【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光ディスクや基板等の立体形状の上面と外周面とを均一にエッチングすることが可能な基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】研削された外周面２ｂを有する基板２をエッチングガス雰囲気中に配置し、該エッチングガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光をプリズム３を介して基板２の上面２ａに対して斜めに入射させて、前記光を基板２の上面２ａと底面２ｃとの間で反射させつつ外周面２ｂまで伝搬させ、外周面２ｂを介して基板２内から外部へと出射される前記伝搬光により前記エッチングガスを解離して外周面２ｂに形成された凹凸をエッチングするとともに、前記凹凸における少なくとも角部に前記伝搬光に基づいた近接場光を発生させ、該近接場光により前記エッチングガスを解離して前記凹凸をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】強誘電体と電極との間のエッチング選択性を高め、強誘電体を高精度にエッチングすることができる誘電体デバイスの製造方法及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ槽の冷却のための方法を提供する。
【解決手段】システム１２００は、槽１２１０、槽１２１０に隣接するヒートシンク１２２０、および槽１２１０とヒートシンク１２２０との間に配置される熱インターフェイス１２３０（機械的調節層）を備える。ヒートシンク１２２０の中、上または接して流れる水、オイルまたは空気などの冷却流体によって、前記ヒートシンクを冷却する。システム１２００は、オプションとして、ヒートシンク１２２０に制御可能に圧力を加えるバネ式機構１２９０を備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップとデポステップを交互に繰り返すプラズマ処理において、ステップ切換時のチャンバ内の圧力を安定させる。
【解決手段】基板２１をエッチングするエッチングステップと、基板２１に対して堆積により保護膜を形成するデポステップとを交互に繰り返してドライエッチングが行われるドライエッチング装置１は、基板２１が収容されるチャンバ２、プラズマを発生させるためのアンテナ３と高周波電源部５Ａ、ガス源７Ａ，７Ｂから供給されるガスの流量調整部８Ａ，８Ｂ、チャンバ２内の圧力を制御するための圧力制御バルブ１２を備え、ドライエッチング開始後の２回目以降の前記エッチングステップと前記デポステップでは、それぞれ、予め定められた時間だけ圧力制御バルブ１２の開度を直前のステップにおける開度で維持（開度制御モード）した後に、予め定められた圧力を維持するように前記バルブの開度を制御（圧力制御モード）する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ埋込法により形成された並列ｐｎ領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法において、トレンチ開口率が３０％以上であり且つ深いトレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁の荒れおよびブラックシリコンの両方を抑制する。
【解決手段】 複数のトレンチを半導体基板に形成する工程において、少なくとも六フッ化硫黄、及び、酸素を含むエッチングガスを用い、酸素の流量を六フッ化硫黄の流量の略０．８倍以上２．０倍以下とし、好ましくは略等しい流量とする。このようにすると、トレンチ側壁に対するエッチング生成物の堆積量を制御でき、エッチング時のトレンチ側壁の荒れとブラックシリコンの発生を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。
【解決手段】異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。
【解決手段】ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。消耗状態判定部５１が前記厚さデータに基づいてトレイの消耗状態を判断する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
接着層が、第１シリコン基板と第２シリコン基板とに挟まれた積層体３０を真空槽１１に搬入し、該積層体３０に対し、第１シリコン基板と接着層とを貫通して積層体３０の積層方向に延びる凹部を形成する。このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】プラズマインピーダンスマッチングにおいて、より正確に、速やかなマッチングが行われるようにする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０００は、工程チャンバー１１００と、この内に供給されたガスからプラズマを発生させる電極と、高周波電力を出力する高周波電源１２００と、高周波電源１２００から前記電極へ高周波電力を伝送する伝送ライン１２１０と、伝送ライン１２１０に連結されてプラズマインピーダンスをマッチングするインピーダンス整合器と、当該インピーダンス整合器へ制御信号を送出する制御器１３２０と、を含み、前記インピーダンス整合器は、複数のキャパシター１４０１の各々にスイッチ１４０２を連結し、スイッチ１４０２を制御器１３２０の制御信号にしたがって断続してキャパシタンスを調節する可変キャパシター１４００を含む。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、より強い電界強度を生じさせることができるプラズマ発生装置、プラズマ処理装置、プラズマ発生方法、およびプラズマ処理方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマを発生させる領域にマイクロ波を放射して前記プラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波を共振させる共振部と、前記共振部から前記プラズマを発生させる領域への前記マイクロ波の放射を制御する放射制御部と、を備え、前記放射制御部は、前記マイクロ波の放射を抑制してマイクロ波エネルギーを前記共振部に蓄積し、前記蓄積されたマイクロ波エネルギーを放出することで電界強度を強めることを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置において、チャンバクリーニング処理の際に磁気コイルに流す電流値を、基板エッチング処理の際に前記磁気コイルに流す電流値よりも小さくすることにより、プラズマ中の分子種の時間変化をアンテナコイル電圧Ｖｐｐの変化に反映させ易くして監視し、クリーニングの終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性を高めることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
レジストマスクが形成された基板Ｓを真空槽１１内でエッチングするプラズマエッチング方法において、基板Ｓが載置されたステージ電極１４に第一の電力量で高周波電力を供給しつつ、基板Ｓの上方に配置された高周波アンテナ１７に第二の電力量で高周波電力を供給して真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするメインエッチング工程を行う。加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度なプラズマ処理が可能となるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】測定記憶ユニット３０１に格納された高周波バイアス電圧Ｖｅｓｃと高周波バイアス電流Ｉｅｓｃと、測定記憶ユニット３０１に格納された静静電チャック機構の抵抗分Ｒｅｓｃと誘導分Ｌｅｓｃと容量成分Ｃｅｓｃと、積分定数Ａと、を用いて被処理基板の電圧Ｖｗを推定する計算ユニット３０２と、計算ユニット３０２で推定された被処理基板の電圧Ｖｗに基づいて、高周波バイアス電源１１７の制御信号を作成し、前記制御信号を高周波バイアス電源１１７に送信する制御ユニット３０３と、を備える。 （もっと読む）