抑制する。
【解決手段】搬入された試料に所定のプラズマ処理を施すプロセスモジュール１１０と、カセットに格納された試料を取り出して前記プロセスモジュールに搬入し、プロセスモジュールにおいてプラズマ処理が施された試料を前記カセットに収納する搬送モジュール１０１を備えたプラズマ処理装置において、前記搬送モジュールは、試料を静電吸着する静電吸着部および吸着した試料の温度を測定する温度測定部を具備する搬送ロボット１０８と、搬送モジュールを制御するモジュールコントローラ１１３を備え、測定した試料の温度をもとに前記静電吸着部の吸着力を推定し、推定した吸着力をもとに搬送ロボットに許容される最大加速度を計算し、計算結果にしたがって搬送制御する （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナに１対１で対応するプラズマをパワーに応じて生成することができ、処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板Ｇを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向配置された誘電体窓３０と、誘電体窓３０を介して処理空間Ｓと隣接する空間内に設けられた複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂと、処理空間Ｓに処理ガスを供給するガス供給部３７、３６と、複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂに高周波ＲＦ_Ｈを印加して誘導結合によって処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源とを有し、誘導磁場合成防止手段として複数又は多重のＲＦアンテナ相互間に対応する誘電体窓の下面に誘電体からなる突出部３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、試料吸着台に設けたプッシャピンと試料の間に発生する異常放電を抑制し、また、試料に対する除電不良を抑制する。
【解決手段】基台４および試料吸着台２に設けた複数の貫通孔をそれぞれ挿通するとともに、その一方端を前記試料吸着台２上に載置した試料１に当接可能に配置し、その他方端をピン駆動部６に接続した複数のプッシャピン７と、前記プッシャピン７を備えた試料載置台を収納する真空容器とを備え、前記真空容器内にプラズマを生成して前記試料１にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記プッシャピン７は誘電体を同軸に配置したピンであり、ピンの外周部に配置した誘電体７ｂの誘電正接はピンの内周部に配置した誘電体７ａの誘電正接よりも小である。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの分解効率を上げ、基板に対する処理速度の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生管６を囲む様に設けられ、少なくとも該プラズマ発生管６の内壁近傍にプラズマ生成領域１２を生成するプラズマ発生手段９，１１と、前記プラズマ発生管６の上流側から処理ガスを供給するガス供給手段１６と、前記プラズマ発生管６の下流側に隣設され、プラズマ化された処理ガスによって基板３を処理する処理室４と、前記ガス供給手段１６と前記プラズマ生成領域１２上端の間に設けられ、前記プラズマ発生管の内壁近傍の処理ガス密度が濃くなる様処理ガスの流れを整える整流板１７と、前記処理管から処理ガスを排気する排気手段２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースへの高度に均一なプラズマ束（すなわちプラズマ密度）を達成するために改善されたワークピース処理方法を提供する。
【解決手段】異なる第１と第２の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、第１と第２の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記ワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、前記第１の周縁長が第２の周縁長を超え、前記第１の周縁寸法が第２の周縁寸法よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の制御性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１電極と、第２電極と、誘電体部材と、比誘電率制御部と、を備えたプラズマ処理装置が提供される。第１電極と第２電極との間にプラズマが生起される。誘電体部材は、第１電極と第２電極との間に設けられる。比誘電率制御部は、誘電体部材の比誘電率を、第１電極から第２電極に向かう方向に対して交叉する面内で変える。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度を高め、誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させることができるプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】アンテナシステム２０を構成する並列構造の３本のアンテナコイル２２，２３，２４は、仮想円の中心を基準に、各アンテナコイル２２，２３，２４のパワーエンドＰとグラウンドエンドＧを、相互対称の位置にさせ、各アンテナコイル２２，２３，２４は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて三重螺旋状に形成される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層レジストマスクを用いたシリコン酸化膜等のプラズマエッチング後にパターンの倒壊等により発生するラインウィグリングやストライエーションを防止，抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は、多層レジストマスクを用いて、被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、前記多層レジストマスクは、上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストを含み、前記下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程を有することを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）